半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环，所公开的压环组件用于压盖位于半导体工艺设备的承载装置上的晶圆，所述压环组件包括压环本体和第一导向部，所述第一导向部环设于所述压环本体的底壁，所述第一导向部凸出于所述底壁，所述底壁具有第一压边，所述第一压边与所述第一导向部连接，且向所述压环本体的中心方向延伸，所述第一导向部的朝向所述第一压边的一侧具有第一导向斜面，所述第一导向斜面用于与所述晶圆的边缘导向配合。上述方案可以解决相关技术中的半导体工艺设备在对晶圆进行工艺时，由于晶圆的中心与晶圆承载装置的中心存在偏差而导致晶圆的工艺均匀性相对较差的问题。匀性相对较差的问题。匀性相对较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环


[0001]本技术涉及半导体工艺设备领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，刻蚀工艺是晶圆工艺过程中的重要环节，而晶圆的刻蚀通常需要在半导体(刻蚀)工艺设备中完成。
[0003]相关技术中，晶圆在半导体工艺设备的反应腔室中进行加工。反应腔室内设置有压环，晶圆在加工的过程中，晶圆的中心需要与晶圆承载装置的中心同心设置，压环压盖在晶圆的边缘，以使晶圆固定于晶圆承载装置。然而，在晶圆放置于晶圆承载装置的过程中，由于误差的存在，晶圆的中心与晶圆承载装置的中心通常会存在偏差，从而在压环压盖在晶圆的边缘后对晶圆进行工艺时，由于晶圆的中心与晶圆承载装置的中心存在偏差，晶圆会存在工艺均匀性较差的问题。

技术实现思路

[0004]本技术公开一种半导体工艺设备及其压环组件、聚焦环，以解决相关技术中的半导体工艺设备在对晶圆进行工艺时，由于晶圆的中心与晶圆承载装置的中心存在偏差而导致晶圆的工艺均匀性相对较差的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请公开一种压环组件，用于压盖位于半导体工艺设备的承载装置上的晶圆，所述压环组件包括压环本体和第一导向部，所述第一导向部环设于所述压环本体的底壁，所述第一导向部凸出于所述底壁，所述底壁具有第一压边，所述第一压边与所述第一导向部连接，且向所述压环本体的中心方向延伸，所述第一导向部的朝向所述第一压边的一侧具有第一导向斜面，所述第一导向斜面用于与所述晶圆的边缘导向配合。
[0007]第二方面，本申请还公开一种聚焦环，用于与第一方面所述的压环组件配合，所述聚焦环包括相邻的第一凸起部和第一凹陷部，在所述环状可拆卸压脚与所述压环本体相连的情况下，所述压环本体盖设于所述第一凹陷部，所述环状可拆卸压脚盖设于所述第一凸起部。
[0008]第三方面，本申请还公开一种半导体工艺设备，包括反应腔室、承载装置和第一方面所述的压环组件和/或第二方面所述的聚焦环，所述承载装置设于所述反应腔室内，所述压环组件用于压盖位于所述承载装置上的所述晶圆。
[0009]本技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0010]本申请实施例公开的压环组件通过将第一导向部环设于压环本体的底壁，且凸出于底壁设置，使得底壁的与第一导向部连接，且向压环本体的中心方向延伸的部分形成第一压边，第一导向部的朝向第一压边的一侧形成第一导向斜面，从而使得在晶圆的中心与承载装置的中心存在偏差时，在压环组件压盖放置于承载装置上的晶圆的过程中，第一导
向斜面会与晶圆的边缘接触并导向配合，以使晶圆的与第一导向斜面接触的边缘移动至与第一压边接触的位置，以使第一压边将晶圆的边缘压紧在承载装置上，从而可以实现在压环组件对晶圆的边缘压盖的过程中对晶圆的位置进行调节，以使晶圆的中心与承载装置的中心同心，从而在在晶圆进行工艺的过程中可以保证晶圆的均匀性，从而可以解决相关技术中的半导体工艺设备在对晶圆进行工艺时，由于晶圆的中心与晶圆承载装置的中心存在偏差而导致晶圆的工艺均匀性相对较差的问题。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例公开的一种压环组件的剖视图；
[0012]图2为本技术实施例公开的另一种压环组件的剖视图；
[0013]图3为本技术实施例公开的一种压环组件压盖晶圆的示意图；
[0014]图4为本技术实施例公开的另一种压环组件压盖晶圆的示意图；
[0015]图5为本技术实施例公开的压环本体和第一导向部的局部放大图；
[0016]图6为本技术实施例公开的可拆卸压脚和第二导向部的局部放大图；
[0017]图7为本技术实施例公开的一种压环组件的立体图；
[0018]图8为本技术实施例公开的另一种压环组件的立体图；
[0019]图9为本技术实施例公开的压力传感器与第一压边的配合示意图；
[0020]图10为本技术实施例公开的压力传感器的结构示意图；
[0021]图11为本技术实施例公开的压环本体开设流体通道的示意图；
[0022]图12为本技术实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0023]附图标记说明：
[0024]110
‑
压环本体、111
‑
第一压边、112
‑
流体通道、
[0025]120
‑
第一导向部、121
‑
第一导向斜面、122
‑
第一弧形面、123
‑
第二导向斜面、
[0026]130
‑
可拆卸压脚、131
‑
第二压边、140
‑
第二导向部、141
‑
第三导向斜面、142
‑
第二弧形面、143
‑
第四导向斜面、150
‑
压力传感器、151
‑
缓冲部、152
‑
压力检测部、153
‑
接线、
[0027]160
‑
升降支撑件、170
‑
流体冷却系统、171
‑
管路、
[0028]200
‑
承载装置、210
‑
第一聚焦环、220
‑
第二聚焦环、
[0029]300
‑
控制器、400
‑
驱动机构、500
‑
反应腔室、700
‑
晶圆。
具体实施方式
[0030]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
[0032]请参考图1至图12，本技术实施例公开一种压环组件，用于压盖位于半导体工艺设备的承载装置200上的晶圆700。需要说明的是，在半导体工艺设备对晶圆700进行工艺(例如刻蚀工艺)时，需要将晶圆700放置于承载装置200上，并通过压环组件压盖在晶圆700
的边缘，以用于对晶圆700固定，以及防止晶圆700在工艺过程中发生翘边等现象。
[0033]压环组件包括压环本体110和第一导向部120，压环本体110可以作为压环组件的基础，以为压环组件的其它部分部件提供安装基础。压环本体110为中空的环状结构件。
[0034]第一导向部120环设于压环本体110的底壁，第一导向部120本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压环组件，用于压盖位于半导体工艺设备的承载装置(200)上的晶圆(700)，其特征在于，所述压环组件包括压环本体(110)和第一导向部(120)，所述第一导向部(120)环设于所述压环本体(110)的底壁，所述第一导向部(120)凸出于所述底壁，所述底壁具有第一压边(111)，所述第一压边(111)与所述第一导向部(120)连接，且向所述压环本体(110)的中心方向延伸，所述第一导向部(120)的朝向所述第一压边(111)的一侧具有第一导向斜面(121)，所述第一导向斜面(121)用于与所述晶圆(700)的边缘导向配合。2.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述第一导向部(120)的顶部为第一弧形面(122)，所述第一弧形面(122)朝向背离所述压环本体(110)的方向凸起。3.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括环状可拆卸压脚(130)，所述环状可拆卸压脚(130)用于与所述压环本体(110)可拆卸相连，所述环状可拆卸压脚(130)具有第二压边(131)，所述第二压边(131)用于压盖所述晶圆(700)的边缘，所述第一压边(111)至所述压环本体(110)的中心具有第一距离，所述第二压边(131)至所述环状可拆卸压脚(130)的中心具有第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。4.根据权利要求3所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括第二导向部(140)，所述第二导向部(140)环设于所述环状可拆卸压脚(130)，所述第二压边(131)与所述第二导向部(140)连接，且向所述环状可拆卸压脚(130)的中心方向延伸，所述第二导向部(140)的朝向所述第二压边(131)的一侧具有第三导向斜面(141)，所述第三导向斜面(141)用于与所述晶圆(700)的边缘导向配合。5.根据权利要求4所述的压环组件，其特征在于，所述第二导向部(140)的顶部为第二弧形面(142)，所述第二弧形面(142)朝向背离所述环状可拆卸压脚(130)的方向凸起。6.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括压力传感器(150)和升降支撑件(160)，所述升降支撑件(160...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴欣，王家祥，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：