包含晶体管管芯支撑元件裸露表面的智能功率模块制造技术

本发明专利技术提供一种智能功率模块(IPM)，包括第一晶体管管芯支撑元件、第二晶体管管芯支撑元件、第三晶体管管芯支撑元件和第四晶体管管芯支撑元件、多个引线、第一倾斜截面、第二倾斜截面、第三倾斜截面、第四倾斜截面、第五倾斜截面和模制封装。第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件中的每一个的相应底表面都从模制封装中裸露出来。封装中裸露出来。封装中裸露出来。

【技术实现步骤摘要】
包含晶体管管芯支撑元件裸露表面的智能功率模块


[0001]本专利技术一般涉及一种用于驱动电机的模制智能功率模块(IPM)。更具体地，本专利技术涉及包含晶体管管芯支撑元件的暴露表面的模制IPM。

技术介绍

[0002]IPM包括栅极驱动器和保护集成电路(IC)，应用于紧凑和高功率密度应用。要提高IPM的热性能，是非常具有挑战性的。
[0003]晶体管管芯支撑元件的底表面从模制封装中裸露出来，以便于将裸露表面直接焊接到印刷电路板(PCB)上。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种包含晶体管管芯支撑元件裸露表面的智能功率模块，能够提高IPM的热性能。
[0005]为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种用于驱动电机的智能功率模块，所述智能功率模块包括：
[0007]一个或多个晶体管管芯支撑元件；
[0008]一个或多个晶体管，安装在所述一个或多个晶体管管芯支撑元件上；
[0009]一个第一集成电路管芯支撑元件；
[0010]一个第一集成电路，放置在所述第一集成电路管芯支撑元件上；
[0011]多个接合引线，将所述第一集成电路连接到一个或多个晶体管中的至少一个晶体管上；
[0012]多个引线；
[0013]一个或多个倾斜截面，将所述一个或多个晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；以及
[0014]一个模制封装，完全密封所述一个或多个晶体管、第一集成电路管芯支撑元件、第一集成电路以及一个或多个倾斜截面；
[0015]其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每个的底面，都从所述模制封装的底面裸露出来。
[0016]优选地，其中所述一个或多个倾斜截面中的每一个都与所述模制封装的底表面之间的相应角度在45度至85度的范围内。
[0017]优选地，其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件各自的底部都包括一个模制外围。
[0018]优选地，其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每一个都包括从所述模制封装的底表面暴露的底部接触垫。
[0019]优选地，其中所述一个或多个倾斜截面中的每一个在与所述第一集成电路管芯支撑元件共面的平面处连接到所述多个引线中的一个。
[0020]优选地，其中所述多个引线中的每一个在与所述第一集成电路管芯支撑元件共面的平面处从所述模制封装的侧壁伸出，并且向下弯曲到与所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每个的相应底面共面的面。
[0021]优选地，还包括：
[0022]一个第二集成电路管芯支撑元件；以及
[0023]一个第二集成电路，放置在所述第二集成电路管芯支撑元件上；
[0024]其中所述第二集成电路管芯支撑元件连接到第一集成电路管芯支撑元件上。
[0025]优选地，其中另一些多个接合引线将所述第二集成电路连接到未与第一集成电路连接的一个或多个晶体管的至少一个晶体管上。
[0026]一种用于驱动电机的智能功率模块，所述智能功率模块包括：
[0027]一个第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件，相互分隔开；
[0028]一个第一晶体管，连接到所述第一晶体管管芯支撑元件上；
[0029]一个第二晶体管，连接到所述第二晶体管管芯支撑元件上；
[0030]一个第三晶体管，连接到所述第三晶体管管芯支撑元件上；
[0031]一个第四、第五和第六晶体管，连接到所述第四晶体管管芯支撑元件上；
[0032]一个第一集成电路管芯支撑元件；
[0033]一个第二集成电路管芯支撑元件；
[0034]一个低压集成电路，连接到所述第一集成电路管芯支撑元件上；所述低压集成电路电连接到第一、第二和第三晶体管上；
[0035]一个高压集成电路，连接到所述第二集成电路管芯支撑元件上；所述高压集成电路电连接到第四、第五和第六晶体管上；
[0036]多个引线；
[0037]一个第一倾斜截面，将所述第一晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；
[0038]一个第二倾斜截面，将所述第二晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；
[0039]一个第三倾斜截面，将所述第三晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；
[0040]一个第四倾斜截面，将所述第四晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；
[0041]一个模制封装，封装所述第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管、第一和第二集成电路管芯支撑元件、低压集成电路、高压集成电路，以及第一、第二、第三、和第四倾斜截面；
[0042]其中所述第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件各自的底面，从模制封装中裸露出来。
[0043]优选地，其中所述第一、第二、第三和第四倾斜截面中的每一个与所述模制封装的底表面之间的相应角度在45度至85度的范围内。
[0044]优选地，其中所述第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件各自的底部都包括一个模制外围。
[0045]优选地，其中所述第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件中每个支撑元件，都包括一个底部接触垫，通过所述模制封装的底面裸露出来。
[0046]优选地，其中所述多个引线包括：
[0047]一个公共引线，电连接到一个系杆上；以及
[0048]一个第一分流引线，其电连接到所述第一晶体管；其中
[0049]所述公共引线在第一分流引线附近。
[0050]优选地，其中多个引线包括：
[0051]一个第一分流引线，其电连接到所述第一晶体管；以及
[0052]一个第二分流引线，其电连接到所述第二晶体管；
[0053]优选地，其中所述第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管都是金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管。
[0054]优选地，其中所述第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管都是绝缘栅双极晶体管。
[0055]优选地，其中所述第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件的上边缘都是共面的。
[0056]优选地，其中所述低压集成电路通过多个接合引线电连接到第一、第二和第三晶体管上。
[0057]优选地，其中所述高压集成电路通过另一些多个接合引线电连接到第四、第五和第六晶体管上。
[0058]优选地，其中所述第五倾斜截面将第四晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；
[0059]其中所述第一、第二、第三、第四和第五倾斜截面是相互平行的。
[0060]综上所述，与现有技术相比，本专利技术提供的一种包含晶体管管芯支撑元件裸露表面的智能功率模块，具有如下有益效果：
[0061]1、能够提高IPM的热性能；
[0062]2、晶体管管芯支撑元件的底表面从模制封装中裸露出来，以便于将裸露表面直接焊接到PCB上。
附图说明
[0063]图1为本专利技术的示例中的一种用于驱动电机的智能功率模块(IPM)的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于驱动电机的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括：一个或多个晶体管管芯支撑元件；一个或多个晶体管，安装在所述一个或多个晶体管管芯支撑元件上；一个第一集成电路管芯支撑元件；一个第一集成电路，放置在所述第一集成电路管芯支撑元件上；多个接合引线，将所述第一集成电路连接到一个或多个晶体管中的至少一个晶体管上；多个引线；一个或多个倾斜截面，将所述一个或多个晶体管管芯支撑元件连接到多个引线上；以及一个模制封装，完全密封所述一个或多个晶体管、第一集成电路管芯支撑元件、第一集成电路以及一个或多个倾斜截面；其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每个的底面，都从所述模制封装的底面裸露出来。2.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，其中所述一个或多个倾斜截面中的每一个都与所述模制封装的底表面之间的相应角度在45度至85度的范围内。3.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件各自的底部都包括一个模制外围。4.如权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，其中所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每一个都包括从所述模制封装的底表面暴露的底部接触垫。5.如权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，其中所述一个或多个倾斜截面中的每一个在与所述第一集成电路管芯支撑元件共面的平面处连接到所述多个引线中的一个。6.如权利要求5所述的智能功率模块，其特征在于，其中所述多个引线中的每一个在与所述第一集成电路管芯支撑元件共面的平面处从所述模制封装的侧壁伸出，并且向下弯曲到与所述一个或多个晶体管管芯支撑元件中的每个的相应底面共面的面。7.如权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：一个第二集成电路管芯支撑元件；以及一个第二集成电路，放置在所述第二集成电路管芯支撑元件上；其中所述第二集成电路管芯支撑元件连接到第一集成电路管芯支撑元件上。8.如权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，其中另一些多个接合引线将所述第二集成电路连接到未与第一集成电路连接的一个或多个晶体管的至少一个晶体管上。9.一种用于驱动电机的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括：一个第一、第二、第三和第四晶体管管芯支撑元件，相互分隔开；一个第一晶体管，连接到所述第一晶体管管芯支撑元件上；一个第二晶体管，连接到所述第二晶体管管芯支撑元件上；一个第三晶体管，连接到所述第三晶体管管芯支撑元件上；一个第四、第五和第六晶体管，连接到所述第四晶体管管芯支撑元件上；一个第一集成电路管芯支撑元件；一个第二集成电路管芯支撑元件；
一个低压集成电路，连接到所述第一集成电路管芯支撑元件上；所述低压集成电路电连接到第一、第二和第三晶体管上；一个高压集成电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛志强，徐范锡，李俊镐，李钟茂，葛小荣，
申请(专利权)人：万国半导体国际有限合伙公司，
类型：发明
国别省市：