加热器制备方法技术

本公开提供了一种加热器制备方法，包括：将模具置于沉积炉内的旋转支架上，所述模具的沉积面朝上，所述模具外套设有环形的挡气装置，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，制得板状的热解氮化硼基板；在所述热解氮化硼基板上制作导电图案；在具有所述导电图案的所述热解氮化硼基板上形成第一绝缘层。本公开的方法能够提高加热器的性能。本公开的方法能够提高加热器的性能。本公开的方法能够提高加热器的性能。

【技术实现步骤摘要】
加热器制备方法


[0001]本公开涉及加热器领域，尤其涉及一种加热器制备方法。

技术介绍

[0002]目前在半导体领域中，加热器的应用极其广泛，加热器的种类也是多种多样，而且在半导体制程工艺中，对加热器的平整度有较高的要求。加热器的平整度依赖于基板的平整度。但是随着半导体技术的发展，加热器的尺寸也越来越大，制备加热器基板时，保证其平整度的难度也越来越大。
[0003]通过对基板进行磨削加工可以保证其平整度，但由于磨削的消耗，制备基板的板材的利用率较低。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种加热器制备方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种加热器制备方法，包括：
[0006]将模具置于沉积炉内的旋转支架上，所述模具的沉积面朝上，所述模具外套设有环形的挡气装置，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，制得板状的热解氮化硼基板；
[0007]在所述热解氮化硼基板上制作导电图案；
[0008]在具有所述导电图案的所述热解氮化硼基板上形成第一绝缘层。
[0009]在一可实施方式中，所述反应气体和所述载气采用上进气，下出气的方式通入所述沉积炉内。
[0010]在一可实施方式中，沉积温度为1500
‑
2000℃，沉积时间为5
‑
100小时。
[0011]在一可实施方式中，制备板状的热解氮化硼基板还包括：对沉积好的氮化硼板材的表面进行粗糙化处理，粗糙度为Ra2
‑
8μm。
[0012]在一可实施方式中，所述模具的沉积面低于所述挡气装置顶面，所述模具的沉积面与所述挡气装置顶面的高度差为5
‑
50mm。
[0013]在一可实施方式中，所述模具为圆台形，其中面积较大的底面为所述沉积面。
[0014]在一可实施方式中，所述沉积面与侧面的角度为15
‑
80
°
。
[0015]在一可实施方式中，所述挡气装置的内壁面与所述模具沉积面的外沿之间的距离为2
‑
5mm。
[0016]在一可实施方式中，所述导电图案的材质包括：热解石墨、掺硼热解石墨和掺碳化硼热解石墨。
[0017]在一可实施方式中，所述方法还包括：
[0018]在所述第一绝缘层的表面形成导热均温层，所述导热均温层的热导率为300
‑
1700W/(m
·
K)；在所述导热均温层的表面形成第二绝缘层。
[0019]本公开的加热器制备方法中，模具置于沉积炉内的旋转支架上，所述模具的沉积面朝上，可以避免模具悬挂于沉积炉内，由于受重力的影响，沉积面上的热解氮化硼板材中心会出现下垂的情况，从而提高热解氮化硼板材的平整度，所述模具外套设有环形的挡气装置，可以减少在模具侧面的沉积，避免在降温时沉积在模具侧面的热解氮化硼收缩，导致圆板变形，从而可以提高热解氮化硼基板的平整度。
[0020]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0021]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，其中：
[0022]在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
[0023]图1示出了本公开实施例加热器制备方法的流程示意图；
[0024]图2示出了本公开实施例加热器制备方法中模具的结构示意图；
[0025]图3示出了本公开实施例加热器制备方法中挡气装置与模具配合的结构示意图；
[0026]图4示出了本公开实施例加热器制备方法中挡气装置与模具配合的剖面结构示意图。
[0027]图中标号说明：1
‑
模具，2
‑
挡气装置。
具体实施方式
[0028]为使本公开的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而非全部实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0029]参见图1，本公开实施例提供了一种加热器制备方法，该包括：
[0030]将模具置于沉积炉内的旋转支架上，参见图2，模具的沉积面朝上，参见图3和图4，模具外套设有环形的挡气装置，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，制得板状的热解氮化硼基板；
[0031]在热解氮化硼基板上制作导电图案；
[0032]在具有导电图案的热解氮化硼基板上形成第一绝缘层。
[0033]本公开的加热器制备方法中，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，可以制备热解氮化硼基板。制备热解氮化硼基板时，一般将模具悬挂于沉积炉内，本公开专利技术人发现在重力作用下，模具的沉积面上的热解氮化硼板材的中心会出现下垂的情况，从而影响热解氮化硼板材的平整度，本公开方法将模具置于沉积炉内的旋转支架上，模具的沉积面朝上，可以避免沉积过程中热解氮化硼基板在重力作用下影响平整度的情况，从而提高热解氮化硼基板的平整度，降低磨削加工对基板的消耗。
[0034]在沉积过程中，反应气体会同时在模具的侧面沉积，形成一个封闭的圆环，由于模具侧面的圆环状的沉积层与沉积面上的沉积层在降温时收缩量不一致，从而会出现一个变
形差，导致沉积面上热解氮化硼板材变形。本公开实施例的方法在模具外套设有环形的挡气装置，挡气装置用于阻挡反应气体在模具侧面沉积，通过减少在模具侧面的沉积，可以降低在降温时沉积在模具侧面的热解氮化硼收缩，导致圆板变形的情况，从而可以提高热解氮化硼基板的平整度。
[0035]在一可实施方式中，反应气体和载气采用上进气，下出气的方式。沉积炉的进气口设于上部，具体的，可以是设于沉积炉的顶部，也可以是设于沉积炉的侧部。沉积炉设有多个进气口时，多个进气口可以均设于沉积炉的顶部，或均设于沉积炉的侧部，或者，多个进气口也可以分别设于沉积炉的顶部和侧部。反应气体和载气混合后，从沉积炉的上部通入沉积炉内。沉积炉的出气口设于下部，具体的，出气口可以是设于沉积炉的底部，也可以是设于沉积炉的侧部。其他示例性实施例中，也可以是采用下进气，上出气的方式。反应气体和载气混合后，从沉积炉的下部进入，从沉积炉的上部排出。对应的，进气口设于沉积炉的下部，例如沉积炉的底部或侧部，出气口设于沉积炉的上部，例如顶部或侧部。
[0036]在一可实施方式中，制备热解氮化硼基板时的沉积温度为1500
‑
2000℃，可以得到结晶度较高的基板。
[0037]本公开实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热器制备方法，其特征在于，包括：将模具置于沉积炉内的旋转支架上，所述模具的沉积面朝上，所述模具外套设有环形的挡气装置，以三氯化硼和氨气为反应气体，以氮气作为载气进行沉积，制得板状的热解氮化硼基板；在所述热解氮化硼基板上制作导电图案；在具有所述导电图案的所述热解氮化硼基板上形成第一绝缘层。2.根据权利要求1所述的加热器制备方法，其特征在于，所述反应气体和所述载气采用上进气，下出气的方式通入所述沉积炉内。3.根据权利要求1所述的加热器制备方法，其特征在于，沉积温度为1500
‑
2000℃，沉积时间为5
‑
100小时。4.根据权利要求1所述的加热器制备方法，其特征在于，制备板状的热解氮化硼基板还包括：对沉积好的氮化硼板材的表面进行粗糙化处理，粗糙度为Ra2
‑
8μm。5.根据权利要求1所述的加热器制备方法，其特征在于，所述模具的沉积面低于所述挡气装置顶面，所述模具的沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军舫，王军勇，
申请(专利权)人：博宇天津半导体材料有限公司博宇朝阳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：