摄像装置及相机系统制造方法及图纸

摄像装置(101)具备电荷积蓄部(37)、具有第1源极、第1漏极以及与所述第1源极或所述第1漏极中的一方电连接的第1栅极电极的第1晶体管(81)、以及保持所述电荷且具有第1端子的第1电容元件(71)，所述第1源极及所述第1漏极中的一方被供给固定电位，而且与所述电容元件的所述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及相机系统


[0001]本公开涉及摄像装置及相机系统。

技术介绍

[0002]作为MOS(金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor))型的摄像装置，提出了层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，在半导体基板上层叠光电转换层，通过光电转换层中的光电转换而产生的电荷被积蓄于电荷积蓄部。被积蓄的电荷由设置于半导体基板的CCD(电荷耦合器件(Charge Coupled Device))电路或者CMOS(互补MOS(Complementary MOS))电路读出。专利文献1公开了这种摄像装置。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
164604号公报
[0006]专利文献2：日本特许第4317115号公报
[0007]专利文献3：国际公布第2020/144910号

技术实现思路

[0008]本专利技术所要解决的课题
[0009]本公开提供适于实现宽动态范围的技术。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本公开提供一种摄像装置，具备：
[0012]电荷积蓄部，积蓄通过光电转换而生成的电荷；
[0013]第1晶体管，具有第1源极、第1漏极、以及与所述第1源极及所述第1漏极中的一方电连接的第1栅极电极；以及
[0014]第1电容元件，保持所述电荷，且具有第1端子，
[0015]所述第1源极及所述第1漏极中的另一方被供给固定电位，而且与所述电容元件的所述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。
[0016]专利技术效果
[0017]本公开所涉及的技术适于实现宽动态范围。
附图说明
[0018]图1是表示第1实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0019]图2是表示图1所示的像素的例示性的电路结构的示意图。
[0020]图3是表示参考方式所涉及的电路结构的示意图。
[0021]图4是用于说明第1实施方式所涉及的摄像装置的第1模式下的晶体管的动作的一例的定时图。
[0022]图5是用于说明第1实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的动作的一
例的定时图。
[0023]图6是表示第1实施方式所涉及的摄像装置的第1模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0024]图7是示意性地表示第1实施方式所涉及的第1模式下的从放大晶体管输出的电信号的电平的变化相对于向光电转换部入射的光量的变化的典型例的曲线图。
[0025]图8是表示第1实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0026]图9A是示意性地表示第1实施方式所涉及的第2模式下的从放大晶体管输出的电信号的电平的变化相对于向光电转换部入射的光量的变化的典型例的曲线图。
[0027]图9B是用于说明伽玛特性的曲线图。
[0028]图10是用于说明伽玛特性的调整的曲线图。
[0029]图11是用于说明第2实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的动作的一例的定时图。
[0030]图12是表示第2实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0031]图13是表示第2实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的一例的示意图。
[0032]图14是表示第3实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0033]图15是表示图14所示的像素的例示性的电路结构的示意图。
[0034]图16是用于说明第3实施方式所涉及的摄像装置的第1模式下的晶体管的动作的一例的定时图。
[0035]图17是用于说明第3实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的动作的一例的定时图。
[0036]图18是表示第4实施方式所涉及的摄像装置中的像素的例示性的电路结构的示意图。
[0037]图19A是表示第5实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0038]图19B是表示第5实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0039]图20是用于说明第5实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的动作的典型例的定时图。
[0040]图21是表示第5实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0041]图22是用于说明第5实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的动作的一例的定时图。
[0042]图23是表示第5实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的一例的示意图。
[0043]图24是表示第6实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0044]图25是表示第7实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0045]图26是示意性地表示第7实施方式所涉及的第2模式下的从放大晶体管输出的电信号的电平的变化相对于向光电转换部入射的光量的变化的典型例的图。
[0046]图27是表示第8实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0047]图28是表示第8实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0048]图29是表示第9实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0049]图30是表示第9实施方式所涉及的摄像装置的第2模式下的晶体管的电位状态的典型例的示意图。
[0050]图31是表示第10实施方式所涉及的摄像装置的例示性的电路结构的示意图。
[0051]图32是示意性地表示水平信号读出电路的输出的变化相对于曝光量的增加的例子。
[0052]图33是示意性地表示线性补偿处理的概要的框图。
[0053]图34是表示校正表的一例的图。
[0054]图35是用于说明每个摄像装置或者每个相机系统的线性的偏差的差异的图。
[0055]图36是示意性地表示用于消除每个摄像装置或者每个相机系统的差异的线性补偿处理的概要的框图。
[0056]图37是表示样本S1的摄像装置的存储器中存放的校正表的一例的图。
[0057]图38是表示样本S2的摄像装置的存储器中存放的校正表的一例的图。
[0058]图39是表示存储器中存放的校正表的其他一例的图。
[0059]图40是表示图39的校正表中记述的输出值的标绘的图。
[0060]图41是示意性地表示包括插值处理的线性补偿处理的概要的图。
[0061]图42是表示相机系统的构成例的示意图。
具体实施方式
[0062](本公开所涉及的一个方式的概要)
[0063]本公开的第1方式所涉及的摄像装置具备：
[0064]电荷积蓄部，积蓄通过光电转换而生成的电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，具备：电荷积蓄部，积蓄通过光电转换而生成的电荷；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极、以及与所述第1源极及所述第1漏极中的一方电连接的第1栅极电极；以及第1电容元件，保持所述电荷，且具有第1端子，所述第1源极及所述第1漏极中的另一方被供给固定电位，而且与所述电容元件的所述第1端子至少在曝光期间中被电连接。2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：放大晶体管，输出与所述电荷积蓄部的电位相应的电信号。3.如权利要求1或者2所述的摄像装置，还具备：第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极电极，所述第1源极及所述第1漏极中的另一方被经由所述第2晶体管供给固定电位。4.如权利要求1或者2所述的摄像装置，还具备：第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极电极，所述第2源极及所述第2漏极中的一方与所述第1源极及所述第1漏极中的另一方电连接，所述第2源极及所述第2漏极中的另一方被供给固定电位。5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，所述第1晶体管的栅极电极经由所述第1电容元件与所述第1源极及所述第1漏极中的一方连接。6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，所述摄像装置还具备半导体基板、以及通过光电转换而生成所述电荷的光电转换部，所述光电转换部位于所述半导体基板内。7.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，所述摄像装置还具备半导体基板、以及通过光电转换而生成所述电荷的光电转换部，所述光电转换部位于所述半导体基板上。8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，所述第1电容元件包括MIM电容即金属
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绝缘体
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金属电容。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：村上雅史，荘保信，佐藤好弘，西村佳寿子，平濑顺司，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：