本发明专利技术提供一种具有优异的干燥性能且能够良好地去除附着于基板表面的液体的基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置。在本发明专利技术中,基板处理液具备升华性物质、溶解所述升华性物质的溶剂、以及助剂,所述助剂通过添加至用所述溶剂溶解所述升华性物质所得的溶液中,从而使超过溶解度的所述升华性物质的粒子分散于所述溶液中。因此,在基板处理液中超过溶解度的升华性物质的粒子均匀地分散并溶解于溶剂中。因此,向基板的图案形成面供给的升华性物质比现有技术多,在图案的内部存在大量的升华性物质(固相)。其结果是,可有效地抑制图案间的溶剂残存,可在利用升华性物质(固相)牢固地保持图案的状况下执行升华干燥。牢固地保持图案的状况下执行升华干燥。牢固地保持图案的状况下执行升华干燥。
【技术实现步骤摘要】
基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置
[0001]本专利技术涉及在利用升华性物质的升华现象来去除附着于基板的液体时使用的基板处理液、使用该基板处理液从基板去除上述液体的基板处理方法以及基板处理装置。基板包括半导体晶圆、液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence:电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display:平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
[0002]以下所示的日本申请的说明书、附图和权利要求书中的公开内容通过参考而将其全部内容引入本说明书中:
[0003]日本特愿2022
‑
27520(2022年2月25日申请)。
技术介绍
[0004]在半导体装置、液晶显示装置等电子部件的制造工序中,包括对基板的表面反复实施成膜、蚀刻等处理而形成图案的工序。另外,在该图案形成后,依次进行利用药液的清洗处理、利用冲洗液的冲洗处理及干燥处理等,但随着图案的微细化,干燥处理的重要性变得特别高。即,在干燥处理中抑制或防止图案倒塌发生的技术变得重要。因此,提出了使用使樟脑、环己酮肟等升华性物质溶解于IPA(异丙醇:isopropyl alcohol)等溶剂而成的基板处理液来使基板升华干燥的基板处理技术(日本特开2021
‑
9988号公报等)。
技术实现思路
[0005]专利技术所要解决的课题
[0006]在上述现有技术中,为了去除附着于冲洗处理后的基板表面的DIW(去离子水:deionized water),执行以下的工序。通过向基板表面供给IPA而将DIW置换为IPA。然后,在将上述基板处理液旋涂在基板表面之后,使基板处理液的溶剂(IPA)蒸发。由此,在基板的表面形成升华性物质的固化膜。最后,使固化膜升华而从基板的表面去除。
[0007]这样,以往的基板处理液由于使用了利用溶剂溶解升华性物质而成的溶液,因此溶液中的升华性物质的浓度少,有时升华性物质不会充分地进入图案的间隙。在该情况下,固化膜不形成于图案的间隙,会产生图案未被保持的问题。另外,也有时在基板表面的最上层形成固化膜,溶剂残留在固化膜内。由于这些原因,有时无法抑制图案的倒塌。
[0008]本专利技术是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种具有优异的干燥性能且能够良好地去除附着于基板表面的液体的基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]本专利技术的第一方式是一种用于去除具有图案形成面的基板上的液体的基板处理液,其特征在于,具备升华性物质、溶解升华性物质溶剂、以及助剂,上述助剂通过添加至用溶剂溶解升华性物质而成的溶液中,从而使超过溶解度的升华性物质的粒子分散于溶液中。
[0011]另外,本专利技术的第二方式是一种基板处理方法,其特征在于,具备:准备上述基板
处理液的处理液准备工序;将通过处理液准备工序准备的基板处理液供给至形成有图案的基板表面而在基板表面形成基板处理液的液膜的液膜形成工序;使基板处理液的液膜固化而形成升华性物质的固化膜的固化膜形成工序;以及使固化膜升华而从基板表面去除的升华工序。
[0012]并且,本专利技术的第三方式是一种基板处理装置,其特征在于,具备:贮存上述基板处理液的贮存部、以及将贮存于贮存部的基板处理液供给至形成有图案的基板表面的处理液供给部。
[0013]在这样构成的专利技术中,在基板处理液中超过溶解度的升华性物质的粒子均匀地分散并溶解于溶剂中。因此,向基板的图案形成面供给的升华性物质比现有技术多。而且,由于升华性物质的粒子成为准稳定状态,因此若基板处理液被供给至基板的图案形成面,进入图案之间而使流动扩散变小,则升华性物质粒子在图案间再结晶化。因此,在图案的内部存在大量的升华性物质(固相)。由此,可有效地抑制图案间的溶剂残存,可在利用升华性物质(固相)牢固地保持图案的状况下执行升华干燥。
[0014]专利技术效果
[0015]如上所述,能够在抑制了图案间的溶剂残存的状态下进行升华干燥,能够以优异的干燥性能良好地去除附着于基板表面的液体。
[0016]上述本专利技术的各方式所具有的多个构成要素并非全部是必须的,为了解决上述课题的一部分或者全部,或者为了实现本说明书所记载的效果的一部分或者全部,能够适当地对上述多个构成要素的一部分构成要素进行变更、删除、与新的其他构成要素的调换、限定内容的一部分删除。另外,为了解决上述课题的一部分或者全部,或者为了实现本说明书所记载的效果的一部分或者全部,也能够将上述本专利技术的一个方式所包含的技术特征的一部分或者全部与上述本专利技术的其他方式所包含的技术特征的一部分或者全部组合,作为本专利技术独立的一个方式。
附图说明
[0017]图1是表示由助剂添加引起的基板处理液中的升华性物质浓度上升的图。
[0018]图2是表示装备本专利技术的基板处理装置的第一实施方式的基板处理系统的概略构成的俯视图。
[0019]图3是图2所示的基板处理系统的侧视图。
[0020]图4是表示本专利技术的基板处理装置的第一实施方式的构成的部分截面图。
[0021]图5是表示控制基板处理装置的控制部的电气构成的框图。
[0022]图6是表示处理液供给部的构成的图。
[0023]图7是表示由图2的基板处理装置执行的基板处理内容的图。
[0024]图8是表示图6所示的精制装置的动作的流程图。
[0025]图9A是示意性地表示图6所示的精制装置的第一动作例的图。
[0026]图9B是示意性地表示图6所示的精制装置的第二动作例的图。
[0027]图9C是示意性地表示图6所示的精制装置的第三动作例的图。
[0028]图9D是示意性地表示图6所示的精制装置的第四动作例的图。
[0029]图9E是示意性地表示图6所示的精制装置的第五动作例的图。
[0030]图10是表示装备有本专利技术的基板处理装置的第二实施方式的基板处理系统的构成的图。
[0031]符号说明
[0032]1…
基板处理装置,4
…
控制部,53
…
喷嘴,64
…
处理液供给单元,230
…
升华剂贮存槽,400
…
处理液供给部,401
…
贮存罐(贮存部),402、512、522、523
…
超声波施加部,500
…
精制装置,510、520
…
超声波槽,L
…
基板处理液,LF
…
液膜,PT
…
图案,SF
…
固化膜,W
…
基板,Wf
…
(基板的)正面。
具体实施方式
[0033]<基板处理液>
[0034]以下对本专利技术的实施方式的基板处理液进本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理液,其为用于去除具有图案形成面的基板上的液体的基板处理液,其特征在于,具备:升华性物质;溶解所述升华性物质的溶剂;以及助剂,其通过添加至用所述溶剂溶解所述升华性物质所得的溶液中,从而使超过溶解度的所述升华性物质的粒子分散于所述溶液中。2.根据权利要求1所述的基板处理液,其中,所述助剂是抑制所述溶液中的所述升华性物质结晶化的结晶化抑制剂。3.根据权利要求1所述的基板处理液,其中,所述升华性物质为环己酮肟,所述助剂以所述溶液中的所述升华性物质的Zeta电位为负的方式进行所述溶液的pH调节。4.根据权利要求3所述的基板处理液,其中,所述助剂为氨水。5.一种基板处理方法,其特征在于,包括:处理液准备工序,准备权利要求1~4中任一项所述的基板处理液;液膜形成工序,将通过所述处理液准备工序准备的所述基板处理液供给至形成有图案的基板表面而在所述基板的表面形成所述基板处理液的液膜;固化膜形成工序,使所述基板处理液的液膜固化而形成所述升华性物质的固化膜;以及升华工序,使所述固化膜升华而从所述基板的表面去除。6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其中,所述处理液准备工序包括在被施加了超声波振动的贮存槽中贮存所述基板处理液的工序。7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,所述处理液准备工序具有:第一工序,调制所述升华性物质的过饱...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中友耶,尾辻正幸,田中孝佳,
申请(专利权)人:株式会社斯库林集团,
类型:发明
国别省市:
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