一种晶圆处理系统以及处理方法技术方案

本公开实施例公开了一种晶圆处理系统以及处理方法，其中，所述晶圆处理系统，包括：至少两个研磨装置，对晶圆分别进行研磨工序；清洗装置，位于相邻两个研磨装置之间，为前一次研磨工序后的所述晶圆进行清洗工序；所述清洗装置包括多个支撑部件和多个第一液压装置，所述支撑部件用于支撑所述晶圆，每个支撑部件与一个第一液压装置连接，所述第一液压装置驱动所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动。所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动。所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理系统以及处理方法


[0001]本公开涉及化学机械研磨制程工艺，尤其涉及一种晶圆处理系统以及处理方法。

技术介绍

[0002]半导体元件由微细的电路线以高密度集成而制造，因此，在晶圆表面进行与此相应的精密的平坦研磨。为了更精密地进行晶圆的研磨，进行机械式研磨与化学式研磨并行的化学机械式研磨工序(CMP工序)。
[0003]但是现行化学机械研磨工序中，晶圆在研磨后会残留研磨液颗粒和副产物，刮伤晶圆，以及存在机台利用率和产能不高的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种晶圆处理系统以及处理方法。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种晶圆处理系统，包括：
[0006]至少两个研磨装置，对晶圆分别进行研磨工序；
[0007]清洗装置，位于相邻两个研磨装置之间，为前一次研磨工序后的所述晶圆进行清洗工序；
[0008]所述清洗装置包括多个支撑部件和多个第一液压装置，所述支撑部件用于支撑所述晶圆，每个支撑部件与一个第一液压装置连接，所述第一液压装置驱动所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动。
[0009]在一些实施例中，所述支撑部件包括滑动组件，所述滑动组件包括滑动台、滚动轴和滚轮，所述滑动台通过所述滚动轴与所述滚轮连接，所述滚轮用于支撑所述晶圆。
[0010]在一些实施例中，所述每个支撑部件与一个第一液压装置连接，所述第一液压装置驱动所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动，包括：
[0011]所述第一液压装置与所述滑动台连接，用于驱动所述滑动台进行垂直方向的气缸运动，从而带动滚轮进行垂直方向的气缸运动。
[0012]在一些实施例中，所述第一液压装置包括第一液压模块，所述第一液压模块通过第一导杆与所述滑动台连接，所述第一液压模块上安装有第一气管，所述第一气管上安装有第一开关；
[0013]所述滑动台内设置有第一卡控件；所述第一导杆与所述第一卡控件连接，所述第一卡控件用于限制所述滑动台进行垂直方向的气缸运动的距离。
[0014]在一些实施例中，所述清洗装置还包括多个第二液压装置，所述第二液压装置与所述滑动台连接，用于驱动所述滑动台进行水平方向的气缸运动，从而带动所述滚轮进行水平方向的气缸运动。
[0015]在一些实施例中，所述第二液压装置包括第二液压模块，所述第二液压模块通过第二导杆与所述滑动台连接，所述第二液压模块上安装有第二气管，所述第二气管上安装有第二开关；
[0016]所述滑动台内设置有第二卡控件；所述第二导杆与所述第二卡控件连接，所述第二卡控件用于限制所述滑动台进行水平方向的气缸运动的距离。
[0017]在一些实施例中，所述清洗装置还包括：驱动部件，所述驱动部件连接至所述滑动台，用于驱动所述滚轮进行旋转运动。
[0018]在一些实施例中，所述清洗装置还包括：
[0019]擦洗部件，包括位于所述滚轮的围设区域上方的上擦洗组件和位于所述滚轮的围设区域下方的下擦洗组件中的至少一种；所述上擦洗组件和所述下擦洗组件用于清洗所述晶圆；
[0020]清洗液供给部件，包括位于所述滚轮的围设区域上方的上清洗液供给组件和位于所述滚轮的围设区域下方的下清洗液供给组件中的至少一种，用于在所述上擦洗组件和所述下擦洗组件清洗所述晶圆期间，向所述晶圆提供清洗液。
[0021]在一些实施例中，还包括：
[0022]主清洗装置，对完成全部研磨工序的晶圆进行主清洗工序；
[0023]干燥装置，对完成主清洗工序的晶圆进行干燥工序。
[0024]在一些实施例中，所述研磨装置包括研磨头，所述研磨头实现晶圆在研磨装置和清洗装置之间的装载和卸载。
[0025]根据本公开实施例的第二方面，提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：
[0026]提供晶圆；
[0027]所述晶圆在第一研磨装置上进行第一次研磨工序；
[0028]所述晶圆移动至清洗装置，在所述清洗装置上进行清洗工序；
[0029]所述晶圆移动至第二研磨装置，在所述第二研磨装置上进行第二次研磨工序。
[0030]在一些实施例中，所述晶圆移动至清洗装置，包括：
[0031]所述清洗装置的滚轮通过第一液压装置进行垂直方向的气缸运动移动至第一预设位置；
[0032]所述滚轮通过第二液压装置进行远离所述滚轮的围设区域中心方向的气缸运动；
[0033]研磨头从所述第一研磨装置上装载所述晶圆、并将所述晶圆卸载于所述清洗装置的滚轮上，所述滚轮通过第二液压装置进行靠近所述滚轮的围设区域中心方向的气缸运动，进而夹紧所述晶圆；
[0034]所述滚轮通过第一液压装置进行垂直方向的气缸运动移动至第二预设位置。
[0035]在一些实施例中，所述在所述清洗装置上进行清洗工序，包括：
[0036]通过与滑动台连接的驱动部件的转动，带动清洗装置的滚轮向同一方向转动，进而使所述晶圆在水平方向上进行旋转；
[0037]位于所述滚轮的围设区域上方的上清洗液供给组件和/或位于所述滚轮的围设区域下方的下清洗液供给组件向所述晶圆提供清洗液，上擦洗组件和/或下擦洗组件对所述晶圆进行清洗。
[0038]在一些实施例中，所述晶圆移动至第二研磨装置，包括：
[0039]所述清洗装置的滚轮通过第一液压装置进行垂直方向的气缸运动移动至第三预设位置；
[0040]所述滚轮通过第二液压装置进行远离所述滚轮的围设区域中心方向的气缸运动，
进而松开所述晶圆；
[0041]研磨头从所述清洗装置上装载所述晶圆、并将所述晶圆卸载于所述第二研磨装置上。
[0042]在一些实施例中，还包括：
[0043]在完成第二次研磨工序后，将所述晶圆移动至主清洗装置，在所述主清洗装置上进行主清洗工序；
[0044]在完成主清洗工序后，将所述晶圆移动至干燥装置，对所述晶圆进行干燥工序。
[0045]在一些实施例中，所述清洗工序包括超声波清洗方式、化学试剂加去离子水清洗方式中的至少一种。
[0046]在一些实施例中，在完成第二次研磨工序之后，在所述主清洗装置上进行主清洗工序之前，所述晶圆处理方法还包括：
[0047]将完成第二次研磨工序的晶圆再依次进行第二次清洗工序和第三次研磨工序。
[0048]在一些实施例中，所述晶圆处理方法还包括：
[0049]在完成所述干燥工序后，将所述晶圆输送至晶圆载入埠中。
[0050]本公开实施例中，通过在至少两个研磨装置的相邻两个研磨装置之间设置清洗装置，在进入下一个研磨工序之前，先进行清洗工序，如此，既能去除研磨液和副产物的残留，减少刮伤缺陷的来源，又能节省传送的时间，提高效率和产能。并且，清洗装置的支撑部件能进行垂直方向的气缸运动，如此，能在研磨头装载或卸载晶圆时，进行空间上的调整，避免触碰其他部件，对晶圆造成损伤。
附图说明
[0051]为了更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理系统，其特征在于，包括：至少两个研磨装置，对晶圆分别进行研磨工序；清洗装置，位于相邻两个研磨装置之间，为前一次研磨工序后的所述晶圆进行清洗工序；所述清洗装置包括多个支撑部件和多个第一液压装置，所述支撑部件用于支撑所述晶圆，每个支撑部件与一个第一液压装置连接，所述第一液压装置驱动所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述支撑部件包括滑动组件，所述滑动组件包括滑动台、滚动轴和滚轮，所述滑动台通过所述滚动轴与所述滚轮连接，所述滚轮用于支撑所述晶圆。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述每个支撑部件与一个第一液压装置连接，所述第一液压装置驱动所述支撑部件进行垂直方向的气缸运动，包括：所述第一液压装置与所述滑动台连接，用于驱动所述滑动台进行垂直方向的气缸运动，从而带动滚轮进行垂直方向的气缸运动。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述第一液压装置包括第一液压模块，所述第一液压模块通过第一导杆与所述滑动台连接，所述第一液压模块上安装有第一气管，所述第一气管上安装有第一开关；所述滑动台内设置有第一卡控件；所述第一导杆与所述第一卡控件连接，所述第一卡控件用于限制所述滑动台进行垂直方向的气缸运动的距离。5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述清洗装置还包括多个第二液压装置，所述第二液压装置与所述滑动台连接，用于驱动所述滑动台进行水平方向的气缸运动，从而带动所述滚轮进行水平方向的气缸运动。6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述第二液压装置包括第二液压模块，所述第二液压模块通过第二导杆与所述滑动台连接，所述第二液压模块上安装有第二气管，所述第二气管上安装有第二开关；所述滑动台内设置有第二卡控件；所述第二导杆与所述第二卡控件连接，所述第二卡控件用于限制所述滑动台进行水平方向的气缸运动的距离。7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述清洗装置还包括：驱动部件，所述驱动部件连接至所述滑动台，用于驱动所述滚轮进行旋转运动。8.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述清洗装置还包括：擦洗部件，包括位于所述滚轮的围设区域上方的上擦洗组件和位于所述滚轮的围设区域下方的下擦洗组件中的至少一种；所述上擦洗组件和所述下擦洗组件用于清洗所述晶圆；清洗液供给部件，包括位于所述滚轮的围设区域上方的上清洗液供给组件和位于所述滚轮的围设区域下方的下清洗液供给组件中的至少一种，用于在所述上擦洗组件和所述下擦洗组件清洗所述晶圆期间，向所述晶圆提供清洗液。9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括：
主清洗装置，对完成全部研磨工序的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：安雪川，马姣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：