一种晶圆旋转喷淋去胶机制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆旋转喷淋去胶机，包括机架，还包括供液系统，设置在机架内，用于储存、并为晶圆清洗提供清洗液；晶圆清洗系统，设置在机架一侧，用于放置晶圆，并对晶圆进行旋转喷淋清洗；清洗液传输系统，设置在机架内且连通供液系统和晶圆清洗系统，用于传输清洗液；气体传输系统，设置在机架内，连通至晶圆清洗系统，用于为晶圆清洗系统提供清洗气体；PLC控制系统，设置在机架面板上，用于控制晶圆清洗过程，本发明专利技术通过供液系统和清洗液传输系统的配合，具有可靠的清洗液传输，减少了清洗液的浪费和污染的风险，从而提高了清洗液的利用率，确保了晶圆清洗的稳定性和可靠性。确保了晶圆清洗的稳定性和可靠性。确保了晶圆清洗的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆旋转喷淋去胶机


[0001]本专利技术属于晶圆清洗
，具体涉及一种晶圆旋转喷淋去胶机。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。随着第三代半导体制程的不断发展，晶片清洗技术也在逐步完善。晶片在研磨、抛光、外延等工艺过程中，难以避免的受到环境、人员、设备、工具等影响而引入污染物。其中，污染物可大致分类为颗粒、有机物、金属污染物、氧化层。在半导体晶片的制造过程中，特别是外延生长过程前后，如晶片表面有污染物残留，会直接导致外延片失效，或者器件加工失效，因此在晶片进行外延前，为避免污染物的影响必须对晶片进行清洗。半导体晶片清洗方法有湿法清洗、干法清洗及干湿结合清洗，其中又以湿法清洗为主流清洗方法。该清洗工艺完成后需要对晶圆进行干燥，晶圆甩干机用于将潮湿的晶圆通过旋转及干燥使晶圆表面干燥。为了提高干燥洁净效果，业内采用往密封的甩干机筒体内通入洁净氮气，使设备具有强制干燥功能，晶圆在甩干的同时，附加氮气干燥作用，彻底去除晶圆表面的尘粒，让晶圆表面干燥。。
[0003]在半导体工艺中，清洗液传输系统是非常关键的设备部件之一，传输系统的性能和清洗液的质量直接影响半导体器件的质量和工艺效率。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆旋转喷淋去胶机，具有可靠的清洗液传输系统和高效的清洗液处理能力，能够满足半导体工艺的高要求。
[0005]本专利技术提供的技术方案如下：
[0006]一种晶圆旋转喷淋去胶机，包括机架，还包括供液系统，设置在机架内，用于储存、并为晶圆清洗提供清洗液；
[0007]晶圆清洗系统，设置在机架一侧，用于放置晶圆，并对晶圆进行旋转喷淋清洗；
[0008]清洗液传输系统，设置在机架内且连通供液系统和晶圆清洗系统，用于传输清洗液；
[0009]气体传输系统，设置在机架内，连通至晶圆清洗系统，用于为晶圆清洗系统提供清洗气体；
[0010]PLC控制系统，设置在机架面板上，与供液系统、晶圆清洗系统、清洗液传输系统以及气体传输系统电连接，用于控制晶圆清洗过程。
[0011]进一步的，机架上设有用于控制阀门的阀门控制模块，以及用于供气、供液的厂务模块。
[0012]进一步的，供液系统包括两个第一储液罐和两个第二储液罐，第一储液罐为加热罐，第一储液罐、第二储液罐的一侧均连通有酸泵。
[0013]进一步的，第一储液罐包括外罐体，外罐体内设有加热罐体，加热罐体外侧包裹有加热层，加热罐体顶部设有第一盖板，第一盖板上设有进水口、两个气动阀以及若干个储液罐安装架，第一储液罐底部设有第一排水管。
[0014]进一步的，第二储液罐包括罐体，罐体内设有冷却管，罐体顶部设有第二盖板，第二盖板上设有进水口、两个气动阀以及若干个储液罐安装架，第二储液罐底部设有第二排水管。
[0015]进一步的，晶圆清洗系统包括腔体和电机，腔体内设有晶圆盒以及转子，电机的输出端与转子连接以带动晶圆盒转动，腔体上设有与喷淋管道、以及通气管道。
[0016]进一步的，清洗液传输系统包括连通供液系统与晶圆清洗系统的输液管道，输液管道末端通过并联电磁阀与晶圆清洗系统连通，并联电磁阀下方设有回水管路连通至供液系统，回水管路上设有流量计。
[0017]进一步的，输液管道上设有分别配合两个第一储液罐、两个第二储液罐的四个塑料过滤器、以及四个SUS过滤器。
[0018]进一步的，气体传输系统包括氮气传输管道和二氧化碳传输管道，氮气传输管道包括连通至通气管道的氮气干燥管道、以及连通至喷淋管道的氮气净化管道，氮气干燥管道上设有氮气加热器，氮气干燥管道末端设有气体过滤器，二氧化碳传输管道上设有二氧化碳流量计和气体过滤器。
[0019]综上所述，本专利技术的有益效果是：
[0020](1)本专利技术通过供液系统和清洗液传输系统的配合，具有可靠的清洗液传输，清洗液可以在供液系统和晶圆清洗系统之间进行高效稳定的传输，减少了清洗液的浪费和污染的风险，从而提高了清洗液的利用率，确保了晶圆清洗的稳定性和可靠性。
[0021](2)本专利技术的供液系统可以储存大量的清洗液，并通过清洗液传输系统进行高效的传输，确保晶圆清洗过程中的清洗液供应。
[0022](3)本专利技术的气体传输系统通过将气体混入清洗液来调节清洗液中的PH值，将清洗液在清洗过程中的PH值控制在一定范围内，并通过混入氮气来清除清洗液中的气泡，提高清洗效果和清洗液的稳定性，提高清洗质量。
附图说明
[0023]图1为本专利技术的结构示意图；
[0024]图2为本专利技术另一视角的构示意图；
[0025]图3为本专利技术第一储液罐的结构示意图；
[0026]图4为本专利技术第一储液罐的剖面结构示意图；
[0027]图5为本专利技术第二储液罐的结构示意图；
[0028]图6为本专利技术第二储液罐的剖面结构示意图；
[0029]图7为本专利技术晶圆清洗腔体结构示意图；
[0030]图8为本专利技术清洗液传输系统结构示意图；
[0031]图9为本专利技术气体传输系统结构示意图。
[0032]附图标记如下：
[0033]1、机架；2、供液系统；3、晶圆清洗系统；4、清洗液传输系统；5、气体传输系统；6、
PLC控制系统；11、阀门控制模块；12、厂务模块；21、第一储液罐；22、第二储液罐；23、酸泵；24、气动阀；25、储液罐安装架；26、进水口；211、外罐体；212、加热罐体；213、加热层；214、第一盖板；215、第一排水管；221、罐体；222、冷却管；223、第二盖板；224、第二排水管；31、腔体；32、电机；33、喷淋管道；34、通气管道；41、输液管道；42、并联电磁阀；43、回水管路；44、流量计；45、塑料过滤器；46、SUS过滤器；51、氮气干燥管道；52、氮气净化管道；53、二氧化碳输送管道；54、氮气加热器；55、气体过滤器；56、二氧化碳流量计。
具体实施方式
[0034]为了加深对本专利技术的理解，下面将结合实施例对本专利技术作进一步详述，以下实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。
[0035]如图1
‑
9所示，一种晶圆旋转喷淋去胶机，包括机架1，在机架1上设置有供液系统2、晶圆清洗系统3、清洗液传输系统4、气体传输系统5以及PLC控制系统6，其中，供液系统2，设置在机架1内，用于储存、并为晶圆清洗提供清洗液；晶圆清洗系统3，设置在机架1一侧，用于放置晶圆，并对晶圆进行旋转喷淋清洗；清洗液传输系统4，设置在机架1内且连通供液系统2和晶圆清洗系统3，用于传输清洗液；气体传输系统5，设置在机架1内，连通至晶圆清洗系统3，用于为晶圆清洗系统3提供清洗气体；PLC控制系统6，设置在机架1面板上，与供液系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆旋转喷淋去胶机，包括机架(1)，其特征在于，还包括供液系统(2)，设置在所述机架(1)内，用于储存、并为晶圆清洗提供清洗液；晶圆清洗系统(3)，设置在机架(1)一侧，用于放置晶圆，并对晶圆进行旋转喷淋清洗；清洗液传输系统(4)，设置在机架(1)内且连通供液系统(2)和晶圆清洗系统(3)，用于传输清洗液；气体传输系统(5)，设置在机架(1)内，连通至晶圆清洗系统(3)，用于为晶圆清洗系统(3)提供清洗气体；PLC控制系统(6)，设置在机架(1)面板上，与所述供液系统(2)、晶圆清洗系统(3)、清洗液传输系统(4)以及气体传输系统(5)电连接，用于控制晶圆清洗过程。2.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转喷淋去胶机，其特征在于，所述机架(1)上设有用于控制阀门的阀门控制模块(11)，以及用于供气、供液的厂务模块(12)。3.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转喷淋去胶机，其特征在于，所述供液系统(2)包括两个第一储液罐(21)和两个第二储液罐(22)，所述第一储液罐(21)为加热罐，第一储液罐(21)、第二储液罐(22)的一侧均连通有酸泵(23)。4.根据权利要求3所述的一种晶圆旋转喷淋去胶机，其特征在于，所述第一储液罐(21)包括外罐体(211)，所述外罐体(211)内设有加热罐体(212)，加热罐体(212)外侧包裹有加热层(213)，加热罐体(212)顶部设有第一盖板(214)，第一盖板(214)上设有进水口(26)、两个气动阀(24)以及若干个储液罐安装架(25)，第一储液罐(21)底部设有第一排水管(215)。5.根据权利要求4所述的一种晶圆旋转喷淋去胶机，其特征在于，所述第二储液罐(22)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维，姚建南，张旭东，邵建新，李建国，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：