半导体器件的制作方法与半导体器件技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法与半导体器件，该方法包括提供基底，基底包括衬底、有源区、栅极结构、电流泄放结构、阻挡层以及介质层；刻蚀去除介质层，以在介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，第三接触孔使电流泄放结构裸露，第一预备孔在衬底上的投影与栅极结构重叠，第二预备孔在衬底上的投影与有源区重叠；在第三接触孔中填充保护材料，并继续刻蚀，形成第三预备孔与第四预备孔，第三预备孔使栅极结构上的阻挡层裸露，第四预备孔使有源区上的阻挡层裸露；去除裸露的阻挡层，得到使栅极结构裸露的第一接触孔与使有源区裸露的第二接触孔；去除保护材料。本申请解决了刻蚀形成不同深度的接触孔的过程损伤栅极的问题。伤栅极的问题。伤栅极的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法与半导体器件


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法与半导体器件。

技术介绍

[0002]在现有技术中，连接前段器件和后段金属过程中形成的接触孔具有不同的深度，蚀刻过程中最先接触电流泄放结构中的刻蚀停止层，之后是栅极，最后接触到有源区。为了防止蚀刻停止层在刻蚀过程中被击穿，刻蚀停止层一般具有较大的厚度，这样就产生了材料的消耗。并且，在刻蚀过程中，由于先刻蚀到栅极，在向下刻蚀与有源区对应的接触孔的过程中栅极结构也会有相应的损伤。现有技术中为了防止这种损伤，提供了刻蚀一种接触孔用一张光罩的方法，这无疑增加了成本。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法与半导体器件，以解决现有技术中刻蚀形成不同深度的接触孔的过程损伤栅极的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、有源区、栅极结构、电流泄放结构、阻挡层以及介质层，所述有源区位于所述衬底中，所述栅极结构位于所述衬底上，所述阻挡层至少位于所述有源区的表面上以及所述栅极远离所述衬底的表面上，所述介质层覆盖在所述衬底的裸露表面上以及所述阻挡层的裸露表面上，所述电流泄放结构位于所述介质层中；刻蚀去除部分所述介质层，以在所述介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，所述第三接触孔使所述电流泄放结构的部分表面裸露，所述第一预备孔在衬底上的投影与所述栅极结构部分重叠，所述第二预备孔在衬底上的投影与所述有源区部分重叠；在所述第三接触孔中填充保护材料，并继续刻蚀，形成对应的第三预备孔与第四预备孔，所述第三预备孔使所述栅极结构上的所述阻挡层裸露，所述第四预备孔使所述有源区上的所述阻挡层裸露；去除裸露的所述阻挡层，得到使所述栅极结构裸露的第一接触孔与使所述有源区裸露的第二接触孔；去除所述保护材料，使得所述第三接触孔裸露。
[0006]可选地，刻蚀去除部分所述介质层，以在所述介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，包括：在所述基底上形成图形化的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜去除部分所述介质层，以使得所述电流泄放结构裸露，形成所述第一预备孔、所述第二预备孔与所述第三接触孔；去除所述第一掩膜结构。
[0007]可选地，在所述第三接触孔中填充保护材料，包括：在形成有所述第一预备孔、所述第二预备孔和所述第三接触孔的所述基底上填充预备保护材料，所述预备保护材料填满
所述第一预备孔、所述第二预备孔和所述第三接触孔；在所述预备保护材料远离所述介质层的一侧上形成图形化的第二掩膜结构；以所述第二掩膜结构为掩膜，去除所述第一预备孔中、所述第二预备孔中和部分所述介质层上的所述预备保护材料，剩余的所述预备保护材料形成所述保护材料；去除所述第二掩膜结构。
[0008]可选地，所述预备保护材料为光刻胶，以所述第二掩膜结构为掩膜，去除所述第一预备孔中、所述第二预备孔中和部分所述介质层上的所述预备保护材料，包括：以所述第二掩膜结构为掩膜，对所述预备保护材料进行曝光显影，得到所述保护材料。
[0009]可选地，提供基底，包括：形成预备基底，所述预备基底包括所述衬底、所述有源区、所述栅极结构、所述阻挡层、所述电流泄放结构以及第一子介质层，其中，所述电流泄放结构位于所述第一子介质层中；在所述第一子介质层远离所述衬底的表面上形成第二子介质层，所述第一子介质层与所述第二子介质层构成所述介质层。
[0010]可选地，继续刻蚀，形成对应的第三预备孔与第四预备孔，包括：以所述第二子介质层为掩膜，刻蚀去除部分所述第一子介质层，同时刻蚀去除部分所述保护材料以及部分的所述第二子介质层，使得所述阻挡层裸露，刻蚀后的所述第一预备孔形成所述第三预备孔，刻蚀后的所述第二预备孔形成所述第四预备孔，所述方法还包括：去除剩余的所述第二子介质层。
[0011]可选地，所述第二接触孔包括使所述有源区的源端裸露的第一子接触孔以及使所述有源区的漏端裸露的第二子接触孔。
[0012]可选地，在去除所述保护材料，使得所述第三接触孔裸露之后，所述方法还包括：在所述第一接触孔、所述第一子接触孔、所述第二子接触孔以及所述第三接触孔中分别填充导电材料，填充后的所述第一接触孔形成第一导电部，填充后的所述第一子接触孔形成第二导电部，填充后的所述第二子接触孔形成第三导电部，填充后的所述第三接触孔形成第四导电部。
[0013]可选地，在所述基底上形成图形化的第一掩膜结构，包括：在所述基底上依次叠置第一子掩膜结构、第二子掩膜结构和图案化的光刻胶层，得到所述第一掩膜结构。
[0014]根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件为任意一种所述的半导体器件的制作方法制作得到的。
[0015]本申请达到了如下意想不到的有益效果：应用本申请的技术方案，通过提供基底，所述基底包括衬底、有源区、栅极结构、电流泄放结构、阻挡层以及介质层；刻蚀去除部分所述介质层，以在所述介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔；在所述第三接触孔中填充保护材料，并继续刻蚀，形成对应的第三预备孔与第四预备孔；去除裸露的所述阻挡层，得到使所述栅极结构裸露的第一接触孔与使所述有源区裸露的第二接触孔；去除所述保护材料，使得所述第三接触孔裸露；阻挡层的存在使得沿着第一预备孔和第二预备孔继续刻蚀介质层时会停在阻挡层处，不会因过刻损伤栅极，从而防止了刻蚀过程中对栅极结构的消耗，保证了栅极结构的完整性，进而保证了整个半导体器件的性能较好。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0017]图1示出了根据本申请的实施例的半导体器件的制作方法流程示意图；
[0018]图2至图7分别示出了根据本申请的实施例的半导体器件的制作方法在各工艺步骤之后得到的结构示意图；
[0019]图8示出了根据本申请的实施例得到的半导体器件的结构示意图。
[0020]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0021]10、衬底；11、有源区；111、源端；112、漏端；12、栅极结构；13、介质层；131、第一子介质层；132、第二子介质层；133、电流泄放结构；14、阻挡层；20、第一掩膜结构；21、第一子掩膜结构；22、第二子掩膜结构；23、光刻胶层；24、预备保护材料；25、保护材料；30、第三接触孔；31、第一接触孔；311、第一预备孔；312、第三预备孔；32、第二接触孔；321、第二预备孔；322、第四预备孔；41、第一导电部；42、第二导电部；43、第三导电部；44、第四导电部。
具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、有源区、栅极结构、电流泄放结构、阻挡层以及介质层，所述有源区位于所述衬底中，所述栅极结构位于所述衬底上，所述阻挡层至少位于所述有源区的表面上以及所述栅极结构远离所述衬底的表面上，所述介质层覆盖在所述衬底的裸露表面上以及所述阻挡层的裸露表面上，所述电流泄放结构位于所述介质层中；刻蚀去除部分所述介质层，以在所述介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，所述第三接触孔使所述电流泄放结构的部分表面裸露，所述第一预备孔在衬底上的投影与所述栅极结构部分重叠，所述第二预备孔在衬底上的投影与所述有源区部分重叠；在所述第三接触孔中填充保护材料，并继续刻蚀，形成对应的第三预备孔与第四预备孔，所述第三预备孔使所述栅极结构上的所述阻挡层裸露，所述第四预备孔使所述有源区上的所述阻挡层裸露；去除裸露的所述阻挡层，得到使所述栅极结构裸露的第一接触孔与使所述有源区裸露的第二接触孔；去除所述保护材料，使得所述第三接触孔裸露。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述介质层，以在所述介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，包括：在所述基底上形成图形化的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜去除部分所述介质层，以使得所述电流泄放结构裸露，形成所述第一预备孔、所述第二预备孔与所述第三接触孔；去除所述第一掩膜结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第三接触孔中填充保护材料，包括：在形成有所述第一预备孔、所述第二预备孔和所述第三接触孔的所述基底上填充预备保护材料，所述预备保护材料填满所述第一预备孔、所述第二预备孔和所述第三接触孔；在所述预备保护材料远离所述介质层的一侧上形成图形化的第二掩膜结构；以所述第二掩膜结构为掩膜，去除所述第一预备孔中、所述第二预备孔中和部分所述介质层上的所述预备保护材料，剩余的所述预备保护材料形成所述保护材料；去除所述第二掩膜结构。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述预备保护材料为光刻胶，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌根，林成芝，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：