一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备，晶圆清洗溢流槽包括顶端开口的水槽本体；至少设置在水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于水槽本体的顶部的进水管在水槽本体上的高度低于水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；每个进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；各个进水管均沿设定方向贯穿水槽本体；其中，设定方向为当被清洗晶圆放置于水槽本体内时和被清洗晶圆垂直的方向。本申请中在水槽本体的底部和顶部均设置有进水管，位于水槽本体的底部和顶部的进水管即可同步对晶圆表面进行喷水清洗，保证晶圆整个表面均可以处于稳定的水流场中，提升对晶圆清洗的均匀性和全面性。全面性。全面性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备。

技术介绍

[0002]半导体在湿法清洗设备工艺中，一般在化学槽后会放置一个溢流槽，用于清洗晶圆表面的化学液和杂质。在对晶圆表面进行清洗的过程中，一般是从溢流槽的底部不断注入清洗液体，随着清洗液体的不断注入直至溢流槽被灌满，过多的液体从溢流槽的顶端部位溢出；从溢流槽底部注入的清洗液体，向在溢流槽内流动过程中形成流经晶圆表面的稳定的水流场，进而达到清洗晶圆表面的物质的作用。但目前溢流槽在实际清洗的晶圆的过程中，随着晶圆的面积增大，容易出现晶圆表面清洗不均匀的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备，能够在一定程度上提升晶圆清洗的均匀性和全面性。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆清洗溢流槽，包括：
[0005]顶端开口的水槽本体；
[0006]至少设置在所述水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于所述水槽本体的顶部的所述进水管在所述水槽本体上的高度低于所述水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；
[0007]每个所述进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；
[0008]各个所述进水管均沿设定方向贯穿所述水槽本体；其中，所述设定方向为当被清洗晶圆放置于所述水槽本体内时和所述被清洗晶圆垂直的方向。
[0009]在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶部的两侧至少对称设置有两个第一进水管；且所述第一进水管中在所述水槽本体内位置最高的第一进水管和所述水槽本体的中心位置在竖直方向的高度差不小于所述被清洗晶圆的半径；
[0010]所述水槽本体的底部至少设置有三个第二进水管，且各个所述第二进水管之间呈弧形分布，以使各个所述第二进水管和所述水槽本体的中心位置之间的距离相同。
[0011]在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶部侧壁上设置有向外凸起的条形凹槽，用于容纳位于所述第二进水管。
[0012]在本申请的一种可选地实施例中，所述进水管上的各个所述喷流孔均为喷射液体的方向均指向所述水槽本体中心区域的水孔结构。
[0013]在本申请的一种可选地实施例中，所述进水管上的各个所述喷流孔均至少两个为一组设置；
[0014]同一组的各个所述喷流孔之间的间距小于相邻两组所述喷流孔之间的间距。
[0015]在本申请的一种可选地实施例中，所述喷流孔为线型喷流孔。
[0016]在本申请的一种可选地实施例中，各个所述进水管均和所述水槽本体之间可拆卸
的连接。
[0017]在本申请的一种可选地实施例中，设置在所述水槽本体的底部的第一进水管的内壁直径大于设置在所述水槽本体的顶部的第二进水管的内壁直径。
[0018]在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶端开口边缘具有V型口。
[0019]一种晶圆清洗设备，包括如上任一项所述的晶圆清洗溢流槽。
[0020]本技术所提供的一种晶圆清洗溢流槽和晶圆清洗设备，该晶圆清洗溢流槽，包括顶端开口的水槽本体；至少设置在水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于水槽本体的顶部的进水管在水槽本体上的高度低于水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；每个进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；各个进水管均沿设定方向贯穿水槽本体；其中，设定方向为当被清洗晶圆放置于水槽本体内时和被清洗晶圆垂直的方向。
[0021]本申请中相对于常规的溢流槽不同的是，在水槽本体的底部和顶部均设置有进水管，在实际对晶圆表面进行清洗的过程中，分别位于水槽本体的底部和顶部的进水管即可同步对晶圆表面进行喷水清洗，保证晶圆整个表面均可以处于稳定的水流场中，相较于目前常规的溢流槽中仅仅只在水槽底部设置进水管的方式而言，本申请中能够在一定程度上提升对晶圆清洗的均匀性和全面性，进而保证晶圆的清洗效果。
附图说明
[0022]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本申请实施例提供的晶圆清洗溢流槽的结构示意图；
[0024]图2为本申请实施例提供的晶圆清洗溢流槽中水流场分布的示意图；
[0025]图3为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的结构示意图；
[0026]图4为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的分布示意图；
[0027]图5为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的另一分布示意图。
具体实施方式
[0028]在常规的溢流槽中，一般会在槽底设置多个带有喷水孔的进水管。当晶圆被放置在该溢流槽内时，各个喷水孔在溢流槽内右下向上的喷射水流，并形成流经晶圆表面的稳定水流场，实现对晶圆表面的清洗。
[0029]可以理解的是，对于这种清洗方式形成的稳定水流场在竖直方向的高度取决于喷水孔喷射水流所能够达到的高度。对于小尺寸的晶圆而言，可以保证晶圆的整个表面均处于水流场中；但随着晶圆尺寸的增大，溢流槽的尺寸也相应增大，即便在槽底布设多个进水管，进水管上喷水孔喷射水流的高度存在上限，也即使得稳定水流场在竖直方向的高度存在上限，一旦晶圆竖直放置在溢流槽内，其高度大于稳定水流场的高度上限，就使得晶圆进部分表面处于稳定水流场中，而顶部部分表面在处于水流流速基本可以忽略不计的清洗液体中，而达不到对该部分表面进行清洗的效果，也就造成晶圆表面清洗不均匀的问题。
[0030]尽管可以通过增大各个进水管上喷水孔喷射水流的压力大小增大喷射水流的高
度，但显然会导致晶圆下半部分表面所承受的水流冲击压力过大，增大晶圆破损的风险。
[0031]为此，本申请中提供了一种保证晶圆安全性的基础上，能够对晶圆表面进行更均匀的清洗的技术方案。
[0032]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0033]如图1至图5所示，图1为本申请实施例提供的晶圆清洗溢流槽的结构示意图，图2为本申请实施例提供的晶圆清洗溢流槽中水流场分布的示意图，图3为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的结构示意图，图4为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的分布示意图，图5为本申请实施例提供的进水管上喷流孔的另一分布示意图。
[0034]在本申请的一种具体实施例中，该晶圆清洗溢流槽具体可以包括：
[0035]顶端开口的水槽本体1；至少设置在水槽本体1的底部和顶部的进水管2；且位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗溢流槽，其特征在于，包括：顶端开口的水槽本体；至少设置在所述水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于所述水槽本体的顶部的所述进水管在所述水槽本体上的高度低于所述水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；每个所述进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；各个所述进水管均沿设定方向贯穿所述水槽本体；其中，所述设定方向为当被清洗晶圆放置于所述水槽本体内时和所述被清洗晶圆垂直的方向。2.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述水槽本体的顶部的两侧至少对称设置有两个第一进水管；且所述第一进水管中在所述水槽本体内位置最高的第一进水管和所述水槽本体的中心位置在竖直方向的高度差不小于所述被清洗晶圆的半径；所述水槽本体的底部至少设置有三个第二进水管，且各个所述第二进水管之间呈弧形分布，以使各个所述第二进水管和所述水槽本体的中心位置之间的距离相同。3.如权利要求2所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述水槽本体的顶部侧壁上设置有向外...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆佳慧，徐铭，刘大威，黄彧霈，
申请(专利权)人：江苏启微半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：