发光器件、制造发光器件的方法和电子设备技术

本公开提供了发光器件、制造发光器件的方法和包括发光器件的电子设备，发光器件包括：衬底；在衬底上的阴极；面对阴极的阳极；以及在阴极和阳极之间的包括发射层的中间层，其中，发光器件可包括热酸产生剂。发光器件可包括热酸产生剂。发光器件可包括热酸产生剂。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、制造发光器件的方法和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2022年3月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0028961的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]一个或多个实施方案涉及发光器件和包括发光器件的电子设备。

技术介绍

[0004]与相关技术的器件相比，发光器件(例如，有机发光器件)为自发射器件，自发光器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。
[0005]在有机发光器件中，发射层可在阳极和阴极之间，其中，空穴从阳极注入发射层，并且电子从阴极注入发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以生成激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
[0006]在另一实例中，量子点可用作在光学构件和各种电子设备中执行各种光学功能(例如，光转换功能、光发射功能和类似功能)的材料。通过控制纳米晶体的尺寸和成分，为具有量子限制效应的半导体纳米晶体的量子点可具有不同的能带隙，并且因此可发射各种发射波长的光。

技术实现思路

[0007]一个或多个实施方案包括具有低驱动电压和优异发光效率的发光器件、制造发光器件的方法和包括发光器件的电子设备。
[0008]附加的方面部分地将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方案而知晓。
[0009]根据一个或多个实施方案，发光器件可包括：
[0010]衬底；
[0011]布置在衬底上的阴极；
[0012]面对阴极的阳极；
[0013]在阴极和阳极之间的包括发射层的中间层；以及
[0014]热酸产生剂。
[0015]根据一个或多个实施方案，制造发光器件的方法可包括：
[0016]在衬底上形成阴极；
[0017]在阴极上形成包括热酸产生剂的电子传输区；
[0018]在电子传输区上形成发射层；并且
[0019]在发射层上形成阳极。
[0020]根据一个或多个实施方案，电子设备可包括发光器件。
附图说明
[0021]通过下面的结合附图的描述，本公开的某些实施方案的以上和其他的方面、特征和优势将更显而易见，在附图中：
[0022]图1为根据实施方案的发光器件的示意性剖视图；
[0023]图2为根据实施方案的发光设备的示意性剖视图；
[0024]图3为根据实施方案的发光设备的示意性剖视图；
[0025]图4为实施例1和实施例2以及比较例1的发光器件的电压(V)与电流密度(J，mA/cm2)的曲线图。
具体实施方式
[0026]现将更详细地参考其实施例在附图中示出的实施方案，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。在这点上，本公开的实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，以下仅通过参考图来描述实施方案，以解释本描述的各方面。如本文中使用，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的所有、或其变体。
[0027]由于本专利技术构思考虑到各种改变和许多实施方案，因此具体实施方案将在附图中示出并且在书面描述中详细地描述。通过参考附图、参考本专利技术构思的实例实施方案，效果、特征和实现本专利技术构思的方法将明显。然而，本专利技术构思可以许多不同形式实施并且不应被解释为限于本文中阐明的实施方案。
[0028]将理解的是，尽管可在本文中使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分开一个元件和另一元件。
[0029]在本说明书中描述的实施方案中，以单数形式使用的表述包括复数形式的表述，除非在上下文中其具有清楚不同的含义。
[0030]在下面的实施方案中，当各种组件(诸如层、膜、区或板)被描述为在(另一组件)“上”时，这个表述不仅可包括层、膜、区或板“直接”在(另一组件)“上”的情况，而且可包括另一组件可置于其间的情况。此外，为了解释的便利，附图中的组件的尺寸可被夸大。换言之，由于为了解释的便利而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施方案不限于此。
[0031]在本说明书中，将理解的是，诸如“包括(including)”、“具有”和“包括(comprising)”的术语旨在指示说明书中公开的特征或组件的存在，并且不旨在排除一个或多个其他特征或组件可存在或可添加的可能性。例如，除非另有限制，否则诸如“包括”或“具有”的术语可是指仅由说明书中描述的特征或组件组成，或还包括其他组件。
[0032]在本说明书中，“第1族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IA族元素，例如Li、Na、K、Rb和Cs。
[0033]在本说明书中，“第2族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIA族元素，例如Be、Mg、Ca、Sr和Ba。
[0034]在本说明书中，“第3族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIB族元素，例如Sc、Y、La和Ac。
[0035]在本说明书中，“第4族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVB族元素，例如Ti、Zr和Hf。
[0036]在本说明书中，“第5族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VB族元素，例如V、Nb和Ta。
[0037]在本说明书中，“第6族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIB族元素，例如Cr、Mo和W。
[0038]在本说明书中，“第7族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIB族元素，例如Mn、Tc和Re。
[0039]在本说明书中，“第8至10族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIIB族元素，例如Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd和Pt。
[0040]在本说明书中，“第11族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IB族元素，例如Cu、Ag和Au。
[0041]在本说明书中，“第12族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIB族元素，例如Zn、Cd和Hg。
[0042]在本说明书中，“第13族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIA族元素，例如Al、Ga、In和Tl。
[0043]在本说明书中，“第14族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVA族元素，例如Si、Ge、Sn和Pb。
[0044]根据一个或多个实施方案，发光器件可包括：
[0045]衬底；
[0046]布置在衬底上的阴极；
[0047]面对阴极的阳极；
[0048]在阴极和阳极之间的、包括发射层的中间层；以及
[0049]热酸产生剂。
[0050]热酸产生剂可通过参考本文中提供的对热酸产生剂的描述来理解。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的阴极；面对所述阴极的阳极；在所述阴极和所述阳极之间的、包括发射层的中间层；以及热酸产生剂。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述中间层还包括在所述阴极和所述发射层之间的电子传输区以及在所述发射层和所述阳极之间的空穴传输区，所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂包括在所述阴极、所述电子传输区、所述发射层、所述空穴传输区、所述阳极或它们的任何组合中，所述发光器件还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，或它们的任何组合。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电子传输区包括所述热酸产生剂。5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述热酸产生层：在所述阴极和所述电子传输区之间；在所述电子传输区和所述发射层之间；在所述发射层和所述空穴传输区之间；在所述空穴传输区和所述阳极之间；或它们的任何组合。6.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述电子传输区包括电子传输层和电子注入层，并且所述电子传输层包括金属氧化物。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物包括由式1表示的化合物：式1M
x
O
y
其中，在式1中，M为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，并且x和y各自独立地为1至5的整数。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，M包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Si、Mg、Ga或它们的任何组合。9.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物包括由式2表示的化合物：式2M1
α
M2
β
O
y
其中，在式2中，
M1和M2各自独立地为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，M1与M2不同，并且0<α≤2，0<β≤2，并且1<y≤5。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，M1包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al或它们的组合，并且M2包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In或它们的组合。11.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物为含锌氧化物。12.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂包括在所述电子传输层、所述电子注入层或它们的任何组合中，所述电子传输区还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，其中所述热酸产生层与所述电子传输层直接接触；所述电子传输区还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，其中所述热酸产生层与所述电子注入层直接接触；或它们的任何组合。13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂包括含铵离子的化合物、含磺酸基的化合物、或它们的任何组合。14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂为由式1或式2表示的化合物：其中，在式1和式2中，a11为1至5的整数，A
‑
为抗衡离子，R
11
、R
12
和R
21
至R
23
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)或
‑
C(＝O)(Q1)，其中R
12
和R
21
至R
23
不各自为氢，当a11为2或更大时，在a11的数目上的R
11
任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，R
21
至R
23
中的至少两个任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，并且R
10a
为：
氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珠莲，姜鎭求，金世勋，金容辉，金钟勋，朴洺禛，朴俊禹，刘相喜，河在国，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：