一种适用于HDI板的超薄铜箔及其制备方法和应用技术

技术编号:38747664 阅读:50 留言:0更新日期:2023-09-08 23:28
本发明专利技术公开了一种适用于HDI板的超薄铜箔及其制备方法和应用,包括以下步骤:利用添加剂和电解液进行电解制箔,得到所述超薄铜箔;其中,所述添加剂含己基苄基胺盐、聚二硫二丙烷磺酸钠、N,N

【技术实现步骤摘要】
一种适用于HDI板的超薄铜箔及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于铜箔制造
,具体涉及一种适用于HDI板的超薄铜箔及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着消费类电子产品轻薄化、一体化、多功能化的发展趋势,其对电路板的信号传输能力、布线密度及多层化要求越来越高。高密度互连(HDI)技术可以提供更高密度的电路布线,可以使终端产品的设计更加小型化。使用微盲埋孔技术的HDI板具有高密度集成的特点,可以使电子产品的设计高效、节能、小而美。民用消费电子产品、工业机器、服务器、基站、航空航天等众多领域的电子产品都需使用到HDI板,并且随着电子产品的智能化更新换代和市场需求的增加,HDI板的发展将非常迅速。
[0003]HDI板加工复杂,需要经过多次热压、钻孔,制作过程中铜箔与基材需要承受多次热压、钻孔带来的物理、化学的作用,故要求用于HDI板的电解铜箔需要具有适中的刚性,良好的抗疲劳性、热稳定性和粘接性。而现有技术中,获得的电解铜箔通常刚性较低,难以适用于需多次加工的HDI板。
[0004]CN111910223A公开了适用于HDI板的电解铜箔用添加剂及电解铜箔生产工艺,其利用含有光亮剂SPS、DPS和明胶的水溶液的添加剂生产得到的适用于HDI板的电解铜箔,该铜箔厚度为12~105μm,轮廓峰值稳定、晶格大小一致、常温抗拉强度≥400MPa,高温抗拉强度≥200MPa,常温延伸率≥10%,高温延伸率≥15%,耐折次数≥3000次,机载强度高、铜箔韧性好,解决了HDI板材在加工过程中的铜箔断裂问题。
[0005]超薄铜箔(Ultra thin copper foil)是厚度在12μm及12μm以下的电子电路用铜箔,近年来,为了符合PCB制造工艺的需求,得到更高密度布线,超薄铜箔的需求量明显增加。CN1160423283A、CN114921817A和CN116180165A等虽然公开了超薄电解铜箔,但上述超薄铜箔的刚性性能差,无法满足HDI板的加工要求。如何使超薄铜箔解决HDI板材加工过程中的刚性问题,是目前行业的难题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种适用于HDI板的超薄铜箔及其制备方法和应用。
[0007]为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0008]一种适用于HDI板的超薄铜箔的制备方法,包括以下步骤:利用添加剂和电解液进行电解制箔,得到所述超薄铜箔。
[0009]优选地,所述电解液含90

95g/L Cu
2+
、130

150g/L H2SO4和15

25mg/L Cl


[0010]进一步优选地,所述电解液的流量为30

40m3/h。
[0011]优选地,所述添加剂的流量为30

40mL/min。
[0012]进一步优选地,所述添加剂含己基苄基胺盐(PPNI)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、
N,N

二甲基

二硫代羰基丙烷磺酸钠(DPS)、羟乙基纤维素(HEC)、聚乙二醇(PEG)、水解胶原蛋白和琼脂糖。
[0013]更进一步优选地,所述添加剂含己基苄基胺盐(PPNI)0.2

0.5g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)2

3g/L、N,N

二甲基

二硫代羰基丙烷磺酸钠(DPS)0.9

1.5g/L、羟乙基纤维素(HEC)1.5

2.0g/L、聚乙二醇(PEG)2.0

3.0g/L、水解胶原蛋白0.4

0.8g/L和琼脂糖3

4g/L。
[0014]最优选地,所述添加剂含己基苄基胺盐(PPNI)0.35g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)2.5g/L、N,N

二甲基

二硫代羰基丙烷磺酸钠(DPS)1.2g/L、羟乙基纤维素(HEC)1.8g/L、聚乙二醇(PEG)2.5g/L、水解胶原蛋白0.6g/L和琼脂糖3.5g/L。
[0015]所述电解制箔的条件为:温度50

54℃,电流密度50

85A/dm2。
[0016]本专利技术中PEG的分子量为6000

10000Da;水解胶原蛋白的分子量为2000

3000Da。
[0017]优选地,本专利技术的制备方法还包括对电解得到的超薄铜箔进行表面处理。
[0018]具体地,所述表面处理,包括以下步骤:
[0019](1)酸洗:酸洗过程中硫酸的浓度为130

150g/L,温度为30

40℃;
[0020](2)粗化:粗化过程中Cu
2+
的浓度为12

16g/L,硫酸浓度为120

150g/L,体系的温度为30

34℃;
[0021](3)固化:固化过程中Cu
2+
的浓度为50

56g/L,硫酸浓度为90

120g/L,体系的温度为40

46℃;
[0022](4)水洗:水洗过程中采用超纯水,温度25

35℃,水洗至pH6.8

7.2;
[0023](5)防氧化处理;防氧化过程中Ni
2+
的浓度为1.5

2.5g/L,Zn
2+
浓度为3.5

4.5g/L,K4P2O7浓度为70

100g/L,体系的pH值为10

11,温度为25

35℃;
[0024](6)水洗:水洗过程中采用超纯水,温度25

35℃,水洗至pH6.8

7.2;
[0025](7)钝化:钝化过程中Cr
3+
的浓度为2.0

2.5g/L,K4P2O7的浓度为70

100g/L,体系的pH为11

12,温度为25

35℃;
[0026](8)水洗:水洗过程中采用超纯水,温度25

35℃,水洗至pH6.8

7.2;
[0027](9)硅烷喷涂:硅烷偶联剂的浓度为1.0

1.5g/L,体系的pH为9

12,温度为25

35℃;
[0028](10)烘干:温度105

115℃。
[0029]优本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于HDI板的超薄铜箔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:利用添加剂和电解液进行电解制箔,得到所述超薄铜箔;其中,所述添加剂含己基苄基胺盐、聚二硫二丙烷磺酸钠、N,N

二甲基

二硫代羰基丙烷磺酸钠、羟乙基纤维素、聚乙二醇、水解胶原蛋白和琼脂糖。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电解液含90

95g/L Cu
2+
、130

150g/LH2SO4和15

25mg/L Cl

。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电解液的流量为30

40m3/h;所述添加剂的流量为30

40mL/min。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述添加剂含己基苄基胺盐0.2

0.5g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠2

3g/L、N,N

二甲基

二硫代羰基丙烷磺酸钠0.9

1.5g/L、羟...

【专利技术属性】
技术研发人员:李远泰潘光华苏光兴钟伟彬高宝宝姚三宝赵志良魏福莹
申请(专利权)人:广东盈华电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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