一种线圈内置的等离子体发生装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种线圈内置的等离子体发生装置，涉及等离子体发生装置技术领域，包括反应室、线圈以及用以与所述线圈连接的电源，其中，所述线圈置于所述反应室内，其外周套置有陶瓷保护罩，所述反应室的侧壁沿长度方向阵列设置有多个进气口，各所述进气口均与气体分流器连通，并通过所述气体分流器调节进气比例；所述线圈环绕所述进气口布设，以使源气体均匀分布在线圈周围；所述电源位于所述反应室外侧，通过导线与所述线圈连接；所述反应室在所述进气口相对侧设有匀流板，所述匀流板上均匀设置有多个出口。从而解决现有等离子体发生装置无法调节源气体分布，导致等离子体分布不均，影响后续加工效果的问题。影响后续加工效果的问题。影响后续加工效果的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种线圈内置的等离子体发生装置


[0001]本技术涉及等离子体发生装置
，具体而言，涉及一种线圈内置的等离子体发生装置。

技术介绍

[0002]等离子体装置一般用于晶片的薄膜上蚀刻、沉积或剥离某种材料以制造半导体器件，或在基板上蚀刻、沉积或剥离某种材料以制造液晶显示面板。等ICP型等离子体装置通常包括：反应室、线圈和电源，如中国专利ZL200510129728.7公开的一种等离子体装置，所述等离子装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上，电源将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。在该方案中源气体不可调节，导致反应室内各位置的源气体分布不均，进而影响等离子体的均匀分布，造成后续加工效果不佳。

技术实现思路

[0003]本技术公开了一种线圈内置的等离子体发生装置，旨在改善现有等离子体发生装置无法调节源气体，导致等离子体分布不均，影响后续加工效果的问题。
[0004]本技术采用了如下方案：
[0005]一种线圈内置的等离子体发生装置，包括反应室、线圈以及用以与所述线圈连接的电源，其中，所述线圈置于所述反应室内，其外周套置有陶瓷保护罩，所述反应室的侧壁沿长度方向阵列设置有多个进气口，各所述进气口均与气体分流器连通，并通过所述气体分流器调节进气比例；所述线圈环绕所述进气口布设，以使源气体均匀分布在线圈周围；所述电源位于所述反应室外侧，通过导线与所述线圈连接；所述反应室在所述进气口相对侧设有匀流板，所述匀流板上均匀设置有多个出口。
[0006]作为进一步改进，所述进气口沿所述侧壁竖向阵列设置有三个，且位于中间位置的进气口与所述侧壁的中心重合。
[0007]作为进一步改进，所述线圈其一侧贴合所述侧壁设置。
[0008]作为进一步改进，所述线圈居中置于所述侧壁与所述匀流板之间，并与所述侧壁相邻两侧的内壁贴合。
[0009]作为进一步改进，所述线圈环绕所述进气口呈跑道型设置。
[0010]作为进一步改进，所述反应室的内壁与所述线圈相仿形布设，以使所述线圈与所述反应室内壁在径向方向上距离相等。
[0011]作为进一步改进，所述气体分流器的进气端与流量计连接。
[0012]通过采用上述技术方案，本技术可以取得以下技术效果：
[0013]本申请的线圈内置的等离子体发生装置，通过在反应室内设置线圈，以获得更高的气体解离度和自由基浓度。此外，在反应室的侧壁上阵列设置多个进气口，采用气体分流
器调节各进气口的进气比例，以使反应室内的源气体均匀分布，从而在线圈周围形成均匀分布的等离子体。在出口方向上设置匀流板，进一步整流反应室内的等离子体，使其分布更加均匀，便于投入后续加工中。和现有技术相比本申请的优点是显而易见的。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0015]图1是本技术其中一实施例的结构示意图；
[0016]图2是图1的右视图；
[0017]图3是图1左视图；
[0018]图4是图1沿其中一截面的剖视图；
[0019]图5是本技术另一实施例的剖视图；
[0020]图6是本技术其中一实施例与气体分流器和流量计连接的示意图。
[0021]图标：
[0022]1‑
线圈；2
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电源；3
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陶瓷保护罩；4
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反应室；5
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第一进气口；6
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第二进气口；7
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第三进气口；8
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匀流板；9
‑
进气管；10
‑
气体分流器；11
‑
流量计。
[0023]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
实施例
[0024]结合图1至图6，本实施例提供了一种线圈内置的等离子体发生装置，包括反应室4、线圈1以及用以与线圈1连接的电源2。其中，线圈1置于反应室4内，其外周套置有陶瓷保护罩3。反应室4的侧壁沿长度方向阵列设置有多个进气口，各进气口均与气体分流器10连通，通过气体分流器10调节各进气口的进气比例。线圈1环绕进气口布设，以使源气体均匀分布在线圈1周围，电源2位于反应室4外侧，通过导线与线圈1连接；反应室4在进气口相对侧设有匀流板8，所述匀流板8上均匀设置有多个出口。
[0025]需要说明的是，在本实施例中通过在反应室4内设置线圈1，以获得更高的气体解离度和自由基浓度。此外，在反应室4的侧壁上阵列设置多个进气口，采用气体分流器10调节各进气口的进气比例，以使反应室4内的源气体分布均匀，从而在线圈1的周围形成均匀分布的等离子体。在出口方向上设置匀流板8，进一步整流反应室4内的等离子体，使其分布更加均匀，以便于投入后续加工中，取得更好的加工效果。
[0026]较佳地，进气口沿侧壁竖向阵列设置有三个，分别为第一进气口5、第二进气口6和第三进气口7，其中第二进气口6位于中间位置，并与侧壁的中心重合，第一进气口5和第三进气口7对称配置在第二进气口6的两侧。气体分流器10其一端与流量计11连接，另一端通过进气管9分别与三个进气口连接。流量计11用以监测进入反应室4的气体量，气体分流器10调节各进气口的进气比例，以使反应室4内的源气体量以及源气体分布得到调整，对应以调节反应室4内等离子体的分布，尤其是竖直方向上的分布。
[0027]在其中一种实施方式中，参照图4，线圈1其一侧贴合所述侧壁设置。在另一种实施方式中，参照图5，线圈1居中置于所述侧壁与匀流板8之间，并与所述侧壁相邻两侧的内壁贴合。以使线圈1周侧的源气体更为均匀，
[0028]在上述实施例的基础上，本技术一可选的实施例中，线圈1环绕进气口呈跑道型设置，该跑道型将所有进气口围合在内。反应室4的内壁与线圈1相仿形布设，以使线圈1与反应室4内壁在径向方向上距离相等，即本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线圈内置的等离子体发生装置，包括反应室、线圈以及用以与所述线圈连接的电源，其特征在于，所述线圈置于所述反应室内，其外周套置有陶瓷保护罩，所述反应室的侧壁沿长度方向阵列设置有多个进气口，各所述进气口均与气体分流器连通，并通过所述气体分流器调节进气比例；所述线圈环绕所述进气口布设，以使源气体均匀分布在线圈周围；所述电源位于所述反应室外侧，通过导线与所述线圈连接；所述反应室在所述进气口相对侧设有匀流板，所述匀流板上均匀设置有多个出口。2.根据权利要求1所述的线圈内置的等离子体发生装置，其特征在于，所述进气口沿所述侧壁竖向阵列设置有三个，且位于中间位置的进气口与所述侧壁的中心重合。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：明自强，赵茂生，王韫宇，田玉峰，
申请(专利权)人：厦门韫茂科技有限公司，
类型：新型
国别省市：