一种提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法，其是在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。该方法具体包括沉积、焙烧步骤，沉积是指将腐蚀箔浸渍在２０℃～５０℃的有机胺或无机碱的水溶液中一段时间，无机碱或有机胺的含量为０．１％～２ｗｔ％。本发明专利技术可有效提高低压铝电解电容器电极箔的比容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提髙低压铝电解电容器电极箔比容的方法。
技术介绍
铝电解电容器是由阳极引出线连接的阳极铝箔、阴极引出线连接的阴极铝箔，中间由电解纸隔开，经巻绕后浸渍电解液，再经组立，老化分选而成。电极箔比容的大小决定了铝电解电容器体积的尺寸，因此，如何提高电极箔的比容是电极箔生产行业长期以来不断探索的课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法。为解决以上技术问题，本专利技术采取的如下技术方案，其是在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。该方法具体包括沉积、焙烧步骤，沉积是指将腐蚀箔浸渍在2ox: sor的有机胺或无机碱的水溶液中，其中无机碱或有机胺的含量为0.1% 2wt%，一般可通过调整pH值8 ll来控制。有机胺可选用二乙胺、三乙胺、三乙醇胺及卞胺中的一种或多种的混合物；无机碱可选用氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化氨等。沉积优选在30'C 40'C下进行，浸渍时间一般为30~120秒。将腐蚀箔浸渍在溶液中一段时间，在铝箔表面就会形成氢氧化铝晶核，在较低的温度下可以形成一水铝石即水合氢氧化铝膜，该层膜再在300'C以上焙烧即可转换成高介电常数的氧化铝膜。本专利技术进一步包括硝酸前处理步骤在对腐蚀箔进行沉积之前，采用质量百分比浓度为2%~8%的硝酸溶液对腐蚀箔进行处理。硝酸处理的目的是去除前面腐蚀箔表面的热氧化膜，使腐蚀箔表面充分的暴露出来，以利于后面沉积过程中在箔表面产生均匀的、致密的晶核。硝酸处理温度一般在35'C 45'C下进行，视前道腐蚀工序焙烧温度而定，腐蚀工序焙烧温度为300 350'C时，硝酸浓度为3%,处理温度为40'C为好，腐蚀工序焙烧温度为450 500匸时，硝酸浓度为8%，处理温度为45t:为好。3本专利技术所述的焙烧温度优选为300'C 450'C。在沉积步骤之后，焙烧步骤之前，将腐蚀箔置于180'C 250'C下预烘。由于以上技术方案的实施，本专利技术与现有技术相比具有如下优点本专利技术在化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层具有高介电常数的氧化铝膜，大大提高了腐蚀箔的比容。具体实施例方式以下是本专利技术的具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于这些实施例。实施例1把经腐蚀的电极箔(腐蚀焙烧温度为450C)取样物理尺寸为lcmx5cm,用40'C， 4%的硝酸溶液，处理90秒，清洗，然后将腐蚀箔浸渍在温度35'C，pH 9.5的氢氧化铵溶液中，浸渍60秒后，用去离子水清洗，于200C左右预烘20秒，而后再放到350'C下的焙烧炉中焙烧至表面形成一层致密的氧化铝膜。取出腐蚀箔，把腐蚀箔放入化成液(15%的己二酸溶液)中，摄氏85'C时以250mA直流电流升压到20伏，恒压10分钟，取出腐蚀箔，纯水冲洗后放入500'C烘箱焙烧2分钟，取出后放入上述化成液，加上20伏直流电压，恒压2分钟，取出腐蚀箔，测其比容为89.78 uF/cm2。实施例2把经腐蚀的电极箔(腐蚀焙烧温度为450C)取样物理尺寸为lcmx5cm，用40'C， 4%的硝酸溶液，处理90秒，清洗，然后将腐蚀箔浸渍在温度35'C，pH 9.5的二乙胺的水溶液，浸渍60秒后，用去离子水清洗后，于200'C左右预20秒，而后再放到400'C下的焙烧炉中焙烧至表面形成一层致密的氧化铝膜。取出腐蚀箔，把腐蚀箔放入化成液(15。/。的己二酸溶液)中，摄氏85'C时以250mA直流电流升压到20伏，恒压10分钟，取出腐蚀箔，纯水冲洗后放入500'C烘箱焙烧2分钟，取出后放入上述化成液，加上20伏直流电压，恒压2分钟，取出腐蚀箔，测其比容为88.64nF/cm2。对比例把经腐蚀的电极箔(腐蚀焙烧温度为450'C)取样物理尺寸为lcmx5cm,直接放入化成液中，在与实施例相同的工艺条件下进行化成，所得腐蚀箔的比容为74.2uF/cm2。通过实施例1、 2和对比例可知，经本专利技术方法处理，使腐蚀箔的比容提高了 20%以上。以上对本专利技术做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。权利要求1、，其特征在于在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。2、 根据权利要求l所述的方法，其特征在于该方法包括沉积、焙烧步 骤，所述的沉积是指将腐蚀箔浸渍在20'C 50'C的有机胺或无机碱的水溶液 中，其中无机碱或有机胺的含量为0.1% 2wt%,所述的焙烧温度在300'C以 上。3、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于沉积在30'C 40'C下进 行，浸渍时间为30 120秒。4、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的有机碱选自二乙胺、 三乙胺、三乙醇胺及卞胺中的一种或多种的混合物。5、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的无机碱为氢氧化钾、 氢氧化钠及氢氧化氨中的一种或多种的混合物。6、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于在对腐蚀箔进行沉积之前， 采用质量百分比浓度为2% 8%的硝酸溶液对腐蚀箔进行硝酸前处理。7、 根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述的硝酸前处理在35'C 45'C下进行。8、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于沉积步骤之后，焙烧步骤 之前，将腐蚀箔置于180'C 250'C下预烘。9、 根据权利要求2或8所述的方法，其特征在于所述的焙烧在温度 300'C 450'C下进行。全文摘要本专利技术涉及，其是在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。该方法具体包括沉积、焙烧步骤，沉积是指将腐蚀箔浸渍在20℃～50℃的有机胺或无机碱的水溶液中一段时间，无机碱或有机胺的含量为0.1％～2wt％。本专利技术可有效提高低压铝电解电容器电极箔的比容。文档编号H01G9/045GK101651049SQ20091011560公开日2010年2月17日 申请日期2009年6月24日 优先权日2009年6月24日专利技术者徐建华, 郑德良 申请人:吴江飞乐天和电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高低压铝电解电容器电极箔比容的方法，其特征在于：在对腐蚀箔进行化成之前，使腐蚀箔的表面形成一层氧化铝膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建华，郑德良，
申请(专利权)人：吴江飞乐天和电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]