膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种膜状黏合剂。在该膜状黏合剂中，120℃下的剪切粘度为17000Pa

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已普及将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的层叠式MCP(Multi Chip Package：多晶片封装)，作为移动电话、便携式音频设备用存储器半导体封装件等而搭载。并且，伴随移动电话等的多功能化，也推进半导体封装件的高速化、高密度化、高积体化等。
[0003]目前，作为半导体装置的制造方法，通常使用半导体晶圆背面贴附方式，该半导体晶圆背面贴附方式在半导体晶圆的背面贴附具备黏合剂层及压敏胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜，然后切割半导体晶圆、黏合剂层及压敏胶黏剂层的一部分而使其单片化。例如，在专利文献1、2中公开了用于这样的方式的黏合剂层的膜状黏合剂。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2013/133275号
[0007]专利文献2：国际公开第2020/013250号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]然而，在层叠式MCP中，由于半导体元件层叠为多层，因此要求所使用的膜状黏合剂薄膜化(例如，厚度30μm以下)。然而，若将以往的膜状黏合剂薄膜化，则膜状黏合剂的支承部件的表面或半导体元件的表面的凹凸埋入性有时不充分，尚有改善的余地。通过改善膜状黏合剂的凹凸埋入性，能够提高所得到的半导体装置的连接可靠性，此外能够期待提高半导体装置的制造工艺中的产率。
[0010]膜状黏合剂的凹凸埋入性能够通过使膜状黏合剂低粘度化来提高。然而，若使用这样的低粘度的膜状黏合剂，则固化后的储能模量不充分，在无法设置接合线这样的引线接合性方面具有不充分的倾向。因此，要求膜状黏合剂能够实现薄膜化，并且能够兼顾凹凸埋入性与引线接合性(换句话说，能够兼顾固化前的低粘度化与固化后的高弹性化)。
[0011]因此，本专利技术的主要目的为提供一种能够实现薄膜化，且凹凸埋入性及引线接合性优异的膜状黏合剂。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术的一方面涉及一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂在120℃下的剪切粘度为17000Pa
·
s以下，以170℃、1小时的条件固化后的150℃下的储能模量为23MPa以上，厚度为30μm以下。根据本专利技术人等的研究，发现当固化前的120℃下的剪切粘度为17000Pa
·
s以
下，固化后的150℃下的储能模量为23MPa以上时，能够兼顾凹凸埋入性与引线接合性，此外容易形成薄膜。
[0014]膜状黏合剂的一方式含有环氧树脂、软化点为90℃以上的第1固化剂、软化点小于90℃的第2固化剂及弹性体。在该情况下，第1固化剂的软化点与第2固化剂的软化点的差可以为10℃以上。
[0015]环氧树脂也可以含有软化点为40℃以下的环氧树脂。
[0016]膜状黏合剂还可以含有无机填料。在该情况下，无机填料的平均粒径可以为0.7μm以下。
[0017]以膜状黏合剂的总质量为基准，弹性体的含量可以为22～45质量％。
[0018]膜状黏合剂可以用于将多个半导体元件层叠而成的半导体装置的制造工艺。在该情况下，半导体装置可以为层叠式MCP，也可以为三维NAND型存储器。
[0019]本专利技术的另一方面涉及一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由上述膜状黏合剂形成的黏合剂层。
[0020]本专利技术的另一方面涉及一种半导体装置。该半导体装置具备：半导体元件；支承部件，搭载半导体元件；及黏合部件，设置于半导体元件与支承部件之间，黏合导体元件与支承部件。黏合部件为上述膜状黏合剂的固化物。半导体装置也可以还具备层叠在半导体元件的表面上的其他半导体元件。
[0021]本专利技术的另一方面涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法的一方式包括：使上述膜状黏合剂介于半导体元件与支承部件之间或第1半导体元件与第2半导体元件之间，将半导体元件与支承部件、或第1半导体元件与第2半导体元件黏合的工序。
[0022]该半导体装置的制造方法的另一方式包括：在上述切割晶粒接合一体型膜的黏合剂层上贴附半导体晶圆的工序；通过切割贴附有黏合剂层的半导体晶圆，制作多个单片化的附有黏合剂片的半导体元件的工序；及经由黏合剂片将附有黏合剂片的半导体元件黏合于支承部件上的工序。半导体装置的制造方法也可以还包括经由黏合剂片将其他附有黏合剂片的半导体元件黏合于与支承部件黏合的半导体元件的表面上的工序。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，提供一种能够实现薄膜化，且凹凸埋入性及引线接合性优异的膜状黏合剂。并且，根据本专利技术，提供一种使用这样的膜状黏合剂的切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。此外，根据本专利技术，提供一种使用这样的切晶粘晶一体型膜的半导体装置的制造方法。
附图说明
[0025]图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。
[0026]图2是表示切割晶粒接合一体型膜的一实施方式的示意剖视图。
[0027]图3是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
[0028]图4是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
[0029]图5是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
[0030]以下，适当参考附图对本专利技术的实施方式进行说明。然而，本专利技术并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，除了特别明示的情况以外，其构成要素(也包括工序等)不是必须的。各图中的构成要素的大小为概念性的大小，构成要素之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
[0031]关于本专利技术中的数值及其范围也相同，并不限制本专利技术。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围内，一个数值范围所记载的上限值或下限值也可以替换成其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中记载的数值范围内，该数值范围的上限值或下限值也可以替换成实施例中所示的值。并且，分别单独记载的上限值及下限值能够任意地进行组合。并且，“A或B”只要包含A及B中的任一者即可，也可以包含两者。并且，只要没有特别说明，以下例示的材料可以单独使用一种，也可以组合两种以上来使用。在组合物中存在多个符合各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，组合物中的各成分的含量是指组合物中存在的该多个物质的合计量。
[0032]在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。关于(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他类似表述也相同。
[0033][膜状黏合剂][0034]图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。图1所示的膜状黏合剂1(黏合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种膜状黏合剂，其中，120℃下的剪切粘度为17000Pa
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s以下，以170℃、1小时的条件固化后的150℃下的储能模量为23MPa以上，厚度为30μm以下。2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其含有环氧树脂、软化点为90℃以上的第1固化剂、软化点小于90℃的第2固化剂及弹性体。3.根据权利要求2所述的膜状黏合剂，其中，所述第1固化剂的软化点与所述第2固化剂的软化点之差为10℃以上。4.根据权利要求2或3所述的膜状黏合剂，其中，所述环氧树脂含有软化点为40℃以下的环氧树脂。5.根据权利要求2至4中任一项所述的膜状黏合剂，其还含有无机填料。6.根据权利要求5所述的膜状黏合剂，其中，所述无机填料的平均粒径为0.7μm以下。7.根据权利要求2至6中任一项所述的膜状黏合剂，其中，以膜状黏合剂的总质量为基准，所述弹性体的含量为22～45质量％。8.根据权利要求1至7中任一项所述的膜状黏合剂，其用于将多个半导体元件层叠而成的半导体装置的制造工艺。9.根据权利要求8所述的膜状黏合剂，其中，所述半导体装置为三维NAND型存储器。10.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由权利要求1至7中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：国土由衣，中村奏美，山本和弘，青柳翔太，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：