一种电子保险丝的封装结构、电路结构及其封装方法。所述封装结构包括：封装框架，具有框架基体及多个引脚；位于所述框架基体上方的MOS管芯片；位于所述MOS管芯片上方的金属连接件；以及位于所述金属连接件上方的控制器芯片；其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金属连接件完全覆盖所述主MOS管的源极区域，适于将所述主MOS管的源极区域与所述封装框架的引脚连接；所述分MOS管的源极区域直接与所述封装框架的引脚连接；所述控制器芯片，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，再开启所述分MOS管。采用上述方案，可以减少MOS管被烧毁的情况。可以减少MOS管被烧毁的情况。可以减少MOS管被烧毁的情况。
【技术实现步骤摘要】
电子保险丝的封装结构、电路结构及其封装方法
[0001]本专利技术涉及电源半导体
，具体涉及一种电子保险丝的封装结构、电路结构及其封装方法。
技术介绍
[0002]电子保险丝广泛用于家电、服务器、电脑、手机等领域。电子保险丝可以在系统插电或者上电时，让系统电压缓慢上升，防止电压突然快速升高导致的电流过充。电子保险丝还可以作为电流过大时的断路器，保护电路免受由过电流或过载或短路导致的损坏。
[0003]在实际应用中，可以使用金属
‑
氧化物
‑
半导体(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor)晶体管(简称MOS管)来实现电子保险丝。集成电子保险丝(Efuse)是将控制器与MOS管集成在一颗芯片上，来代替控制器与MOS管分别集成在不同芯片的方案。
[0004]然而，现有集成电子保险丝，散热性较差，在软启动过程中，MOS管非常容易被烧毁。
技术实现思路
[0005]本专利技术要解决的问题是：如何减少MOS管被烧毁的情况。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种电子保险丝的封装结构，所述封装结构包括：
[0007]封装框架，具有框架基体及多个引脚；
[0008]位于所述框架基体上方的MOS管芯片；
[0009]位于所述MOS管芯片上方的金属连接件；
[0010]以及位于所述金属连接件上方的控制器芯片；
[0011]其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金属连接件完全覆盖所述主MOS管的源极区域，适于将所述主MOS管的源极区域与所述封装框架的引脚连接；所述分MOS管的源极区域直接与所述封装框架的引脚连接；
[0012]所述控制器芯片，与所述主MOS管的栅极区域及所述分MOS管的栅极区域连接，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，再开启所述分MOS管。
[0013]可选地，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏极区域。
[0014]可选地，所述主MOS管及所述分MOS管均为垂直结构型MOS管。
[0015]可选地，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元组成。
[0016]可选地，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元中，连续的部分栅极单元组成。
[0017]可选地，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元中，均匀分布的部分栅极单元组成。
[0018]可选地，组成所述分MOS管的栅极区域的栅极单元贯穿所述MOS管芯片。
[0019]可选地，所述主MOS管的面积大于所述分MOS管的面积。
[0020]可选地，所述分MOS管的面积占所述MOS管芯片的面积的15％～25％。
[0021]可选地，所述分MOS管的启动方式为硬启动。
[0022]可选地，所述金属连接件为铜片。
[0023]本专利技术实施例还提供了一种电子保险丝的电路结构，所述电路结构包括：
[0024]控制器；
[0025]主MOS管及分MOS管；
[0026]其中，所述控制器，与所述主MOS管的栅极及所述分MOS管的栅极连接，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，再开启所述分MOS管。
[0027]本专利技术实施例还提供了一种电子保险丝的封装方法，所述方法包括：
[0028]提供封装框架、MOS管芯片、金属连接件及控制器芯片；所述封装框架，具有框架基体及多个引脚；所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；
[0029]将所述MOS管芯片置于所述框架基体上，并通过所述金属连接件将所述主MOS管的源极区域与所述封装框架的引脚连接，而将分MOS管的源极区域直接与所述封装框架的引脚连接；所述金属连接件完全覆盖所述主MOS管的源极区域；
[0030]将所述控制器芯片置于所述金属连接件上方，并将所述控制器芯片与所述主MOS管的栅极区域及所述分MOS管的栅极区域连接；
[0031]所述控制器芯片，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，再开启所述分MOS管。
[0032]可选地，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏极区域。
[0033]可选地，所述主MOS管及所述分MOS管均为垂直结构型MOS管。
[0034]可选地，将所述金属连接件下方的栅极单元，作为所述分MOS管的栅极区域。
[0035]可选地，将所述金属连接件下方的栅极单元中，连续的部分栅极单元，作为所述分MOS管的栅极区域。
[0036]可选地，将所述金属连接件下方的栅极单元中，均匀分布的部分栅极单元，作为所述分MOS管的栅极区域。
[0037]可选地，组成所述分MOS管的栅极区域的栅极单元贯穿所述MOS管芯片。
[0038]可选地，所述分MOS管的面积大于所述分MOS管。
[0039]可选地，所述分MOS管的面积占MOS管芯片的面积的15％～25％。
[0040]可选地，所述控制器芯片，适于在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，控制所述分MOS管硬启动。
[0041]可选地，所述金属连接件为铜片。
[0042]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0043]应用本专利技术的方案，设置金属连接件覆盖主MOS管的源极区域，进而可以通过金属连接件将主MOS管的源极区域与封装框架的引脚连接，而分MOS管的源极区域则直接与封装框架的引脚连接，此时，分MOS管未被金属连接件覆盖。这样，在软启动过程中，在控制器芯片的控制下，仅开启主MOS管，由于主MOS管通过金属连接件与封装框架接触，散热良好，而此时分MOS管并未开启，分MOS管在软启动结束后或者主MOS管进入线性区后才开启，由此可
以避免由于系统热量太大以及零温效应造成的器件烧毁现象，改善集成电子保险丝的散热性能。
附图说明
[0044]图1是一种电子保险丝的电路结构示意图；
[0045]图2是图1中电子保险丝的具体电路连接示意图；
[0046]图3是图1中示出的电子保险丝的封装结构示意图；
[0047]图4是图3中电子保险丝的封装结构沿AA线的剖面示意图；
[0048]图5是为MOS管的功率随软启动时长变化的曲线；
[0049]图6是本专利技术实施例中一种电子保险丝的电路结构示意图；
[0050]图7是本专利技术实施例中一种电子保险丝的剖面示意图；
[0051]图8是本专利技术实施例中另一种电子保险丝的剖面示意图；
[0052]图9是本专利技术实施例中又一种电子保险丝的剖面示意图；
[0053]图10是本专利技术实施例中再一种电子保险丝本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子保险丝的封装结构，其特征在于，包括：封装框架，具有框架基体及多个引脚；位于所述框架基体上方的MOS管芯片；位于所述MOS管芯片上方的金属连接件；以及位于所述金属连接件上方的控制器芯片；其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金属连接件完全覆盖所述主MOS管的源极区域，适于将所述主MOS管的源极区域与所述封装框架的引脚连接；所述分MOS管的源极区域直接与所述封装框架的引脚连接；所述控制器芯片，与所述主MOS管的栅极区域及所述分MOS管的栅极区域连接，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结束后或者所述主MOS管进入线性区后，再开启所述分MOS管。2.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏极区域。3.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述主MOS管及所述分MOS管均为垂直结构型MOS管。4.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元组成。5.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元中，连续的部分栅极单元组成。6.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述分MOS管的栅极区域，由所述金属连接件下方的栅极单元中，均匀分布的部分栅极单元组成。7.如权利要求4至6任一项所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，组成所述分MOS管的栅极区域的栅极单元贯穿所述MOS管芯片。8.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述主MOS管的面积大于所述分MOS管的面积。9.如权利要求8所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述分MOS管的面积占所述MOS管芯片的面积的15％～25％。10.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述分MOS管的启动方式为硬启动。11.如权利要求1所述的电子保险丝的封装结构，其特征在于，所述金属连接件为铜片。12.一种电子保险丝的电路结构，其特征在于，包括：控制器；主MOS管及分MOS管；其中，所述控制器，与所述主MOS管的栅极及所述分MOS管的栅极连接，适于在所述电子保险丝软启动过程中，仅开启所述主MOS管，以及在软启动结...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂坤，李海松，尹健，王钦，
申请(专利权)人：无锡芯朋微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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