样品结构界面点的测定方法技术

本发明专利技术涉及材料检测及分析技术领域，特别涉及一种样品结构界面点的测定方法，通过结合起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻，将当前数据中的两个第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析并得到界面点的方式进行界面点的测定实现了对样品结构的界面点进行测定的目的，并不需要一味的提高采集数据的精确度，也不需要增加数据采集的频率，进而也就解决了相关技术中存在的影响结果差异的主要原因在于界面临界点附近区域采集的数据过于粗糙，数据精确度差；但一味的为提高精确度而增加数据采集频率又会导致XPS仪器机时和测试费用的浪费的技术问题。仪器机时和测试费用的浪费的技术问题。仪器机时和测试费用的浪费的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
样品结构界面点的测定方法


[0001]本专利技术涉及材料检测及分析
，特别涉及一种样品结构界面点的测定方法。

技术介绍

[0002]XPS常规点分析联合深度剖析技术因具有可获得结构样品层结构、界面结构以及各层的元素成分及其化学态信息的技术优势，被广泛应用于纳米尺度结构样品的结构分析。界面截止点通常为两相邻层主元素含量交叉点，实际XPS刻蚀测试过程中测试实验设置是影响数据结果（界面截止点位置）的重要参数，然而在实际测试和数据分析过程中却被忽略。影响结果差异的主要原因在于界面临界点附近区域采集的数据过于粗糙，数据精确度差；但一味的为提高精确度而增加数据采集频率又会导致XPS仪器机时和测试费用的浪费。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种样品结构界面点的测定方法，旨在解决相关技术中存在的影响结果差异的主要原因在于界面临界点附近区域采集的数据过于粗糙，数据精确度差；但一味的为提高精确度而增加数据采集频率又会导致XPS仪器机时和测试费用的浪费的技术问题。
[0004]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提出的一种样品结构界面点的测定方法，所述样品结构包括由上至下依次层叠设置的两层待测样品层，且两层所述待测样品层的标准元素不同，两层所述待测样品层之间均能形成界面区域，所述界面点位于所述界面区域内；所述样品结构界面点的测定方法包括如下步骤：利用第一刻蚀参数对所述样品结构进行刻蚀，采集并获取目标数据；其中，所述目标数据包括各所述样品层所对应的标准元素以及各所述标准元素所对应的第一高分辨窄扫谱图，所述第一刻蚀参数包括第一刻蚀时长、第一刻蚀速度以及第一刻蚀间隔时长；分析所述目标数据，以获取所述界面区域的起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻；利用第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构，并对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成当前数据；其中，所述当前数据包括各所述待测样品层所对应的所述标准元素的第二高分辨窄扫谱图，所述第二刻蚀参数包括第二刻蚀时长、第二刻蚀速度以及第二刻蚀间隔时长；结合所述起始刻蚀时刻和所述截止刻蚀时刻，将所述当前数据中的两个所述第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析，得到所述界面点。
[0005]可选地，所述利用第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构，并对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成当前数据的步骤，包括：利用所述第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构；优化再次刻蚀时的数据采集参数，形成当前采集参数；其中，所述当前采集参数包括采集所述标准元素时的通能以及主峰峰位；
利用所述当前采集参数对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成所述当前数据。
[0006]可选地，所述优化再次刻蚀时的数据采集参数，形成当前采集参数的步骤，包括：增大采集所述标准元素的所述通能，并调整采集的所述标准元素的所述主峰峰位，以优化再次刻蚀时的所述数据采集参数，形成所述当前采集参数。
[0007]可选地，所述通能增大至M，其中，30eV≤M≤100eV。
[0008]可选地，所述第一高分辨窄扫谱图具有标准谱峰峰位，所述标准谱峰峰位为A，所述主峰峰位为B，其中，所述B=A
±
a，a≥6eV。
[0009]可选地，在所述利用所述第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构的步骤之前，还包括：根据所述目标数据，调整所述第一刻蚀间隔时长、所述第一刻蚀时长以及所述第一刻蚀速度以优化所述第一刻蚀参数，得到所述第二刻蚀参数。
[0010]可选地，所述利用所述当前采集参数对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成所述当前数据的步骤，包括：利用所述当前采集参数按照预设间隔时长对两层所述样品层均进行至少三次数据采集，且对所述界面区域进行至少五次数据采集，形成所述当前数据。
[0011]可选地，所述界面区域包括至少两层界面层，至少两层所述界面层由上至下依次堆叠，所述界面点能形成于任一所述界面层；所述利用所述当前采集参数按照预设间隔时长对两层所述样品层均进行至少三次数据采集，且对所述界面区域进行至少五次数据采集，形成所述当前数据的步骤，包括：按照由上至下的顺序，将两层所述待测样品层依次作为第一刻蚀区域以及第二刻蚀区域；利用所述第二刻蚀参数对所述第一刻蚀区域进行逐层刻蚀并进行至少三次数据采集，形成第一数据组；其中，所述第一数据组包括第一当前刻蚀时长；利用所述第二刻蚀参数对所述界面区域进行逐层刻蚀并进行至少五次数据采集，形成第二数据组；其中，所述第二数据组包括所述界面点所在的所述界面层以及与其相邻的所述界面层所对应的第二当前刻蚀时长；利用所述第二刻蚀参数对所述第二刻蚀区域进行逐层刻蚀并进行至少三次数据采集，形成第三数据组；其中，所述第三数据组包括第三当前刻蚀时长；将所述第一数据组、所述第二数据组以及所述第三数据组进行组合，形成所述当前数据。
[0012]可选地，所述第一当前刻蚀时长以及所述第三当前刻蚀时长均为C，所述第二当前刻蚀时长为D，D≤0.1C且D≤20s。
[0013]可选地，所述结合所述起始刻蚀时刻和所述截止刻蚀时刻，将所述当前数据中的两个所述第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析，得到所述界面点的步骤，包括：结合所述起始刻蚀时刻和所述截止刻蚀时刻，将所述当前数据中的两个所述第二高分辨窄扫谱图进行整合，形成当前谱图；其中，所述当前谱图包括两层所述待测样品层所对应的所述标准元素的含量；分析所述当前谱图，以确定各所述标准元素所对应的所述待测样品层的精确结
构，得到所述界面点。
[0014]本专利技术技术方案通过利用第一刻蚀参数对样品结构进行刻蚀，采集并获取目标数据，然后分析目标数据，以获取界面区域的起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻，再利用第二刻蚀参数再次刻蚀样品结构，并对界面区域以及两层待测样品层均进行多次数据采集，形成当前数据，最后结合起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻，将当前数据中的两个第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析并得到界面点，使得本专利技术通过结合起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻，将当前数据中的两个第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析并得到界面点的方式进行界面点的测定实现了对样品结构的界面点进行测定的目的，并不需要一味的提高采集数据的精确度，也不需要增加数据采集的频率，进而也就解决了相关技术中存在的影响结果差异的主要原因在于界面临界点附近区域采集的数据过于粗糙，数据精确度差；但一味的为提高精确度而增加数据采集频率又会导致XPS仪器机时和测试费用的浪费的技术问题。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术一实施例样品结构界面点的测定方法的流程图；图2为图1示例的步骤S300的细化流程图；图3为图2示例的步骤S330的细化流程图；图4为图1示例的步骤S400本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种样品结构界面点的测定方法，其特征在于，所述样品结构包括由上至下依次层叠设置的两层待测样品层，且两层所述待测样品层的标准元素不同，两层所述待测样品层之间均能形成界面区域，所述界面点位于所述界面区域内；所述样品结构界面点的测定方法包括如下步骤：利用第一刻蚀参数对所述样品结构进行刻蚀，采集并获取目标数据；其中，所述目标数据包括各所述样品层所对应的标准元素以及各所述标准元素所对应的第一高分辨窄扫谱图，所述第一刻蚀参数包括第一刻蚀时长、第一刻蚀速度以及第一刻蚀间隔时长；分析所述目标数据，以获取所述界面区域的起始刻蚀时刻和截止刻蚀时刻；利用第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构，并对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成当前数据；其中，所述当前数据包括各所述待测样品层所对应的所述标准元素的第二高分辨窄扫谱图，所述第二刻蚀参数包括第二刻蚀时长、第二刻蚀速度以及第二刻蚀间隔时长；结合所述起始刻蚀时刻和所述截止刻蚀时刻，将所述当前数据中的两个所述第二高分辨窄扫谱图进行整合、分析，得到所述界面点。2.如权利要求1所述的样品结构界面点的测定方法，其特征在于，所述利用第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构，并对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成当前数据的步骤，包括：利用所述第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构；优化再次刻蚀时的数据采集参数，形成当前采集参数；其中，所述当前采集参数包括采集所述标准元素时的通能以及主峰峰位；利用所述当前采集参数对所述界面区域以及两层所述待测样品层均进行多次数据采集，形成所述当前数据。3.如权利要求2所述的样品结构界面点的测定方法，其特征在于，所述优化再次刻蚀时的数据采集参数，形成当前采集参数的步骤，包括：增大采集所述标准元素的所述通能，并调整采集的所述标准元素的所述主峰峰位，以优化再次刻蚀时的所述数据采集参数，形成所述当前采集参数。4.如权利要求3所述的样品结构界面点的测定方法，其特征在于，所述通能增大至M，其中，30eV≤M≤100eV。5.如权利要求3所述的样品结构界面点的测定方法，其特征在于，所述第一高分辨窄扫谱图具有标准谱峰峰位，所述标准谱峰峰位为A，所述主峰峰位为B，其中，所述B=A
±
a，a≥6eV。6.如权利要求2所述的样品结构界面点的测定方法，其特征在于，在所述利用所述第二刻蚀参数再次刻蚀所述样品结构的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：范燕，谭军，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：