一种晶棒切割中出现断线处理的方法技术

本发明专利技术涉及光伏制造技术领域，提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：提供第一切割线网，第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在待切晶棒沿高度方向通过第一切割线网切割且第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为余料晶棒；将余料晶棒从待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，第二切割晶棒的长度等于第一切割晶棒的高度；将第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。该晶棒切割中出现断线处理的方法，通过余料晶棒直接形成应用场景的硅片的二次利用，提高晶棒的利用率。棒的利用率。棒的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒切割中出现断线处理的方法


[0001]本专利技术涉及光伏制造
，具体涉及一种晶棒切割中出现断线处理的方法。

技术介绍

[0002]硅片是光伏电池领域重要的制作材料之一，光伏电池的成本90％以上为硅片成本。目前硅片一般通过硅棒切割得到，如何提高制程过程中硅棒利用率，对硅片甚至光伏电池整体成本降低至关重要。硅棒切割使用材料为金刚线，金刚线通过导线轮的引导，在主线辊上形成一张切割线网，而硅棒通过工作台的下降实现进给，金刚线由下而上切割硅棒。
[0003]硅棒切割过程中，会因各种因素导致金刚线发生断线。随着金刚线的线径和硅片厚度的进一步降低，导致金刚线的断线率进一步上升。现有技术中，金刚线发生断线之后，会采用断线端与切割线网的始端或终端之间的切割线网对晶棒继续进行切割，而位于断线端与切割线网的终端或始端之间的上部的晶棒不被切割，不切割的一段则作为废料，造成晶棒的利用率低。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的晶棒的利用率低的缺陷，从而提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，通过将余料晶棒直接形成应用场景的硅片的二次利用，提高晶棒的利用率。
[0005]本专利技术提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：提供第一切割线网，所述第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以所述第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将所述待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为所述余料晶棒；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度；将所述第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。
[0006]可选的，所述余料晶棒包括被所述第一切割线网切割形成的待去除部以及所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中形成的截断面；取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤包括：对所述截断面进行修平处理，以得到齐平的截断面；以及，将所述待去除部去除。
[0007]可选的，将所述待去除部去除的步骤包括：采用磨平机对所述待去除部进行机械磨平加工，直至将所述待去除部去除，得到齐平的表面。
[0008]可选的，对所述截断面进行修平处理的步骤包括：采用磨平机对所述截断面进行机械加工。
[0009]可选的，在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，在所述第一切割线网断线处形成初始断线端，所述待切晶棒以所述初始断线端为界限划分为第一子切割晶棒和子余料晶棒；所述子余料晶棒的长度小于或等于所述第一子切割晶棒的高度；晶棒
切割中出现断线处理的方法还包括：将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网的剪切端形成基准断线端，所述待切晶棒以所述基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。
[0010]可选的，所述第一切割线网具有第一线端和第二线端；所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一线端之间的所述第一线圈沿着所述切割槽对所述第一切割晶棒进行切割，得到成品硅片。
[0011]可选的，对所述第二切割晶棒进行切割处理的过程包括：去除所述第一切割线网后提供第二切割线网，所述第二切割线网对应所述第一切割线网的位置设置，所述第二切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第二线圈；将所述第二切割晶棒放置在所述第二切割线网上进行切割。
[0012]可选的，将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之前，所述余料晶棒的宽度方向与所述第一切割晶棒的宽度方向对应，所述第一切割晶棒的长度方向和所述余料晶棒的长度方向均与所述第一线圈的中心轴方向平行，所述第一切割晶棒的长度大于所述余料晶棒的长度，所述余料晶棒的高度方向与所述第一切割晶棒的高度方向对应；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤还包括：将所述余料晶棒逆时针旋转90度；所述第二切割晶棒的宽度方向与所述余料晶棒的宽度方向对应；所述第一切割晶棒的宽度尺寸等于所述第二切割晶棒的宽度尺寸；所述第二切割晶棒的高度方向于所述余料晶棒的长度方向对应；所述第二切割晶棒的长度方向与所述余料晶棒的高度方向对应。
[0013]可选的，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度的两倍，晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下之后，去除待去除部；去除待去除部之后，对余料晶棒进行截断处理，得到第一余料晶棒和第二余料晶棒；分别对所述第一余料晶棒和第二余料晶棒的截断面进行修平处理，得到两个第二切割晶棒。
[0014]可选的，所述待切晶棒的数量为若干个；若干个所述待切晶棒分别通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，若干个待切晶棒形成多个所述第一切割晶棒和多个所述余料晶棒，对所述余料晶棒进行处理得到若干个所述第二切割晶棒；对所述第二切割晶棒进行切割处理的步骤为：对若干个所述第二切割晶棒同时进行切割处理。
[0015]本专利技术的有益效果在于：
[0016]本专利技术提供的一种晶棒切割中出现断线处理的方法，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，由于所述余料晶棒具有被所述第一切割线网切割形成的待去除部，以及后续将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中，所述余料晶棒具有截断面，将长度大于所述第一切割晶棒的高度的部分所述待切晶棒确定为所述余料晶棒的目的是取所述余料晶棒的部分的过程中，需要修平截面以使得到的所述第二晶棒的表面平整；对所述第二切割晶棒进行切割处理，能够提高所述第二切割晶棒在切割过程中的整体一致性和均匀性；其次，修平截面之后，所述余料晶棒的长度会减小，得到
的第二切割晶棒中所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度。在后续对第二切割晶棒进行切割之前，通过调整第二切割晶棒的粘结方式，第二切割晶棒的长度方向上的尺寸等于所述第一切割晶棒的高度方向上的尺寸，在后续对第二切割晶棒进行切割的过程中，沿所述第二切割晶棒的长度方向进行切割处理。这样在对所述第二切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸与对第一切割晶棒进行切割处理之后得到硅片的尺寸一致，满足工艺生产的需求。综上，在第一切割线网断线之后，对所述余料晶棒进行合理加工得到第二切割晶棒，对第二切割晶棒进行二次利用，能够提高所述第二切割晶棒的利用率，进而提高晶棒的利用率。
[0017]进一步地，所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，采用所述基准断线端与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，包括：提供第一切割线网，所述第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在所述待切晶棒沿高度方向通过所述第一切割线网切割且所述第一切割线网断线时，所述待切晶棒以所述第一切割线网的基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，其中：将所述待切晶棒中长度大于所述第一切割晶棒高度的部分确定为所述余料晶棒；将所述余料晶棒从所述待切晶棒截下，取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒，所述第二切割晶棒的长度等于所述第一切割晶棒的高度；将所述第二切割晶棒沿长度方向进行切割处理。2.根据权利要求1所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述余料晶棒包括被所述第一切割线网切割形成的待去除部以及所述余料晶棒从所述待切晶棒截下的过程中形成的截断面；取所述余料晶棒的部分得到第二切割晶棒的步骤包括：对所述截断面进行修平处理，以得到齐平的截断面；以及，将所述待去除部去除。3.根据权利要求2所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，将所述待去除部去除的步骤包括：采用磨平机对所述待去除部进行机械磨平加工，直至将所述待去除部去除，得到齐平的表面。4.根据权利要求2所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，对所述截断面进行修平处理的步骤包括：采用磨平机对所述截断面进行机械加工。5.根据权利要求1
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4任一项所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，在所述第一切割线网断线之后、将所述余料晶棒截下之前，在所述第一切割线网断线处形成初始断线端，所述待切晶棒以所述初始断线端为界限划分为第一子切割晶棒和子余料晶棒；所述子余料晶棒的长度小于或等于所述第一子切割晶棒的高度；晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：将所述第一切割线网自所述初始断线端朝向所述第一子切割晶棒的长度方向剪掉部分以在所述第一切割线网的剪切端形成基准断线端，所述待切晶棒以所述基准断线端为界限划分为第一切割晶棒和余料晶棒，所述余料晶棒的长度大于所述第一切割晶棒的高度。6.根据权利要求5所述的晶棒切割中出现断线处理的方法，其特征在于，所述第一切割线网具有第一线端和第二线端；所述第一切割晶棒的底部区域具有在所述第一切割线网断线前形成的切割槽；所述晶棒切割中出现断线处理的方法还包括：在所述第一切割线网断线之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：张银鹏，王进，任检，
申请(专利权)人：安徽华晟新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：