识别硅片缺陷的方法和设备、电子设备及存储介质技术

本申请公开了一种识别硅片缺陷的方法和设备、电子设备及存储介质，其中所述方法包括：获得对未清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第一识别结果，其中所述第一识别结果包括在未清洗的硅片中存在的至少一个第一缺陷的位置信息；获得对已清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第二识别结果，其中所述第二识别结果包括在已清洗的硅片中存在的至少一个第二缺陷的位置信息；基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。至少可节约成本。至少可节约成本。至少可节约成本。

【技术实现步骤摘要】
识别硅片缺陷的方法和设备、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种识别硅片缺陷的方法和设备、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]硅片在制造过程中会产生各种类型的缺陷，根据缺陷的来源，可将在制造过程中产生的缺陷主要可以分为晶体原生缺陷(Crystal Originate Pit，COP)、抛光造成的缺陷(Polish Induced Pit，PID)以及颗粒(Particle)等三种类型。其中，颗粒包括环境中的颗粒、机台产生的颗粒等。
[0003]相关技术中，可通过检测(Inspection)机台和扫描电镜(SEM)机台二者相配合方式，和/或通过三种类型的缺陷的散射特性，实现对以上三种类型的缺陷的识别。但是，SEM机台通常比较昂贵，不利于成本的节省。PID和COP的散射特性相近，容易识别不准确。如何在节约成本的情况下，实现对缺陷类型的识别成为了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种识别硅片缺陷的方法和设备、电子设备及存储介质，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本申请的第一方面，提供了一种识别硅片缺陷的方法，包括：
[0006]获得对未清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第一识别结果，其中所述第一识别结果包括在未清洗的硅片中存在的至少一个第一缺陷的位置信息；
[0007]获得对已清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第二识别结果，其中所述第二识别结果包括在已清洗的硅片中存在的至少一个第二缺陷的位置信息；
[0008]基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。
[0009]在一实施方式中，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：
[0010]针对所述至少一个第一缺陷中的任意第一缺陷，
[0011]如果在各第二缺陷中未存在有位置信息与所述任意第一缺陷的位置信息相匹配的第二缺陷，则识别所述任意第一缺陷的类型为第一缺陷类型。
[0012]在一实施方式中，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：
[0013]基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第一缺陷的缺陷属性信息，以及所述至少一个第二缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。
[0014]在一实施方式中，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第一缺陷的缺陷属性信息，以及所述至少一个第二缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷
的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：
[0015]从所述至少一个第一缺陷和所述至少一个第二缺陷中，识别出位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷；
[0016]基于位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。
[0017]在一实施方式中，所述基于位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：
[0018]获得位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息的变化值；
[0019]如果所述变化值相对于第一缺陷的缺陷属性信息发生满足预设第一变化条件的变化，则将位置信息相匹配的第一缺陷和/或第二缺陷的类型识别为第二缺陷类型。
[0020]在一实施方式中，所述基于位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：
[0021]获得位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息的变化值；
[0022]如果所述变化值相对于第一缺陷的缺陷属性信息发生不满足预设第一变化条件的变化，则将位置信息相匹配的第一缺陷和/或第二缺陷的类型识别为第三缺陷类型。
[0023]在一实施方式中，所述方法还包括：
[0024]在所述至少一个第一缺陷和所述至少一个第二缺陷中，将位置信息相同或者位置信息相近的第一缺陷和第二缺陷作为位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷；其中，所述位置信息相近包括位置信息之间的差异在预设差异范围内。
[0025]根据本申请的第二方面，提供了一种识别硅片缺陷的设备，包括：
[0026]第一获得单元，用于获得对未清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第一识别结果，其中所述第一识别结果包括在未清洗的硅片中存在的至少一个第一缺陷的位置信息；
[0027]第二获得单元，用于获得对已清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第二识别结果，其中所述第二识别结果包括在已清洗的硅片中存在的至少一个第二缺陷的位置信息；
[0028]识别单元，用于基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。
[0029]根据本申请的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
[0030]至少一个处理器；以及
[0031]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0032]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本申请所述的方法。
[0033]根据本申请的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使计算机执行本申请所述的方法。
[0034]本申请中，可基于在清洗之前和清洗之后对硅片识别出的缺陷的位置信息，实现对硅片中存在的缺陷类型的识别。与相关技术相比，无需购买SEM机台，可有效节省成本。
[0035]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0036]通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，其中：
[0037]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
[0038]图1示出了本申请实施例中识别硅片缺陷的方法的实现流程示意图；
[0039]图2示出了本申请实施例中位置信息匹配的示意图；
[0040]图3示出了本申请实施例中硅片上三种缺陷类型的示意图；
[0041]图4示出了本申请实施例中硅片上各缺陷类型的位置分布情况示意图；
[0042]图5示出了本申请实施例中识别硅片缺陷的设备的组成结构示意图；
[0043]图6示出了本申请实施例中电子设备的组成结构示意图。
具体实施方式
[0044]为使本申请的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种识别硅片缺陷的方法，其特征在于，包括：获得对未清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第一识别结果，其中所述第一识别结果包括在未清洗的硅片中存在的至少一个第一缺陷的位置信息；获得对已清洗的硅片进行缺陷识别而得到的第二识别结果，其中所述第二识别结果包括在已清洗的硅片中存在的至少一个第二缺陷的位置信息；基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：针对所述至少一个第一缺陷中的任意第一缺陷，如果在各第二缺陷中未存在有位置信息与所述任意第一缺陷的位置信息相匹配的第二缺陷，则识别所述任意第一缺陷的类型为第一缺陷类型。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的位置信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第一缺陷的缺陷属性信息，以及所述至少一个第二缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少一个第一缺陷的位置信息和所述至少一个第一缺陷的缺陷属性信息，以及所述至少一个第二缺陷的位置信息和所述至少一个第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：从所述至少一个第一缺陷和所述至少一个第二缺陷中，识别出位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷；基于位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息，对硅片中存在的缺陷的类型进行识别，包括：获得位置信息相匹配的第一缺陷和第二缺陷的缺陷属性信息的变化值；如...

【专利技术属性】
技术研发人员：许行健，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：