一种碳化硅炉管清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅炉管清洗工艺，涉及碳化硅炉管清洗技术领域。本发明专利技术清洗工艺包括如下步骤：将碳化硅炉管依次在纯水、氢氟酸溶液、清洗液中清洗；水洗、干燥，检测表面颗粒物数量达标，碳化硅炉管清洗完成。本申请可以对碳化硅炉管表面的有机杂质、重金属离子以及碱金属离子进行有效快速的清洗。碱金属离子进行有效快速的清洗。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅炉管清洗工艺


[0001]本专利技术涉及碳化硅炉管清洗
，具体涉及一种碳化硅炉管清洗工艺。

技术介绍

[0002]半导体芯片在注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，导致一些晶格原子发生位移，造成大量空位，导致注入区的原子排列混乱或者变为非晶区，所以在离子注入后就需要退火，将半导体放在一定温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还能激活施主和受主杂质的功能，将处于空隙位置的杂质原子通过退火而进入替代位置。碳化硅是一种具有高强度、高硬度、耐磨性好、耐高温、耐腐蚀、抗热震性好、导热性高、抗氧化性好的材料。主要用于中频冶炼、各种电热处理炉、冶金、化工、有色金属加工等行业。以碳化硅为原料制备的炉管具有高强度、高硬度、耐磨性好、耐热冲击性好、导热性高、抗氧化性好以及不与强酸强碱反应等优点。
[0003]现有退火炉管在长时间运行过程中，受到刻蚀带液、载具清洗后处理不干净情况等含有的金属杂质离子在正常生产过程中会残留在炉管中。这时，被污染的退火炉管里微量的金属离子会进入到生产的半导体内进行循环污染。本专利技术公开一种新型的清洗工艺，适用于退火炉管清洗，具有很大的实用价值。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种碳化硅炉管清洗工艺，解决以下技术问题：
[0005]现有的清洗工艺对炉管表面的有机杂质和重金属离子及碱金属离子的清洗效果差，腐蚀性强。
[0006]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0007]一种碳化硅炉管清洗工艺，工艺包括如下步骤：
[0008]S1：将碳化硅炉管在纯水中浸泡；
[0009]S2：将碳化硅炉管在氢氟酸中浸泡；
[0010]S3：将氢氟酸溶液浸泡后的碳化硅炉管置于清洗液中清洗；
[0011]S4：水洗、干燥，清洗完成。
[0012]作为本专利技术的进一步方案：所述清洗液包括如下重量百分比的原料：3
‑
12％四甲基氢氧化铵、5
‑
15％脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、1
‑
5％添加剂，余量为水。
[0013]作为本专利技术的进一步方案：所述添加剂的制备方法包括如下步骤：
[0014]S1：将大孔氯甲基聚苯乙烯树脂、四氢呋喃混合搅拌均匀，加入乙二胺，升温至40
‑
50℃，保温24
‑
36h，抽滤、洗涤、干燥，得到乙二胺改性树脂；
[0015]S2：在氮气氛围中，将乙二胺改性树脂加入二氯甲烷、乙二胺四乙酸的混合溶液中，加入二氯亚砜，反应3
‑
6h，得到改性树脂；
[0016]S3：将改性树脂、肌醇六磷酸加入反应器中，常温搅拌24
‑
30h，水洗、干燥，得到添加剂。
[0017]作为本专利技术的进一步方案：所述大孔氯甲基聚苯乙烯树脂的制备方法包括如下步骤：
[0018]A1：将10mL苯乙烯、5mL二乙烯基苯加入反应瓶中，继续加入0.1gBPO,搅拌至完全溶解,加入2g致孔剂、500mL蒸馏水,继续加入0.5g聚乙烯醇、0.1mL1wt％甲基蓝水溶液,升温至75℃,反应2h，再升温至80℃,反应2h，95
‑
100℃，保温6h；过滤、洗涤、干燥，得到组分一；
[0019]A2：将10g组分一、50g氯甲醚加入反应瓶中,搅拌均匀,加入1g无水氯化锌,升温至50
‑
52℃，保温反应6
‑
9h，过滤、洗涤、干燥，得到载体。
[0020]作为本专利技术的进一步方案：所述大孔氯甲基聚苯乙烯树脂：四氢呋喃：乙二胺的质量比为1：1
‑
2：4
‑
8。
[0021]作为本专利技术的进一步方案：所述乙二胺改性树脂：二氯甲烷：乙二胺四乙酸：二氯亚砜的质量比为1：100
‑
200：10
‑
15：3
‑
6。
[0022]作为本专利技术的进一步方案：所述改性树脂：肌醇六磷酸的质量比为1:0.01
‑
0.1。
[0023]作为本专利技术的进一步方案：S3的清洗条件是：升温至50
‑
60℃，20
‑
40kHz超声清洗。
[0024]作为本专利技术的进一步方案：所述氢氟酸为质量百分数40
‑
60％的氢氟酸溶液，浸泡时间12
‑
24h。
[0025]作为本专利技术的进一步方案：S4中干燥具体步骤为：纯度大于99.99％的氮气对碳化硅炉管表面吹干后置于烘箱中烘干。
[0026]作为本专利技术的进一步方案：S4中水洗具体步骤为：超纯水喷洗后置于溢流漂洗槽中，连续换水三次，第四次溢流漂洗12h。
[0027]作为本专利技术的进一步方案：氢氟酸中浸泡每3h，转动一圈。
[0028]本专利技术的有益效果：
[0029]3‑
12％四甲基氢氧化铵、5
‑
15％脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、1
‑
5％添加剂
[0030](1)本申请利用水洗后氢氟酸洗，将氮化硅炉管表面的氧化膜去除，以利于去除包埋在氧化层内的金属和有机污染物。氢氟酸洗后将炉管浸渍在清洗液中，炉管表面的有机污染物产生膨胀，有机污染物与炉管之间的作用力减弱，脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵将有机污染物带离炉管表面，其聚氧乙烯链在水中产生水合作用，与水中的氢形成氢键，在水温升高过程中，氢键减弱，水合作用减少，对有机污染物的增容量增大，便于洗脱。
[0031](2)本申请在清洗液中添加四甲基氢氧化铵，四甲基氢氧化铵溶于水性能稳定，能够有效溶解有机杂质，脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵可以降低表面张力，同时具有润湿和渗透的作用，将残留在炉管表面的重金属粒子和碱金属离子等从炉管表面剥离，四甲基氢氧化铵还具有一定络合作用，可以将金属离子转变为络合物清洗带走。脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵在降低炉管表面的表面能，破坏其表面吸附杂质粒子的环境，降低二次吸附，脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵具有渗透作用，渗透压使溶剂中自由的活性剂分子以及以及吸附的活性剂分子的亲水基上未吸附的自由部分，向炉管与杂质粒子接触缝隙中渗入，并与炉管表面和杂质颗粒上出现的剩余自由键相互吸引、结合，促使炉管与杂质粒子间作用力键减少，促进杂质粒子从炉管表面分离，添加剂对金属离子具有优良的螯合作用，去除金属离子和原子沾污，本申请清洗剂各组分配合使用，具有清洗性能优良、残留小以及腐蚀性小，清洗后的炉管表面平整度高的优点。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]实施例1
[0034]大孔氯甲基聚苯乙烯树脂的制备方法包括如下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅炉管清洗工艺，其特征在于，工艺包括如下步骤：S1：将碳化硅炉管在纯水中浸泡；S2：将碳化硅炉管在氢氟酸中浸泡；S3：将氢氟酸溶液浸泡后的碳化硅炉管置于清洗液中清洗；S4：水洗、干燥，清洗完成。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅炉管清洗工艺,其特征在于，所述清洗液包括如下重量百分比的原料：3
‑
12％四甲基氢氧化铵、5
‑
15％脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵、1
‑
5％添加剂，余量为水。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅炉管清洗工艺,其特征在于，所述添加剂的制备方法包括如下步骤：S1：将大孔氯甲基聚苯乙烯树脂、四氢呋喃混合搅拌均匀，加入乙二胺，升温至40
‑
50℃，保温24
‑
36h，抽滤、洗涤、干燥，得到乙二胺改性树脂；S2：在氮气氛围中，将乙二胺改性树脂加入二氯甲烷、乙二胺四乙酸的混合溶液中，加入二氯亚砜，反应3
‑
6h，得到改性树脂；S3：将改性树脂、肌醇六磷酸加入反应器中，常温搅拌24
‑
36h，水洗、干燥，得到添加剂。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅炉管清...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨从飞，孙德付，
申请(专利权)人：无锡升滕半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：