一种短波射频功率源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种短波射频功率源，包括前级驱动电路和后级放大电路，所述前级驱动电路包括12V输入电压、第一MOS管Q1、第一电位器RL1、第一磁环电感L1和四个电容C1、C2、C3、C4，所述12V输入电压接第一电容C1的一端、MOS管的漏极和第三电容C3的一端，所述第一MOS管Q1的源极接地，所述第一电容C1的另一端接地，所述第三电容C3的另一端接第一磁环电感L1的其中一个线圈的1端。本实用新型专利技术使数字功率放大器的效率可以达到90％，避免了使用多个B类功放管合成，降低了功放管的耗散功率，不仅减小了功放管的散热面积，也减小了功率放大器的体积，极大节约了成本。极大节约了成本。极大节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种短波射频功率源


[0001]本技术涉及电子信息
，尤其涉及一种短波射频功率源。

技术介绍

[0002]射频功率源往往需要由多个功放模块组成，各功放模块在组合进行功率合成时，通常要求彼此间的相位误差在几度以内，有时甚至要求输入与输出的相位差保持在固定范围。由于各功放模块在生产过程中使用电子元件等的参数存在差异，导致各模块间的相位误差通常大于10
°
，或与要求的相位相差较大。
[0003]功放模块在工作过程中，会因功放管等的发热产生输出功率的变化，另外根据电子技术理论，晶体管工作在开关状态时，具有最高的效率，即具有最大的功率输出，最小的耗散功率，为使功放管工作在C类状态，使功率放大器的效率得到很大的提升，我们提出一种短波射频功率源来解决上述提出的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种短波射频功率源。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种短波射频功率源，包括前级驱动电路和后级放大电路，所述前级驱动电路包括12V输入电压、第一MOS管Q1、第一电位器RL1、第一磁环电感L1和四个电容C1、C2、C3、C4，所述12V输入电压接第一电容C1的一端、MOS管的漏极和第三电容C3的一端，所述第一MOS管Q1的源极接地，所述第一电容C1的另一端接地，所述第三电容C3的另一端接第一磁环电感L1的其中一个线圈的1端，且该线圈的2端接地，所述第一磁环电感L1另一个线圈的3端接输出，且该线圈的4端接地，所述第二电容C2的一端接射频输入信号，且第二电容C2另一端接第一MOS管Q1的删极和第一电位器RL1的一端，所述第一电位器RL1的另一端接5V输入电压和第四电容C4的一端，且第四电容C4的另一端接地；
[0007]所述后级放大电路包括60V输入电压、第二MOS管Q2、第二电位器RL2、第二磁环电感L2、第三磁环电感L3和两个电容C5、C6，所述60V输入电压接第二磁环电感L2的一端，所述第二磁环电感L2的另一端接第二MOS管Q2的漏极和第五电容C5的一端，所述第五电容C5的一端接地，且第五电容C5的另一端接第三磁环电感L3的其中一个线圈的1端，且该线圈的2端接地，所述第三磁环电感L3另一个线圈的3端接射频输出，且该线圈的4端接地，所述第二MOS管Q2的源极接地，所述第六电容C6的一端接射频输入信号，且第六电容C6另一端接第二MOS管Q2的删极和第二电位器RL2的一端。
[0008]优选地，所述前级驱动电路通过第一磁环电感L1的两组线圈1：1的绕线方法进行传输功率。
[0009]优选地，所述后级放大电路RL2的一端接5V输入电压和对地滤波第五电容C5并用于调整第二MOS管Q2的栅极电压。
[0010]优选地，所述后级放大电路第二MOS管Q2的漏极接48V输入电压和对地滤波第六电容C6，所述第二MOS管Q2的源极接地。
[0011]优选地，所述后级放大电路通过第二磁环电感L2的1组线圈得到400uH的电感量匹配27MHz功率源的频率。
[0012]优选地，所述后级放大电路通过第三磁环电感L3的两组线圈1:4的绕线方法将输出阻抗变换到50Ω进行传输功率。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果为：本技术使数字功率放大器的效率可以达到90％，避免了使用多个B类功放管合成，降低了功放管的耗散功率，不仅减小了功放管的散热面积，也减小了功率放大器的体积，极大节约了成本。
附图说明
[0014]图1为本技术提出的一种短波射频功率源的前级驱动电路示意图；
[0015]图2为本技术提出的一种短波射频功率源的后级放大电路示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0017]参照图1
‑
2，一种短波射频功率源，包括前级驱动电路和后级放大电路，前级驱动电路包括12V输入电压、第一MOS管Q1、第一电位器RL1、第一磁环电感L1和四个电容C1、C2、C3、C4，12V输入电压接第一电容C1的一端、MOS管的漏极和第三电容C3的一端，第一MOS管Q1的源极接地，第一电容C1的另一端接地，第三电容C3的另一端接第一磁环电感L1的其中一个线圈的1端，且该线圈的2端接地，第一磁环电感L1另一个线圈的3端接输出，且该线圈的4端接地，第二电容C2的一端接射频输入信号，且第二电容C2另一端接第一MOS管Q1的删极和第一电位器RL1的一端，第一电位器RL1的另一端接5V输入电压和第四电容C4的一端，且第四电容C4的另一端接地，前级驱动电路通过第一磁环电感L1的两组线圈1：1的绕线方法进行传输功率。
[0018]其中，后级放大电路包括60V输入电压、第二MOS管Q2、第二电位器RL2、第二磁环电感L2、第三磁环电感L3和两个电容C5、C6，60V输入电压接第二磁环电感L2的一端，第二磁环电感L2的另一端接第二MOS管Q2的漏极和第五电容C5的一端，第五电容C5的一端接地，且第五电容C5的另一端接第三磁环电感L3的其中一个线圈的1端，且该线圈的2端接地，第三磁环电感L3另一个线圈的3端接射频输出，且该线圈的4端接地，第二MOS管Q2的源极接地，第六电容C6的一端接射频输入信号，且第六电容C6另一端接第二MOS管Q2的删极和第二电位器RL2的一端，其中，后级放大电路RL2的一端接5V输入电压和对地滤波第五电容C5并用于调整第二MOS管Q2的栅极电压，后级放大电路第二MOS管Q2的漏极接48V输入电压和对地滤波第六电容C6，第二MOS管Q2的源极接地。
[0019]进一步的，后级放大电路通过第二磁环电感L2的1组线圈得到400uH的电感量匹配27MHz功率源的频率，后级放大电路通过第三磁环电感L3的两组线圈1:4的绕线方法将输出阻抗变换到50Ω进行传输功率。
[0020]其中，第一MOS管Q1、和第二MOS管Q2的型号分别为RD06HHF1、MRF300AN；第一、第二、第三、第四电容的容值分别为10uF、10uF、10uF、10uF；第五、第六电容的容值分别10uF、4.7uF；第第一、第二电位器的阻值分别1K、1K；第二电感由一组线圈组成，匝数为4圈，电感量为400uH；第一、第三磁环电感都是由两组线圈组成，匝数分别比为1：1、1：4，电感量分别为50uH、50uH、50uH、800uH。
[0021]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种短波射频功率源，其特征在于，包括前级驱动电路和后级放大电路，所述前级驱动电路包括12V输入电压、第一MOS管Q1、第一电位器RL1、第一磁环电感L1和四个电容第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4，所述12V输入电压接第一电容C1的一端、MOS管的漏极和第三电容C3的一端，所述第一MOS管Q1的源极接地，所述第一电容C1的另一端接地，所述第三电容C3的另一端接第一磁环电感L1的其中一个线圈的1端，且该线圈的2端接地，所述第一磁环电感L1另一个线圈的3端接输出，且该线圈的4端接地，所述第二电容C2的一端接射频输入信号，且第二电容C2另一端接第一MOS管Q1的删极和第一电位器RL1的一端，所述第一电位器RL1的另一端接5V输入电压和第四电容C4的一端，且第四电容C4的另一端接地；所述后级放大电路包括60V输入电压、第二MOS管Q2、第二电位器RL2、第二磁环电感L2、第三磁环电感L3、第五电容C5和第六电容C6，所述60V输入电压接第二磁环电感L2的一端，所述第二磁环电感L2的另一端接第二MOS管Q2的漏极和第五电容C5的一端，所述第五电容C5的一端接地，且第五电容C5的另一端接第三磁环电感L...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹阳，吴云，
申请(专利权)人：南京汉瑞微波通信有限公司，
类型：新型
国别省市：