阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法技术

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括衬底和阵列层。阵列层包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一栅极位于第一有源层远离衬底的一侧，形成顶栅结构。第二晶体管的第二栅极位于第二有源层靠近衬底的一侧，形成底栅结构。阵列层的第一极板和第二极板形成电容，且第一极板和第二栅极同层设置，第一极板和第二栅极能够同步制备。至少部分第二极板和第二有源层同层设置，第二极板和第二有源层能够同步制备。第一极板和第二极板能够分别与第二栅极和第二有源层同步制备，减少显示面板的制程，简化制备工艺，降低成本，提升显示面板良率。提升显示面板良率。提升显示面板良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高，低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)技术逐渐成为未来显示基板的主要发展方向。由于低温多晶硅(Low Temperature Poly
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Silicon，LTPS)晶体管迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，金属氧化物晶体管具有更低的泄漏电流，该技术将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管这两种晶体管的优势相结合，有助于高分辨率、低功耗、高画质的显示产品的开发。
[0003]在相关技术中，与制备低温多晶硅显示面板相比，制备LTPO显示面板需要更多的膜层，制备完成低温多晶硅晶体管之后，将铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)沉积在低温多晶硅晶体管上方以形成氧化物晶体管。LTPO显示面板的制程复杂，导致良率偏低、制造成本较高。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，旨在改善LTPO显示面板的制程复杂，导致良率偏低的问题。
[0005]本申请第一方面实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；阵列层，位于衬底一侧，阵列层包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一有源层和第一栅极，第一栅极位于第一有源层远离衬底一侧；第二晶体管包括第二有源层和第二栅极，第二栅极位于第二有源层靠近衬底一侧；第一有源层包括多晶氧化物半导体，第二有源层包括氧化物半导体；阵列层包括电容，电容包括第一极板和第二极板，第一极板和第二栅极同层设置，至少部分第二极板与第二有源层同层设置。
[0006]本申请第二方面的实施例提供一种显示面板，其包括上述任一实施方式的阵列基板。
[0007]本申请第三方面的实施例提供一种阵列基板的制备方法，制备方法包括：
[0008]在衬底上制备多晶氧化物半导体材料层，并对多晶氧化物半导体材料层进行图案化处理获得第一有源层；
[0009]在第一有源层背离衬底的一侧制备第一金属材料层，并对第一金属材料层进行图案化处理获得第一栅极、第二栅极和第一极板，第一栅极和第一有源层形成第一晶体管。
[0010]在第二栅极背离衬底的一侧制备氧化物半导体材料层，并对氧化物半导体材料层进行图案化处理获得第二有源层和第二极板，第二有源层和第二栅极形成第二晶体管，第一极板和第二极板形成电容。
[0011]根据本申请实施例的阵列基板，阵列基板包括衬底和阵列层。阵列层包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一栅极位于第一有源层远离衬底的一侧，形成顶栅结
构。第二晶体管的第二栅极位于第二有源层靠近衬底的一侧，形成底栅结构。阵列层的第一极板和第二极板形成电容，且第一极板和第二栅极同层设置，第一极板和第二栅极能够同步制备。至少部分第二极板和第二有源层同层设置，第二极板和第二有源层能够同步制备。第一极板和第二极板能够分别与第二栅极和第二有源层同步制备，减少显示面板的制程，简化制备工艺，降低成本，提升显示面板良率。
附图说明
[0012]通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
[0013]图1是本申请第一方面实施例提供的一种阵列基板的局部剖视图；
[0014]图2是另一实施例中的阵列基板的局部剖视图；
[0015]图3是又一实施例中的阵列基板的局部剖视图；
[0016]图4是再一实施例中的阵列基板的局部剖视图；
[0017]图5是还一实施例中的阵列基板的局部剖视图；
[0018]图6是还一实施例中的阵列基板的局部剖视图；
[0019]图7是本申请第三方面实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程示意图；
[0020]图8至图12是本申请第三方面实施例提供的一种阵列基板的制备过程示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]10、阵列基板；
[0023]100、衬底；
[0024]200、阵列层；210、第一晶体管；211、第一有源层；212、第一栅极；213、第一导电部；220、第二晶体管；221、第二有源层；222、第二栅极；230、电容；231、第一电容；232、第二电容；240、第一极板；241、第二导电部；250、第二极板；251、第一部分；252、第二部分；
[0025]300、源漏极层；310、第一源漏极；320、第二源漏极；
[0026]400、平坦化层；
[0027]500、第一金属层；
[0028]600、阻挡层；610、第一阻挡部；620、第二阻挡部；630、第三阻挡部；
[0029]700、氧化硅层；
[0030]800、氮化硅层。
具体实施方式
[0031]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
[0032]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实
体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0033]应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
[0034]本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，以下将结合附图对阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法的各实施例进行说明。
[0035]请参阅图1，图1是本申请第一方面实施例提供的一种阵列基板的局部剖视图。
[0036]如图1所示，本申请第一方面实施例提供一种阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；阵列层，位于所述衬底一侧，所述阵列层包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层和第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底一侧；所述第二晶体管包括第二有源层和第二栅极，所述第二栅极位于所述第二有源层靠近所述衬底一侧；所述第一有源层包括多晶氧化物半导体，所述第二有源层包括氧化物半导体；所述阵列层包括电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二栅极同层设置，至少部分所述第二极板与所述第二有源层同层设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列层还包括：源漏极层，位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括第一源漏极和第二源漏极，所述第一源漏极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第二源漏极位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括开关晶体管，所述开关晶体管包括第一导电部，所述第一导电部位于所述第一源漏极和所述第一有源层之间，所述第一导电部与所述第二有源层同层设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电部与所述第一有源层过孔连接；所述第二源漏极和第二有源层接触连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管还包括驱动晶体管，在所述驱动晶体管中，所述第一源漏极与所述第一有源层过孔连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素驱动电路和电源电路，所述驱动晶体管设置于所述像素驱动电路，所述开关晶体管设置于所述电源电路。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电容包括第一电容和第二电容，所述第一电容的所述第二极板包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分远离所述衬底的一侧；所述第一部分与所述第二有源层同层设置，所述第二部分与所述源漏极层同层设置；所述第二电容的所述第二极板与所述第二有源层同层设置。8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：平坦化层，位于所述源漏极层背离所述衬底的一侧，所述平坦化层上开设有多个过孔，所述第一源漏极和所述第二源漏极均由所述过孔露出；第一金属层，位于所述平坦化层背离所述衬底的一侧，所述第一金属层通过所述过孔与所述源漏极层电连接。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板和所述第一栅极同层设置。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：阻挡层，位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，李祥远，李暻洙，王冰，
申请(专利权)人：厦门天马显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：