三维存储器及其制备方法技术

本申请公开了一种三维存储器及其制造方法，所述方法包括：在衬底(110)上形成包括交替堆叠的电介质层(121)和牺牲层(122)的叠层结构(120)；形成贯穿叠层结构(120)的栅线缝隙(161)；以及经由栅线缝隙(161)，对靠近栅线缝隙(161)的部分电介质层(121)及牺牲层(122)进行刻蚀，以形成凹槽(162)，其中，凹槽(162)的底部位于牺牲层(122)中，并且在垂直于衬底(110)方向上，凹槽(162)尺寸的最小值大于等于对应的牺牲层(122)的尺寸。通过上述方法制作的三维存储器，在一定程度上避免了栅极层短接和栅极层断路的问题，提高了存储器的可靠性。提高了存储器的可靠性。提高了存储器的可靠性。提高了存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思敏，霍宗亮，徐伟，许波，郭亚丽，陈斌，张丝柳，苏界，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：