显示模组、显示模组的制造方法及电子设备技术

本申请提供的显示模组、显示模组的制造方法及电子设备，通过调整空穴注入层中P型掺杂物的掺杂比，使不同颜色子像素对应处的空穴注入层中P型掺杂物可以具有不同的掺杂比，进而可以调整不同颜色子像素界面处的空穴累积，改变整个子像素的整体电容。如此，可以减少不同子像素在出现拖影现象时产生的偏色。子像素在出现拖影现象时产生的偏色。子像素在出现拖影现象时产生的偏色。

【技术实现步骤摘要】
显示模组、显示模组的制造方法及电子设备


[0001]本申请涉及显示设备
，具体而言，涉及一种显示模组、显示模组的制造方法及电子设备。

技术介绍

[0002]有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）显示模组，因具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
[0003]然而目前的OLED显示模组中，因驱动电路和器件结构的影响，显示模组的显示画面在由低灰阶向高灰阶切换时，普遍存在高灰阶显示画面首帧的亮度低于正常亮度的问题，导致高灰阶显示画面出现拖影现象。由于不同颜色子像素所用材料的特性不同，与各不同颜色子像素对应的电容也有所不同，这会导致不同颜色子像素在出现拖影现象时的首帧占比不同，进而导致拖影产生一定偏色，影响用户视觉体验。

技术实现思路

为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种显示模组，所述显示模组包括阵列基板及位于所述阵列基板一侧的空穴注入层；所述空穴注入层包括与红色发光子像素对应的红色掺杂区、与绿色发光子像素对应的绿色掺杂区及与蓝色发光子像素对应的蓝色掺杂区；
[0004]所述红色掺杂区和/或所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比与所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比不同。
[0005]在一种可能的实现方式中，所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比。
[0006]在一种可能的实现方式中，所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比，所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于或等于3%。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括多个间隔设置第一电极及像素界定层，所述像素界定层包括分别暴露出多个所述第一电极的多个像素开口；所述第一电极通过所述像素界定层暴露出的区域在所述阵列基板上的正投影位于与该第一电极对应的所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区或所述蓝色掺杂区在所述阵列基板上的正投影内。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区和所述蓝色掺杂区，位于所述像素界定层界定出的像素开口内。
[0010]本申请的另一目的在于提供一种显示模组的制造方法，所述方法包括：提供阵列基板；
在所述阵列基板的一侧形成空穴注入层，所述空穴注入层包括与红色发光子像素对应的红色掺杂区、与绿色发光子像素对应的绿色掺杂区及与蓝色发光子像素对应的蓝色掺杂区；所述红色掺杂区和/或所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比与所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比不同。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述在所述阵列基板的一侧形成空穴注入层的步骤，包括：采用开口位置不同的掩膜板，在所述阵列基板的一侧蒸镀形成P型掺杂物的掺杂比不同的所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区和/或蓝色掺杂区。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述采用开口位置不同的掩膜板，在所述阵列基板的一侧蒸镀形成P型掺杂物的掺杂比不同的所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区和/或蓝色掺杂区的步骤，包括：采用开口位置不同的掩膜板，并采用不同的蒸发源温度，形成P型掺杂物的掺杂比不同的所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区和/或蓝色掺杂区。
[0013]本申请的另一目的在于提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请提供的所述显示模组。
[0014]相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：本申请提供的显示模组、显示模组的制造方法及电子设备，通过调整空穴注入层中P型掺杂物的掺杂比，使不同颜色子像素对应的处的空穴注入层中P型掺杂物的可以具有不同的掺杂比，进而可以调整不同颜色子像素界面处的空穴累积，改变整个子像素的整体电容。如此，从而可以减少不同子像素在出现拖影现象时产生的偏色。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0016]图1为现有技术的显示模组的示意图。
[0017]图2为本申请实施例提供的显示模组的示意图之一。
[0018]图3为本申请实施例提供的显示模组的示意图之二。
[0019]图4为本申请实施例提供的显示模组的示意图之三。
[0020]图5为本申请实施例提供的显示模组的制造方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
[0021]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0022]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通
技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0024]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、
ꢀ“
竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
[0026]请参照图1，图1为现有技术中显示模组的部分膜层示意图，所述显示模组包括阵列基板100及位于所述阵列基板100上的发光层。
[0027]所述阵列基板100包括阵列功能膜层110、位于所述阵列功能膜层110上的第一电极层及位于所述第一电极层远离所述阵列功能膜层110一侧的像素界定层130，所述第一电极层包括多个相互隔离的第一电极120，所述像素界定层130包括分别暴露出多个所述第一电极120的多个像素开口。
[0028]所述发光层包括空穴注入层410、空穴传输层420、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层610、电子注入层62本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括阵列基板及位于所述阵列基板一侧的空穴注入层；所述空穴注入层包括与红色发光子像素对应的红色掺杂区、与绿色发光子像素对应的绿色掺杂区及与蓝色发光子像素对应的蓝色掺杂区；所述红色掺杂区和/或所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比与所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比不同。2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比。3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述绿色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比，所述蓝色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比。4.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述红色掺杂区的P型掺杂物的掺杂比小于或等于3%。5.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括多个间隔设置第一电极及像素界定层，所述像素界定层包括分别暴露出多个所述第一电极的多个像素开口；所述第一电极通过所述像素界定层暴露出的区域在所述阵列基板上的正投影位于与该第一电极对应的所述红色掺杂区、所述绿色掺杂区或所述蓝色掺杂区在所述阵列基板上的正投影内。6.根据权利要求5所述的显示模组，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵学森，赵伟，李国孟，许瑾，张先平，边缘，周小康，于朝辉，王宏宇，
申请(专利权)人：北京维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：