屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备。该屏蔽结构，对喷淋电极进行屏蔽，包括：壳部，壳部形成有用于容纳喷淋电极的容纳腔，容纳腔的底部开设有避让槽，在喷淋电极被容纳在容纳腔的状态下，喷淋电极的喷淋孔从避让槽露出；盖部，盖住容纳腔，和壳部一起包裹喷淋电极并对喷淋电极进行屏蔽；壳部和盖部当中，其中一个具有朝向另一个突出的突出区域，另外一个具有沿突出区域突出的方向凹入的凹入区域，在盖部和壳部相互盖合的状态下，盖部盖住容纳腔，且突出区域和凹入区域以环绕喷淋电极的外周的方式相互对接。本发明专利技术的屏蔽结构能够抑制在其间隙中产生打火现象。能够抑制在其间隙中产生打火现象。能够抑制在其间隙中产生打火现象。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备


[0001]本专利技术涉及等离子体
，尤其涉及屏蔽结构、喷淋头以及等离子体设备。

技术介绍

[0002]在微电子器件(诸如半导体器件)的制造中，有使用例如等离子体原子层沉积(PEALD)技术。在PEALD设备中，通过等离子体发生器产生大量活性自由基，增强了前驱体的反应活性，从而拓展了ALD对前驱体的选择范围和要求，缩短了反应周期时间，同时降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积。另外，等离子体的引入可以进一步去除薄膜中杂质，可以获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度。
[0003]电容耦合等离子体设备是一种由施加在极板上的射频(或者直流)电流通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体的等离子体设备，由于能够提供较大面积的均匀的等离子体，而被广泛应用。电容耦合等离子体设备的工作气压一般在10Torr甚至1Torr以下。
[0004]此外，由于射频的馈入，需要对电极板进行屏蔽。由于装配的偏差、机械加工的误差等，导致屏蔽结构会出现间隙，而工艺气体会进入到这些间隙中。当腔体内的工作气压上升时，在这些间隙位置可能会产生打火现象(有时也称“寄生等离子体”)。由于打火现象的产生，会导致等离子体的状态不可控制，进而影响等离子体的均匀性。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少一定程度上解决已知问题。为此，本专利技术提出了一种屏蔽结构，能够抑制在其间隙中产生打火现象。此外，本专利技术还提出了具有该屏蔽结构的喷淋头以及等离子体设备。
[0006]根据本专利技术第一方面的屏蔽结构，对喷淋电极进行屏蔽，包括：
[0007]壳部，所述壳部形成有用于容纳所述喷淋电极的容纳腔，所述容纳腔的底部开设有避让槽，在所述喷淋电极被容纳在所述容纳腔的状态下，所述喷淋电极的喷淋孔从所述避让槽露出；
[0008]盖部，盖住所述容纳腔，和所述壳部一起包裹所述喷淋电极并对所述喷淋电极进行屏蔽；
[0009]所述壳部和所述盖部当中，其中一个具有朝向另一个突出的突出区域，另外一个具有沿所述突出区域突出的方向凹入的凹入区域，在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述盖部盖住所述容纳腔，且所述突出区域和所述凹入区域以环绕所述喷淋电极的外周的方式相互对接。
[0010]根据本专利技术第一方面的屏蔽结构，具有如下有益效果：能够抑制在其间隙中产生打火现象。
[0011]在一些实施方式中，所述壳部具有环绕所述容纳腔的壁部，所述壁部具有所述凹入区域，所述凹入区域包括第一槽部，所述第一槽部形成在所述壁部的与所述容纳腔相邻的一侧，并整体环绕所述容纳腔；所述盖部具有所述突出区域，所述突出区域包括第一突出
部，所述第一突出部在所述盖部的与所述壳部相对的表面的中部突出；在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述第一突出部嵌入所述第一槽部中。
[0012]在一些实施方式中，所述凹入区域包括第二槽部，所述第二槽部形成在所述壁部中的短边壁的一侧，沿所述壳部的宽度方向延伸，并且，所述第二槽部与所述第一槽部隔开；所述突出区域包括第二突出部，所述第二突出部形成在所述盖部的短边的一侧，并沿所述盖部的宽度方向延伸，并且，所述第二突出部和所述第一突出部隔开；在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述第二突出部嵌入所述第二槽部中。
[0013]在一些实施方式中，所述壳部包括多个第一屏蔽件，多个所述第一屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向拼接；所述盖部包括多个第二屏蔽件，多个所述第二屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向拼接；多个所述第一屏蔽件相互拼接的位置，和多个所述第二屏蔽件相互拼接的位置，沿所述喷淋电极的长度方向错开。
[0014]在一些实施方式中，所述壳部包括多个第一屏蔽件，多个所述第一屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向拼接；相互拼接的两个所述第一屏蔽件当中，其中一个具有沿其相互拼接的方向突出的第三突出部，另外一个具有沿所述第三突出部的突出方向延伸的第三槽部，所述第三突出部嵌入所述第三槽部中。
[0015]在一些实施方式中，所述第三突出部嵌入所述第三槽部中的状态下，在所述第三突出部嵌入所述第三槽部的位置，所述突出区域和所述凹入区域相互对接的间隙被遮住。
[0016]在一些实施方式中，所述盖部包括多个第二屏蔽件，多个所述第二屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向直线状地拼接；相互拼接的两个所述第二屏蔽件当中，其中一个具有沿其相互拼接的方向突出的第四突出部，另外一个具有沿所述第四突出部的突出方向延伸的第四槽部，所述第四突出部嵌入所述第四槽部中。
[0017]在一些实施方式中，所述盖部包括多个第二屏蔽件，多个所述第二屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向直线状地拼接；相互拼接的两个所述第二屏蔽件当中，其中一个具有沿其相互拼接的方向突出的两个第四突出部，另外一个具有沿所述第四突出部的突出方向延伸的两个第四槽部，各所述第四突出部分别嵌入与其相对的所述第四槽部中；两个所述第四突出部分别设置在与其对应的所述第二屏蔽件的宽度方向的两侧；两个所述第四槽部分别设置在与其对应的所述第二屏蔽件的宽度方向的两侧。
[0018]根据本专利技术第二方面的喷淋头，包括喷淋电极，还包括上述任一项的屏蔽结构，所述喷淋电极被所述屏蔽结构屏蔽。
[0019]根据本专利技术第二方面的屏蔽结构，具有如下有益效果：能够抑制在其屏蔽结构的间隙中产生打火现象。
[0020]根据本专利技术第三方面的等离子体设备，包括所述的喷淋头。
[0021]根据本专利技术第三方面的等离子设备，具有如下有益效果：能够抑制在其喷淋头的屏蔽结构的间隙中产生打火现象，提高等离子体的均匀性。
附图说明
[0022]图1是具有本专利技术的屏蔽结构的喷淋头的一种实施方式的示意图。
[0023]图2是图1的喷淋头的从俯视方向观察的爆炸图。
[0024]图3是图1的喷淋头的从仰视方向观察的爆炸图。
[0025]图4是沿图1中的A
‑
A处剖开壳部和盖部的剖视示意图。
[0026]图5是沿图1中的B
‑
B处剖开壳部和盖部的剖视示意图。
[0027]图6是本专利技术的喷淋结构的另一种实施方式的示意图。
[0028]图7是图6的壳部的要部的从后视方向观察的爆炸图。
[0029]图8是图6的壳部的要部的从前视方向观察的爆炸图。
[0030]图9是图6的盖部的要部的从前视方向观察的爆炸图。
[0031]图10是图6的盖部的要部的从后视方向观察的爆炸图。
具体实施方式
[0032]下面详细描述本实施方式的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实施方式，而不能理解为对本实施方式的限制。
[0033]在本实施方式的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.屏蔽结构，对喷淋电极进行屏蔽，其特征在于，包括：壳部，所述壳部形成有用于容纳所述喷淋电极的容纳腔，所述容纳腔的底部开设有避让槽，在所述喷淋电极被容纳在所述容纳腔的状态下，所述喷淋电极的喷淋孔从所述避让槽露出；盖部，盖住所述容纳腔，和所述壳部一起包裹所述喷淋电极并对所述喷淋电极进行屏蔽；所述壳部和所述盖部当中，其中一个具有朝向另一个突出的突出区域，另外一个具有沿所述突出区域突出的方向凹入的凹入区域，在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述盖部盖住所述容纳腔，且所述突出区域和所述凹入区域以环绕所述喷淋电极的外周的方式相互对接。2.根据权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述壳部具有环绕所述容纳腔的壁部，所述壁部具有所述凹入区域，所述凹入区域包括第一槽部，所述第一槽部形成在所述壁部的与所述容纳腔相邻的一侧，并整体环绕所述容纳腔；所述盖部具有所述突出区域，所述突出区域包括第一突出部，所述第一突出部在所述盖部的与所述壳部相对的表面的中部突出；在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述第一突出部嵌入所述第一槽部中。3.根据权利要求2所述的屏蔽结构，其特征在于，所述凹入区域包括第二槽部，所述第二槽部形成在所述壁部中的短边壁的一侧，沿所述壳部的宽度方向延伸，并且，所述第二槽部与所述第一槽部隔开；所述突出区域包括第二突出部，所述第二突出部形成在所述盖部的短边的一侧，并沿所述盖部的宽度方向延伸，并且，所述第二突出部和所述第一突出部隔开；在所述盖部和所述壳部相互盖合的状态下，所述第二突出部嵌入所述第二槽部中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的屏蔽结构，其特征在于，所述壳部包括多个第一屏蔽件，多个所述第一屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向拼接；所述盖部包括多个第二屏蔽件，多个所述第二屏蔽件沿所述喷淋电极的长度方向拼接；多个所述第一屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市原速光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：