变压器元件、半导体装置、变压器元件的制造方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且将用于线圈的导线键合的焊盘增厚的变压器元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，第1焊盘和第2焊盘合起来的厚度比第2线圈厚，第2焊盘部分地覆盖第2绝缘膜。第2绝缘膜。第2绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
变压器元件、半导体装置、变压器元件的制造方法以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种变压器元件、半导体装置、变压器元件的制造方法以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了具有彼此磁耦合的2个线圈的半导体装置。
[0003]专利文献1：国际公开第2014/155478号
[0004]通过将在使线圈之间绝缘的绝缘膜的上侧形成的用于线圈的导线键合的焊盘增厚，能够提高对该焊盘的导线键合的容易程度。然而，在现有技术中，难以增厚焊盘而不对线圈的特性造成影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且增厚焊盘的变压器元件、以及能够抑制对线圈的特性造成的影响且增厚焊盘的变压器元件的制造方法。
[0006]本专利技术的变压器元件在其一种方案中具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，第1焊盘和第2焊盘合起来的厚度比第2线圈厚，第2焊盘至少部分地覆盖第2绝缘膜。
[0007]另外，本专利技术的变压器元件的制造方法在其一种方案中，变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，在将第2线圈形成于第1绝缘膜之上后，在第1绝缘膜以及第2线圈之上以覆盖第2线圈并且至少部分地不覆盖第1焊盘的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜的形成之后，在第1焊盘之上形成第2焊盘。
[0008]专利技术的效果
[0009]根据本专利技术，提供了一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且增厚焊盘的变压器元件、以及能够抑制对线圈的特性造成的影响且增厚焊盘的变压器元件的制造方法。
附图说明
[0010]图1是示出实施方式1的变压器元件的剖视图。
[0011]图2是示出实施方式1的变压器元件的变形例的剖视图。
[0012]图3是示出实施方式1的变压器元件的另一变形例的剖视图。
[0013]图4是示出对比例的变压器元件的剖视图。
[0014]图5是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0015]图6是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0016]图7是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0017]图8是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0018]图9是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0019]图10是示出实施方式1的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0020]图11是示出实施方式2的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0021]图12是示出实施方式2的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0022]图13是示出实施方式2的变压器元件的剖视图。
[0023]图14是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0024]图15是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0025]图16是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0026]图17是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0027]图18是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0028]图19是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0029]图20是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0030]图21是示出实施方式3的变压器元件的制造方法中的制造中途的状态的图。
[0031]图22是示出实施方式3的变压器元件的剖视图。
[0032]图23是示出实施方式1的变压器元件的制造方法的流程图。
[0033]图24是示出实施方式2的变压器元件的制造方法的流程图。
[0034]图25是示出实施方式3的变压器元件的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0035]在以下的说明中，有时使用“上”以及“下”等表示特定方向的用语，但这些用语是为了易于理解实施方式的内容，出于方便起见而使用的，并不是对变压器元件或半导体装置在制造时或使用时等的方向进行限定。
[0036]<A.实施方式1>
[0037]<A
‑
1.结构>
[0038]图1是示出实施方式1的半导体装置的一部分的图，是示出该半导体装置具有的变压器元件101的剖视图。
[0039]变压器元件101具有绝缘膜2、线圈模块3、线圈模块4、绝缘膜5、绝缘膜6、绝缘膜7、绝缘膜8以及绝缘膜9。绝缘膜6、绝缘膜7以及绝缘膜8合起来的膜是第1绝缘膜的一个例子，绝缘膜9是第2绝缘膜的一个例子。
[0040]变压器元件101如图1所示，形成于基板1之上。也可以将包含基板1的结构视为变压器元件101。
[0041]线圈模块3具有配线31、线圈32(第1线圈的一个例子)、接触部33、焊盘34、焊盘35以及焊盘36。线圈32是面状的线圈，是螺旋线圈。
[0042]线圈模块4具有线圈42(第2线圈的一个例子)、焊盘45(第1焊盘的一个例子)以及
焊盘46(第2焊盘的一个例子)。线圈42是面状的线圈，是螺旋线圈。
[0043]基板1可以是使用Si、SiC或GaN等半导体的半导体基板，也可以是玻璃或陶瓷等绝缘基板。实施方式1的半导体装置是例如基板1为半导体基板、在基板1之中的与图1所示的部位不同的部位形成有半导体元件的半导体装置。
[0044]绝缘膜2设置于基板1之上。
[0045]配线31设置于绝缘膜2之上。
[0046]绝缘膜5设置于绝缘膜2之上以及配线31之上。
[0047]接触部33和焊盘34分别设置于配线31之上。接触部33和焊盘34相对于绝缘膜5的上表面而分别向上侧凸出。
[0048]线圈32设置于绝缘膜5之上。
[0049]焊盘34经由配线31以及接触部33而与螺旋线圈即线圈32的中心侧的一端连接。
[0050]绝缘膜6设置于绝缘膜5、线圈32以及接触部33之上。
[0051]焊盘34由绝缘膜6部分地覆盖。焊盘35设置于焊盘34的未被绝缘膜6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变压器元件，其具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于所述第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于所述第1绝缘膜之上，与所述第1线圈相对；第1焊盘，其设置于所述第1绝缘膜之上，与所述第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于所述第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖所述第2线圈的方式设置于所述第1绝缘膜之上以及所述第2线圈之上，所述第1焊盘和所述第2焊盘合起来的厚度比所述第2线圈厚，所述第2焊盘至少部分地覆盖所述第2绝缘膜。2.根据权利要求1所述的变压器元件，其中，所述第1线圈以及所述第2线圈是螺旋线圈，所述第2线圈的所述一端是所述螺旋线圈的中心侧的一端。3.根据权利要求1或2所述的变压器元件，其中，所述第2绝缘膜在俯视观察时与所述第1焊盘重叠的位置具有开口，所述第2焊盘在俯视观察时与整个所述开口重叠，所述第2焊盘通过所述开口与所述第1焊盘接触，所述第2焊盘在所述开口的边缘的整个周向覆盖所述第2绝缘膜的所述开口的边缘。4.根据权利要求1至3中任一项所述的变压器元件，其中，所述第1焊盘的材料与所述第2焊盘的材料不同。5.根据权利要求1至4中任一项所述的变压器元件，其中，所述第1绝缘膜包含有机绝缘膜。6.根据权利要求5所述的变压器元件，其中，所述有机绝缘膜是聚酰亚胺膜。7.一种半导体装置，其具有：半导体基板；以及权利要求1至6中任一项所述的变压器元件，其设置于所述半导体基板之上。8.一种变压器元件的制造方法，其中，所述变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于所述第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于所述第1绝缘膜之上，与所述第1线圈相对；第1焊盘，其设置于所述第1绝缘膜之上，与所述第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口靖雄，吉野学，今坂俊博，鸟井阳平，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：