一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。本发明专利技术成功实现了对半导体晶片表面上肉眼不可见的手指印的检测，且本发明专利技术的技术方案简单且易实施，成本低，非常有利于在生产中推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的 半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方 法。
技术介绍
半导体晶片在生产过程中会由于各种原因，如人为因素的触摸，造成半导 体晶片表面会被污染，手指印就是其中的一种，由于表面被手指印污染的半导 体晶片无法用人工肉眼看到，所以许多表面被手指印污染的半导体晶片被当作 正常半导体晶片来进行下一步的电池片制作。由于如果半导体晶片表面上有手 指印被做成电池片，会影响电池片的质量。目前国外已有一些技术用来检测表面被手指印污染的半导体晶片，如美国专利US20040152250，提出采用非振动接触电压差传感器来检测被手指印污染 的晶片，但是由于采用该种技术方案的效率低，且成本高，不利于在生产中推 广使用。US20040152250的摘要中记载的主要内容为这个方法及系统包括，提供 了一种物质，比如一种半导体晶片，采用一种非振动接触电压差传感器来对半 导体晶片进行扫描，产生接触电压差数据以及经过对这个数据进行处理来判断 晶片表面上的缺陷或污染物的类别和特征，比如人的手指印。US20040152250的第1条权利要求记载的主要内容为 一种用于检测一种 材料表面的缺陷或污染物的方法，包括提供了一种物质，比如一种半导体晶片， 采用一种非振动接触电压差传感器来对晶片进行扫描，通过传感器得到产生的 接触电压差数据，并经过对这个非振动接触电压差数据进行处理后，自动检测 出晶片表面上的缺陷或污染物的图像和特征。US20040152250的第5条权利要求记载的主要内容为 一种用于检测一种 材料表面的缺陷或污染物的方法，所述的图像种类可以是从被金属污染的晶片 图像，被酒精污染的晶片图像，被真空精选损伤的晶片图像，被乳胶污染的晶 片图像，被人的手指印污染的晶片图像，被机械损伤的晶片图像中的任意一种。 也有采用质谱方法来检测以及分析被手指印污染的晶片的报道。 目前的现有技术均是采用一些昂贵的设备仪器来检测以及分析被手指印 污染的晶片，使用也不方便，这些方法的工作效率较低，而且设备投入成本高，不利于在生产中推广使用。所以找到一种合适的，高效的，低成本的检测方法来检测表面被手指印污染的半导体晶片对于整个半导体领域或光伏领域是非常有意义的。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是采用简单地蒸汽处理手段用来检测半导体晶片 表面上肉眼不可见的手指印的方法。 本专利技术的技术方案为，其中采用蒸汽来 检测半导体晶片表面被手指印污染的半导体晶片的手指印。，其中将蒸汽喷至 半导体晶片表面，被手指印污染的半导体晶片表面与未被手指印污染的半导体 晶片表面显示出不同的印记，通过目测或机器识别半导体晶片表面的印记。，其中所述的蒸汽 的成分可以是水。，其中所述的蒸汽 的成分可以是任何一种水溶液。，其中所述的蒸汽 的温度大于或等于60°C。，其中所述的蒸汽 的压力为1 bar-100 bar。，其中所述的蒸汽 的流量为1-100克/分钟。，其中所述的蒸汽 是采用任何一种蒸汽发生装置释放的。，其中所述的半导 体晶片可以是硅晶片。<table>table see original document page 4</column></row><table><table>table see original document page 5</column></row><table>本专利技术的工作原理由于半导体晶片表面结构基本一致，其表面上的肉眼 不可见的手指印作为污染物会影响半导体晶片的表面结构，不同的表面结构对 蒸汽的吸附性不同从而使半导体晶片原本肉眼不可见的手指印的轮廓呈现出 来，从而实现对半导体晶片的手指印的检测。本专利技术的优点本专利技术成功实现了对半导体晶片表面上肉眼不可见的手指 印的检测。蒸汽的产生是非常简单的，而且只要将蒸汽喷至半导体晶片表面就 能立即显示出印记的差异，这与利用非振动接触电压差，质谱等来检测被手指 印污染的晶片的复杂方法相比，本专利技术的技术方案简单且易实施，成本低，非 常有利于在生产中推广使用。 附图说明附图1是未经过蒸汽处理的被手指印污染的硅晶片表面外观图片示意图； 附图2是经过蒸汽处理的被手指印污染的硅晶片表面外观图片示意图； 附图标记硅片l，手指印2。 具体实施例方式实施例1、 ，其中采用 蒸汽来检测半导体晶片表面被手指印污染的半导体晶片的手指印。 实施例2、 ，其中采用 蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉 眼辨别出来，完成检测步骤。其余同实施例l。实施例3、 ，其中所述 的蒸汽的成分是水。其余同实施例l、实施例2。实施例4、如权利要求1或2所述的一种用于检测表面被手指印污染的半导体 晶片的方法，其中所述的蒸汽的成分可以是任何一种水溶液。其余同实施例 1、实施例2。实施例5、如权利要求1或2所述的一种用于检测表面被手指印污染的半导体 晶片的方法，其中所述的蒸汽的成分可以是氢氟酸水溶液。其余同实施例1、实施例2。实施例6、 ，其中所述的蒸汽的温度大于或等于6(TC。其余同实施例l、实施例2。实施例7、 ，其中所述的蒸汽的温度为6(TC。其余同实施例l、实施例2。实施例8、 ，其中所述 的蒸汽的温度为70'C。其余同实施例l、实施例2。实施例9、 ，其中所述 的蒸汽的温度为80'C。其余同实施例l、实施例2。实施例IO、 ，其中所述 的蒸汽的温度为90。C。其余同实施例l、实施例2。实施例ll、 ，其中所述 的蒸汽的温度为IOO'C。其余同实施例l、实施例2。实施例12、 ，其中所述 的蒸汽的温度为ll(TC。其余同实施例l、实施例2。实施例13、 ，其中所述 的蒸汽的温度为120°C。其余同实施例l、实施例2。实施例14、 ，其中所述的蒸汽的温度为130°C。其余同实施例l、实施例2。实施例15、 ，其中所述 的蒸汽的温度为140'C。其余同实施例l、实施例2。实施例16、 ，其中所述 的蒸汽的温度为16(TC。其余同实施例l、实施例2。实施例17、 ，其中所述的蒸汽的温度为18(TC。其余同实施例l、实施例2。实施例18、 ，其中所述 的蒸汽的温度为200'C。其余同实施例l、实施例2。实施例19、 ，其中所述 的蒸汽的压力为0.1bar-100bar。其余同实施例1、实施例2。 实施例20、 ，其中所述 的蒸汽的压力为1.1 bar。其余同实施例1、实施例2。实施例21、 ，其中所述 的蒸汽的压力为l,3bar。其余同实施例l、实施例2。实施例22、 ，其中所述 的蒸汽的压力为1.5bar。其余同实施例l、实施例2。实施例23、 ，其中所述 的蒸汽的压力为1.8bar。其余同实施例l、实施例2。实施例24、 ，其中所述的蒸汽的压力为1 bar。其余同实施例1、实施例2。实施例25、 ，其中所述 的蒸汽的压力为2bar。其余同实施例l、实施例2。实施例26、 ，其中所述 的蒸汽的压力为3bar。其余同实施例l、实施例2。实施例27、 ，其中所述 的蒸汽的压力为5bar。其余同实施例l、实施例2。实施例28、 ，其中所述 的蒸汽的压力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽来检测半导体晶片表面被手指印污染的半导体晶片的手指印。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建敏，中野研吾，杜嘉斌，宋建平，
申请(专利权)人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]