一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法技术

本发明专利技术提供一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法，其属于集成电路设备技术领域，其中腔体结构包括有冷阱腔体，冷阱腔体内设置有冷阱，冷阱腔体与集成电路设备的工艺腔体相连接；工艺腔体上开设有用于抽真空的排气口，冷阱腔体与排气口相互独立；工艺腔体上设有用于控制与冷阱腔体连通或密封分隔的闸阀。本发明专利技术解决了集成电路设备腔体暴露在大气后抽真空时间长的问题，通过冷阱的低温冷凝效应捕集工艺腔体内残余气体，并能够将冷阱与工艺腔体隔绝，从而实现显著缩短抽真空时间，并有助于获得更洁净的真空环境，提升半导体产品的良率。体产品的良率。体产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法


[0001]本专利技术属于集成电路设备
，具体地涉及一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法。

技术介绍

[0002]在集成电路设备中，有一些工艺制程设备需要在高真空度条件下进行，因此在相应设备中具有用于进行工艺的真空腔体。实际使用中，根据工艺的不同，设备需要定期开腔维护，维护时腔体会暴露在大气中、接触空气。维护完成后需要再次抽真空，需要花费较长时间抽真空到本底压力后才能投入生产使用；并且空气中的水蒸气比较容易吸附在腔体内壁上，会进一步降低抽真空效率，以及若腔体中残留有水，将会对工艺效果产生明显的负面影响。对此，现有技术的处理方式是
①
延长抽气时间，或者
②
腔体通热水，在温度高的条件下，吸附在腔体壁面的气体更容易解除吸附，进而被抽吸走，但仍需很长时间。因此目前集成电路设备普遍存在维护后恢复高真空所需时间长、且腔体内易残留水的问题，设备利用率低，影响产能及产品良率。

技术实现思路

[0003]基于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法，解决集成电路设备腔体暴露在大气后抽真空时间长的问题，实现缩短抽真空的时间，并获得洁净的真空环境，减少真空腔体内的残余气体，从而提升半导体产品的良率。
[0004]依据本专利技术的技术方案，本专利技术提供了一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，包括有冷阱腔体，冷阱腔体内设置有冷阱，冷阱腔体与集成电路设备的工艺腔体相连接；工艺腔体上开设有用于抽真空的排气口，冷阱腔体与排气口相互独立；工艺腔体上设有用于控制与冷阱腔体连通或密封分隔的闸阀；闸阀设置于冷阱腔体与工艺腔体之间，冷阱腔体与闸阀之间通过真空卡箍可拆卸地连接；冷阱连接有用于控制其移动伸入工艺腔体以及移动回到冷阱腔体的升降装置，冷阱腔体在与工艺腔体相对的一侧面的外侧密封连接并连通有波纹管，波纹管的另一端密封连接有波纹管底板。
[0005]优选地，冷阱腔体的形状与冷阱相匹配。
[0006]优选地，冷阱腔体与排气口相邻。
[0007]进一步地，冷阱连接有硬质的内部冷凝剂管，内部冷凝剂管穿入设置于波纹管内；内部冷凝剂管的另一端密封地穿出波纹管底板并连接有外部冷凝剂管，外部冷凝剂管与冷凝剂输送设备相连接；波纹管底板连接有升降驱动机构。
[0008]进一步地，升降驱动机构包括有导轨，导轨、波纹管及内部冷凝剂管的长度方向相同，均与冷阱至工艺腔体的连线方向平行；导轨上滑动连接有滑块，滑块与波纹管底板相连接；滑块连接有用于控制其移动的电机。
[0009]进一步地，导轨位于波纹管外侧，导轨的一端与冷阱腔体的外侧相连接；滑块通过
L形板与波纹管底板相连接。
[0010]本专利技术还提供一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的方法，采用本专利技术的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体进行实施，其包括如下步骤：对工艺腔体进行抽真空，随着抽真空的进行，抽气速度会随着压力的降低而变慢，当压力或抽气速度降低至设定值时，通过冷阱捕集残余气体；待压力降低至目标压力值后，关闭闸阀，使冷阱及其捕集到的气体被隔绝在工艺腔体之外的冷阱腔体内。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果如下：1、本专利技术的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法在工艺腔体上独立地设置有冷阱腔体，冷阱通过低温冷凝效应捕集残余气体，并可在真空度达到要求后关闭闸阀，使冷阱捕集到的残余气体被隔绝在工艺腔体之外，从而显著缩短设备开腔维护后恢复高真空的时间，并能够更进一步地避免水及其他气体的残留，获得更高洁净度的真空环境，从而提升工艺效果、提升半导体产品的良率。
[0012]2、本专利技术的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法在工艺腔体通过冷凝的方式帮助排除残余气体，设备高真空环境中通常都存在一定的残余气体，大部分是水蒸气，传统设计只靠延长抽气时间或通热水加热腔体的方式来获得高真空环境，效率较低，经测试采用本专利技术可缩短60%
‑
90%的抽气时间，大幅提高设备维护及工作效率。
[0013]3、本专利技术的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法将冷阱腔体独立设置，进一步优选采用可拆卸连接结构，从而在抽真空结束后可将冷阱腔体卸下，进一步保证工艺腔体中的洁净度，并且可将该冷阱腔体再安装于其它设备进行快速抽真空工作，使用灵活，具有极高的实用价值。
[0014]4、本专利技术的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法优选将冷阱设置为可升降移动，从而能够将冷阱伸入工艺腔体，之后再收回冷阱腔体，进一步保证冷凝捕集气体的效率及效果。
附图说明
[0015]图1是本专利技术一实施例的结构示意图。
[0016]图2是本专利技术另一实施例的结构示意图。
[0017]图3是本专利技术一优选实施例的结构示意图。
[0018]图4是图3所示结构中闸阀的结构示意图。
[0019]图5是图3所示结构中真空卡箍的结构示意图。
[0020]图6是图3所示结构中冷阱腔室、冷阱及其升降装置部分的结构示意图。
[0021]附图中的附图标记说明：1、冷阱腔体；2、冷阱；3、工艺腔体；4、排气口；5、闸阀；6、真空卡箍；7、波纹管；
8、波纹管底板；9、内部冷凝剂管；10、外部冷凝剂管；11、导轨；12、滑块；13、电机；14、L形板；15、阀板；16、阀盒；17、闸阀连接段；18、阀板控制器；19、连接凸缘。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0024]需要注意，本专利技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0025]需要注意，本专利技术中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
[0026]本专利技术涉及一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法，属于集成电路设备
，其中腔体结构包括有冷阱腔体，冷阱腔体内设置有冷阱，冷阱腔体与集成电路设备的工艺腔体相连接；工艺腔体上开设有用于抽真空的排气口，冷阱腔体与排气口相互独立；工艺腔体上设有用于控制与冷阱腔体连通或密封分隔的闸阀。本专利技术解决了集成电路设备腔体暴露在大气后抽真空时间长的问题，通过冷阱的低温冷凝效应捕集工艺腔体内残余气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，其特征在于，包括有冷阱腔体（1），冷阱腔体（1）内设置有冷阱（2），冷阱腔体（1）与集成电路设备的工艺腔体（3）相连接；工艺腔体（3）上开设有用于抽真空的排气口（4），冷阱腔体（1）与排气口（4）相互独立；工艺腔体（3）上设有用于控制与冷阱腔体（1）连通或密封分隔的闸阀（5）；闸阀（5）设置于冷阱腔体（1）与工艺腔体（3）之间，冷阱腔体（1）与闸阀（5）之间通过真空卡箍（6）可拆卸地连接；冷阱（2）连接有用于控制其移动伸入工艺腔体（3）以及移动回到冷阱腔体（1）的升降装置；冷阱腔体（1）在与工艺腔体（3）相对的一侧面的外侧密封连接并连通有波纹管（7），波纹管（7）的另一端密封连接有波纹管底板（8）。2.根据权利要求1所述的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，其特征在于，冷阱腔体（1）的形状与冷阱（2）相匹配。3.根据权利要求1所述的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，其特征在于，冷阱腔体（1）与排气口（4）相邻。4.根据权利要求1所述的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，其特征在于，冷阱（2）连接有硬质的内部冷凝剂管（9），内部冷凝剂管（9）穿入设置于波纹管（7）内。5.根据权利要求4所述的用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体，其特征在于，内部冷凝剂管（9）的另一端密封地穿出波纹管底板（8）并连接有外部冷凝剂管（10）。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李景舒，祁广杰，初春，王美玲，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：