本发明专利技术提供一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,包括基材层以及形成在所述基材层的一侧上的离型层;其中,所述离型层使用UV固化;所述离型层包括:离型主剂乙烯基醚封端聚硅氧烷,活性稀释剂小分子乙烯基醚封端聚硅氧烷或者季戊四醇四丙烯酸,光引发剂2
【技术实现步骤摘要】
MLCC用高表面能低粗糙度离型膜及其制备方法
[0001]本专利技术涉及离型膜领域,尤其涉及一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜及其制备方法。
技术介绍
[0002]MLCC是片式多层陶瓷电容器,具有旁路、去藕、滤波和储能的作用,是基础的电子元件。随着世界电子产业的快速发展,为满足电子仪器及产品小型化、大容量化、高可靠性和低成本的需求,MLCC作为电子产品的基础元件,随着5G的推广催生更多的电子需求,对MLCC的需求增加。近几年来,MLCC在新能源汽车、智能穿戴设备的带动下需求持续向好。
[0003]随着现代科技的进步与电容性能的不断提高,MLCC主要用于各类军用、民用电子整机中的振荡、耦合、滤波、旁路电路中,应用领域已经拓展到自动化控制仪表、计算机、手机、数字家电、汽车电器等行业。上世纪90年代后期,在电子产业发展迅猛的条件下,各MLCC厂家纷纷增资扩产,国内MLCC产量也急剧增长。同时,随着中国MLCC行业规模的不断扩大,中国MLCC在全球市场中的地位也在逐步提高。
[0004]目前,MLCC厂商流延浆料的厚度越来越薄,最薄的流延厚度只在1um左右,这样对于离型材料的各项性能要求越来越高,目前针对超薄流延厚度的高端品MLCC主要问题在于涂布浆料缩孔和浆料表观有针孔及较难剥离等问题,该专利主要利于离型膜的高表面能的特点完美解决流延时浆料缩边的问题,利用离型膜的低粗糙度解决客户流延超薄厚度时带来的不易剥离及针孔等不良现象。
[0005]因此,需要设计出一种新型的MLCC用高表面能低粗糙度离型膜以解决流延时浆料缩边的问题,利用离型膜的低粗糙度解决客户流延超薄厚度时带来的不易剥离及针孔等不良现象。
技术实现思路
[0006]为了克服现有技术的不足,本专利技术的第一个目的是提供一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,包括基材层以及形成在所述基材层的一侧上的离型层;其中,所述离型层使用UV固化;所述离型层包括:离型主剂乙烯基醚封端聚硅氧烷,活性稀释剂小分子乙烯基醚封端聚硅氧烷或者季戊四醇四丙烯酸,光引发剂2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮。
[0007]在一些实施例中,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:(20
‑
50):(3
‑
7)。
[0008]在一些实施例中,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:40:5。
[0009]在一些实施例中,所述基材层十点平均粗糙度(SRz)为小于等于150nm。
[0010]在一些实施例中,所述离型层在UV固化之后的粗糙度为30
‑
120nm。
[0011]在一些实施例中,所述乙烯基醚封端聚硅氧烷封端的乙烯基醚为6个或者4个。
[0012]在一些实施例中,所述离型膜的残余接着率大于等于95%。
[0013]在一些实施例中,所述离型膜的水滴角为100
‑
103
°
。
[0014]本专利技术的第二个目的是提供一种如上的MLCC用高表面能低粗糙度离型膜的制备方法,包括以下步骤:
[0015]步骤一:混合离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂,UV固化下以形成离型层;
[0016]步骤二:将所述离型层涂覆于基材层的一侧,以形成最终产品。
[0017]相比现有技术,本专利技术的有益效果在于:本专利技术涉及一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,包括基材层以及形成在所述基材层的一侧上的离型层;其中,所述离型层使用UV固化;所述离型层包括:离型主剂乙烯基醚封端聚硅氧烷,活性稀释剂小分子乙烯基醚封端聚硅氧烷或者季戊四醇四丙烯酸,光引发剂2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮。本专利技术还涉及该离型膜的制备方法。通过本专利技术形成的离型膜具有表面能高,粗糙度低,无排骨纹,平整度高的优点,适用于MLCC超薄流延厚度的应用,有效的解决超薄流延涂布时发生的缩边和针孔不良等问题。
[0018]本上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本专利技术的较佳实施例详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例详细给出。
具体实施方式
[0019]下面,结合具体实施方式,对本专利技术做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0020]MLCC厂商流延浆料的厚度越来越薄,最薄的流延厚度只在1um左右,这样对于离型材料的各项性能要求越来越高,目前针对超薄流延厚度的高端品MLCC主要问题在于涂布浆料缩孔和浆料表观有针孔及较难剥离等问题。为了解决上述问题,本专利技术涉及一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,包括基材层以及形成在所述基材层的一侧上的离型层;其中,所述离型层使用UV固化;所述离型层包括:离型主剂乙烯基醚封端聚硅氧烷,活性稀释剂小分子乙烯基醚封端聚硅氧烷或者季戊四醇四丙烯酸,光引发剂2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮(即光引发剂为1173)。由此制备的离型膜具有表面能高,粗糙度低,无排骨纹,平整度高的优点,适用于MLCC超薄流延厚度的应用,有效的解决超薄流延涂布时发生的缩边和针孔不良等问题。该专利主要利于离型膜的高表面能的特点完美解决流延时浆料缩边的问题,利用离型膜的低粗糙度解决客户流延超薄厚度时带来的不易剥离及针孔等不良现象,UV固化解决常规热固化导致的排骨纹现象,提供高平整度的离型材料。此外,不同于现有技术中使用热固化,不能排除基材受热导致的排骨纹现象;本专利技术使用UV固化离型剂,避免了基材受热导致的排骨纹,并且可以得到表面能较高的离型面。
[0021]为了保证最终离型膜的性能,在一些实施例中,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:(20
‑
50):(3
‑
7)。
[0022]为了保证离型力的大小、固化效果及残余接着率,在一些实施例中,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:40:5。
[0023]在一些实施例中,所述基材层十点平均粗糙度(SRz)为小于等于150nm。
[0024]在一些实施例中,所述离型层在UV固化之后的粗糙度为30
‑
120nm。
[0025]在一些实施例中,所述乙烯基醚封端聚硅氧烷封端的乙烯基醚为6个或者4个。
[0026]在一些实施例中,所述离型膜的残余接着率大于等于95%。
[0027]在一些实施例中,所述离型膜的水滴角为100
‑
103
°
。
[0028]本专利技术还涉及一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜的制备方法,包括以下步骤:<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,其特征在于,包括基材层以及形成在所述基材层的一侧上的离型层;其中,所述离型层使用UV固化;所述离型层包括:离型主剂乙烯基醚封端聚硅氧烷,活性稀释剂小分子乙烯基醚封端聚硅氧烷或者季戊四醇四丙烯酸,光引发剂2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮。2.如权利要求1所述的MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,其特征在于,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:(20
‑
50):(3
‑
7)。3.如权利要求2所述的MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,其特征在于,所述离型主剂、活性稀释剂以及光引发剂质量比例为100:40:5。4.如权利要求1所述的MLCC用高表面能低粗糙度离型膜,其特征在于,所述基材层十点...
【专利技术属性】
技术研发人员:金闯,冯慧杰,李智,石翔雨,
申请(专利权)人:江苏斯迪克新材料科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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