铝合金基材加工方法及电子设备技术

本公开提供一种铝合金基材加工方法及电子设备。原材料中添加了钛，以用于形成钛的氧化物后提升材料强度。其中，钛元素还能够抑制纳米尺寸第二相的长大，并通过调控分子的热扩散，以避免第二相粒子出现尖锐的棱角，进而避免后续挤压变形过程中内应力的集中。此外，在挤压成型过程中使初始基材的特征尺寸大于目标基材的特征尺寸，以在后续冷变形后确保内应力均匀分布，避免铝合金基材加工成应用于电子设备的结构件后尺寸的变形，提升铝合金基材及电子设备的尺寸精度和结构良率。电子设备的尺寸精度和结构良率。电子设备的尺寸精度和结构良率。

【技术实现步骤摘要】
铝合金基材加工方法及电子设备


[0001]本公开涉及电子设备
，具体涉及一种铝合金基材加工方法及电子设备。

技术介绍

[0002]铝合金具有良好的塑韧性和可加工性，且在退火后仍能维持较好的综合力学性能性能，通过精抛光还可以达到镜面高光效果，在电子产品、建筑材料和交通运输等领域对材料的性能和外观需求。然而，在手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等领域，铝合金作为结构件在加工后存在关键尺寸形变大的问题，影响了电子产品的结构形状和尺寸精度。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种改进的铝合金基材加工方法及电子设备，以降低铝合金基材的内部应力，提升铝合金基材及电子设备的尺寸精度和结构良率。
[0004]本公开的第一方面提供一种铝合金基材加工方法，所述方法包括：
[0005]获得预设配比的第一原材料；
[0006]在所述第一原材料中添加预设比例的钛以得到第二原材料，将所述第二原材料铸造成待加工铝材；
[0007]将所述待加工铝材挤压成型获得初始基材，所述初始基材的特征尺寸大于目标基材的特征尺寸预设值；
[0008]对所述初始基材进行冷处理，以获得目标基材。
[0009]可选的，所述第一原材料的组分材质包括：铝、铁、硅、铜、锰、镁、铬、锌和钛；
[0010]其中，铁的重量百分比大于或等于0.04％，且小于或等于0.2％；硅的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；铜的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；锰的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.5％；镁的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1.5％；铬的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；锌的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；钛的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；各组分重量百分比之和为100％。
[0011]可选的，在所述第一原材料中添加预设比例的钛，包括：铸造前通过电磁搅拌在所述第一原材料中添加预设比例的钛丝。
[0012]可选的，将所述第二原材料铸造成待加工铝材，包括：
[0013]对所述第二原材料进行均质、铸锭成分以及微观组织检验，获得预设规格的铝棒；
[0014]对所述铝棒进行均匀化退火，以获得待加工铝材。
[0015]可选的，将所述待加工铝材挤压成型获得初始基材，包括：
[0016]将所述待加工铝材加热到预设温度；
[0017]以大于或等于5m/min，且小于或等于10m/min的速度挤压待加工铝材，以获得初始基材。
[0018]可选的，对所述初始基材进行冷处理，以获得目标基材，包括：
[0019]对所述初始基材进行急速冷却；其中，所述急速冷却的冷却速度大于或等于70℃/s；
[0020]对冷却后的所述初始基材以预设拉伸量进行矫直后，锯切获得目标基材。
[0021]可选的，在锯切获得目标基材后，还包括：对所述目标基材进行时效处理，对所述目标基材进行时效处理，包括：
[0022]把时效设备预热到第一温度后，放入所述目标基材；
[0023]当所述时效设备的温度达到第二温度后开始计时，将所述目标基材保温第一时长；
[0024]调整所述时效设备的温度至第三温度后开始计时，将所述目标基材保温第二时长。
[0025]可选的，所述第二原材料的组分材质包括铝、铁、硅、铜、锰、镁、铬、锌和钛；
[0026]其中，铁的重量百分比大于或等于0.04％，且小于或等于0.2％；硅的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；铜的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；锰的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.5％；镁的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1.5％；铬的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；锌的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；钛的重量百分比大于或等于0.1％，且小于或等于1％；各组分重量百分比之和为100％。
[0027]可选的，在获得预设配比的第二原材料之后，还包括：
[0028]将所述第二原材料投入熔化炉中进行熔炼、并经过精炼除气、扒渣、成分检验、坯料合金化、精炼前检测、精炼、扒渣、静置炉抽样检验、扒渣、精炼。
[0029]可选的，所述精炼除气采用熔剂精炼法，溶剂精炼法采用的覆盖剂成分包括：NaCl、KCl、Na3AlF6和CaF2；
[0030]其中，NaCl的重量百分比包括35％，KCl的重量百分比包括54％、Na3AlF6的重量百分比包括5.3％、CaF2的重量百分比包括5.7％。
[0031]可选的，所述初始基材的特征尺寸大于所述目标基材的特征尺寸的5％。
[0032]根据本公开的第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括：设备主体和组装于所述设备主体的设备壳体，所述设备壳体采用第一方面所述的任一铝合金基材加工方法获得。
[0033]可选的，所述设备壳体包括中框。
[0034]本公开提供的技术方案至少可以达到以下有益效果：
[0035]本公开的原材料中添加了钛，以用于形成钛的氧化物后提升材料强度。其中，钛元素还能够抑制纳米尺寸第二相的长大，并通过调控分子的热扩散，以避免第二相粒子出现尖锐的棱角，进而避免后续挤压变形过程中内应力的集中。此外，在挤压成型过程中使初始基材的特征尺寸大于目标基材的特征尺寸，以在后续冷变形后确保内应力均匀分布，避免铝合金基材加工成应用于电子设备的结构件后尺寸的变形，提升铝合金基材及电子设备的尺寸精度和结构良率。
[0036]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0037]图1是本公开一示例性实施例中一种铝合金基材加工方法的流程图；
[0038]图2是本公开另一示例性实施例中一种铝合金基材加工方法的流程图；
[0039]图3是本公开又一示例性实施例中一种铝合金基材加工方法的流程图；
[0040]图4是本公开再一示例性实施例中一种铝合金基材加工方法的流程图。
具体实施方式
[0041]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0042]在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个，若仅指代“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝合金基材加工方法，其特征在于，所述方法包括：获得预设配比的第一原材料；在所述第一原材料中添加预设比例的钛以得到第二原材料，将所述第二原材料铸造成待加工铝材；将所述待加工铝材挤压成型获得初始基材，所述初始基材的特征尺寸大于目标基材的特征尺寸预设值；对所述初始基材进行冷处理，以获得目标基材。2.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其特征在于，所述第一原材料的组分材质包括：铝、铁、硅、铜、锰、镁、铬、锌和钛；其中，铁的重量百分比大于或等于0.04％，且小于或等于0.2％；硅的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；铜的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1％；锰的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.5％；镁的重量百分比大于或等于0.5％，且小于或等于1.5％；铬的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；锌的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；钛的重量百分比大于或等于0.01％，且小于或等于0.2％；各组分重量百分比之和为100％。3.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其特征在于，在所述第一原材料中添加预设比例的钛，包括：铸造前通过电磁搅拌在所述第一原材料中添加预设比例的钛丝。4.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其特征在于，将所述第二原材料铸造成待加工铝材，包括：对所述第二原材料进行均质、铸锭成分以及微观组织检验，获得预设规格的铝棒；对所述铝棒进行均匀化退火，以获得待加工铝材。5.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其特征在于，将所述待加工铝材挤压成型获得初始基材，包括：将所述待加工铝材加热到预设温度；以大于或等于5m/min，且小于或等于10m/min的速度挤压待加工铝材，以获得初始基材。6.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其特征在于，对所述初始基材进行冷处理，以获得目标基材，包括：对所述初始基材进行急速冷却；其中，所述急速冷却的冷却速度大于或等于70℃/s；对冷却后的所述初始基材以预设拉伸量进行矫直后，锯切获得目标基材。7.根据权利要求1所述的铝合金基材加工方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王腾飞，王昀立，黄战军，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：