一种功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率模块，包括第一基板、第二基板、上桥芯片组和下桥芯片组。第一基板包括第一金属层。第二基板与第一基板间隔设置，第二基板包括第二金属层，且第二金属层与第一金属层相对设置。上桥芯片组设置于第一金属层，且上桥芯片组中的上桥芯片导通第一金属层与第二金属层。下桥芯片组设置于第二金属层，且下桥芯片组中的下桥芯片导通第一金属层与第二金属层。根据本实用新型专利技术的功率模块采用双面封装，上桥芯片与下桥芯片分别设置在第一基板和第二基板上，避免了上桥芯片和下桥芯片在单一基板上的热量累积，有利于散热。有利于散热。有利于散热。

【技术实现步骤摘要】
一种功率模块


[0001]本技术涉及电子器件
，具体而言涉及一种功率模块。

技术介绍

[0002]现有技术中，采用双面散热的半桥结构的功率模块不利于芯片散热。

技术实现思路

[0003]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0004]为至少部分地解决上述问题，本技术提供了一种功率模块，所述功率模块包括：
[0005]第一基板，所述第一基板包括第一金属层；
[0006]第二基板，所述第二基板与所述第一基板间隔设置，所述第二基板包括第二金属层，且所述第二金属层与所述第一金属层相对设置；
[0007]上桥芯片组，所述上桥芯片组设置于所述第一金属层，且所述上桥芯片组中的上桥芯片导通所述第一金属层与所述第二金属层；
[0008]下桥芯片组，所述下桥芯片组设置于所述第二金属层，且所述下桥芯片组中的下桥芯片导通所述第一金属层与所述第二金属层。
[0009]根据本技术的功率模块采用双面封装，上桥芯片与下桥芯片分别设置在第一基板和第二基板上，避免了上桥芯片和下桥芯片在单一基板上的热量累积，有利于散热。
[0010]可选地，所述功率模块还包括：
[0011]第一导电缓冲件，位于所述上桥芯片与所述第二金属层之间且导通所述上桥芯片组与所述第二金属层；
[0012]第二导电缓冲件，位于所述下桥芯片与所述第一金属层之间且导通所述下桥芯片组与所述第一金属层；
[0013]所述第一导电缓冲件面向所述上桥芯片的一面到所述第二导电缓冲件面向所述下桥芯片的一面的最大距离小于所述第一导电缓冲件在厚度方向上的尺寸与所述第二导电缓冲件在厚度方向上的尺寸之和。
[0014]可选地，
[0015]所述上桥芯片组设置于所述第一金属层面向所述第二金属层的一面，所述下桥芯片组设置于所述第二金属层面向所述第一金属层的一面；
[0016]所述第一导电缓冲件设置于所述上桥芯片面向所述第二金属层的一侧；
[0017]所述第二导电缓冲件设置于所述下桥芯片面向所述第一金属层的一侧。
[0018]可选地，所述上桥芯片在第一基板上的正投影与所述下桥芯片在第一基板上的正
投影间隔设置。
[0019]可选地，所述第一金属层包括第一链接区及第二链接区，所述上桥芯片设置在所述第一链接区，所述第一链接区与所述第二链接区绝缘设置；
[0020]所述功率模块还包括高压直流端子，所述高压直流端子包括正极端子和负极端子，所述正极端子与所述第一链接区导通，所述负极端子与所述第二链接区导通。
[0021]可选地，所述功率模块还包括高压交流端子，所述高压交流端子设置于所述第二金属层并与所述第二金属层导通。
[0022]可选地，所述正极端子与所述负极端子沿厚度方向层叠设置。
[0023]可选地，所述正极端子包括至少2个正极引脚，所述负极端子包括至少2个负极引脚，
[0024]至少2个所述正极引脚对称布置于至少2个所述负极引脚的两侧；或者
[0025]至少2个所述负极引脚对称布置于至少2个所述正极引脚的两侧。
[0026]可选地，
[0027]第一散热底板连接在所述第一基板的远离所述第二基板的一侧，第二散热底板连接在所述第二基板的远离所述第一基板的一侧。
[0028]可选地，
[0029]所述第一基板还包括第一绝缘层和第三金属层，其中所述第一金属层和所述第三金属层分别设置在所述第一绝缘层的两面，所述第一散热底板设置在所述第三金属层上；
[0030]所述第二基板还包括第二绝缘层和第四金属层，其中所述第二金属层和所述第四金属层分别设置在所述第二绝缘层的两面，所述第二散热底板设置在所述第四金属层上。
[0031]可选地，所述第一散热底板和所述第二散热底板包括散热针或散热鳍片。
[0032]可选地，所述功率模块还包括塑封外壳，所述第一基板和所述第二基板容纳于所述塑封外壳内部的容纳空间。
[0033]可选地，所述功率模块是半桥功率模块。
附图说明
[0034]本技术的下列附图在此作为本技术的一部分用于理解本技术。附图中示出了本技术的实施例及其描述，用来解释本技术的原理。
[0035]附图中：
[0036]图1为根据本技术的一种实施方式的功率模块的立体结构示意图；
[0037]图2为根据本技术的一种实施方式的倒置状态下的功率模块的侧视示意图；
[0038]图3为根据本技术的一种实施方式的功率模块的剖视示意图；
[0039]图4为上桥芯片与第一导电缓冲件的连接结构的示意图，或者下桥芯片与第二导电缓冲件的连接示意图；
[0040]图5为第一基板上的第一金属层、上桥芯片组、第一控制端子及高压直流端子的组成示意图；
[0041]图6为第二基板上的第二金属层、下桥芯片组、第二控制端子及高压交流端子的组成示意图；
[0042]图7为第二基板上的第二金属层及下桥芯片组的连接结构的侧视示意图；
[0043]图8为第一基板上的第一金属层及上桥芯片组的连接结构的侧视示意图；
[0044]图9为图7中结构加入第二导电缓冲件的示意图；
[0045]图10为图8中结构加入第一导电缓冲件的示意图；
[0046]图11为图9中结构加入第二引线的示意图；
[0047]图12为图10中结构加入第二引线的示意图；
[0048]图13为图11中结构设置第一控制端子和高压直流端子的示意图；
[0049]图14为图12中结构设置第二控制端子和高压交流端子的示意图；
[0050]图15为将图13中结构与图14中结构对接组装的示意图；
[0051]图16为根据本技术的一种实施方式的功率模块的侧视示意图，其中示出了第七连接层及第八连接层；以及
[0052]图17为根据本技术的一种实施方式的倒置状态下的功率模块的侧视示意图，其中示出了具有散热针的第一散热底板和第二散热底板。
[0053]附图标记说明：
[0054]100：功率模块
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111：第一金属层
[0055]112：上桥芯片
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113：第一导电缓冲件
[0056]114：高压直流端子
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115：第三金属层
[0057]116：第一散热底板
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117：第一引线链接区
[0058]118：第一链接区
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119：第二链接区
[0059]121：第一控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：第一基板，所述第一基板包括第一金属层；第二基板，所述第二基板与所述第一基板间隔设置，所述第二基板包括第二金属层，且所述第二金属层与所述第一金属层相对设置；上桥芯片组，所述上桥芯片组设置于所述第一金属层，且所述上桥芯片组中的上桥芯片导通所述第一金属层与所述第二金属层；下桥芯片组，所述下桥芯片组设置于所述第二金属层，且所述下桥芯片组中的下桥芯片导通所述第一金属层与所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：第一导电缓冲件，位于所述上桥芯片与所述第二金属层之间且导通所述上桥芯片组与所述第二金属层；第二导电缓冲件，位于所述下桥芯片与所述第一金属层之间且导通所述下桥芯片组与所述第一金属层；所述第一导电缓冲件面向所述上桥芯片的一面到所述第二导电缓冲件面向所述下桥芯片的一面的最大距离小于所述第一导电缓冲件在厚度方向上的尺寸与所述第二导电缓冲件在厚度方向上的尺寸之和。3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述上桥芯片组设置于所述第一金属层面向所述第二金属层的一面，所述下桥芯片组设置于所述第二金属层面向所述第一金属层的一面；所述第一导电缓冲件设置于所述上桥芯片面向所述第二金属层的一侧；所述第二导电缓冲件设置于所述下桥芯片面向所述第一金属层的一侧。4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述上桥芯片在第一基板上的正投影与所述下桥芯片在第一基板上的正投影间隔设置。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一金属层包括第一链接区及第二链接区，所述上桥芯片设置在所述第一链接区，所述第一链接区与所述第二链接区绝缘设置；所述功率模块还包括高压直流端子，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海军，张海星，王垚，朱嘉宁，秦嗣涛，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：新型
国别省市：