一种CTO靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种CTO靶材的制备方法，包括以下步骤：将铯钨青铜粉体基体加入到铯钨青铜粉体基体总量3

【技术实现步骤摘要】
一种CTO靶材及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及CTO靶材
，具体涉及一种CTO靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]纳米铯钨青铜粉体（纳米CTO粉体）Cs0.33WO3是一类非化学计量比、具有氧八面体特殊结构的功能化合物，具有低电阻率和低温超导性能，并具有最佳的近红外吸收特性。
[0003]现有的专利文献CN107513293A技术中，公开了将反应量1mol的纳米三氧化钨和0.32mol的氢氧化铯、2mol的氨水、0.01mol纳米氧化镍置于带有搅拌的密闭反应釜中，常温条件下搅拌30分钟，使得氢氧化铯溶解于氨水并成分润湿纳米三氧化钨；然后反应温度由室温升温至氢氧化铯熔点342.3
°
C，升温速率为50
°
C/h，达到342.3
°
C恒温反应1小时，使得氢氧化铯熔体均匀吸附在纳米氧化钨表面；然后按50
°
C/h升温至740
°
C，740
°
C恒温反应3小；再采用气流粉碎机粉碎处理，得到铯钨青铜粉体基体；而铯钨青铜粉体基体制备靶材性能差，CTO靶材在对于纳米透明防晒涂料上使用，很难实现950nm红外线阻隔率的性能与可见光透射率性能达到协调改进，限制了产品的使用效率。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的是提供一种CTO靶材及其制备方法与应用，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：本专利技术提供了一种CTO靶材的制备方法，包括以下步骤：将铯钨青铜粉体基体加入到铯钨青铜粉体基体总量3
‑
5倍的羟基磷灰石改性液中调节改性，得到调节改性体，然后加入调节改性体总量5
‑
10%的晶须改性剂，球磨改性，最后热均化处理，得到CTO靶材。
[0006]优选地，所述调节改性的条件为：调节转速为550
‑
750r/min，调节时间为30
‑
40min，调节结束，水洗、干燥，即可。
[0007]优选地，所述羟基磷灰石改性液的制备方法为：S01：将3
‑
6份羟基磷灰石加入到10
‑
15份质量分数5%的壳聚糖水溶液中，然后加入1
‑
3份质量分数2%的硝酸钇溶液、2
‑
5份磷酸缓冲溶液，先搅拌均匀，得到羟基磷灰石剂；S02：将1
‑
4份十二烷基硫酸钠加入到5
‑
9份硝酸镧溶液中，随后再加入1
‑
3份纳米二氧化硅，搅拌充分，得到纳米二氧化硅改性剂；S03：将纳米二氧化硅改性剂加入到羟基磷灰石剂中搅拌反应处理，搅拌结束，水洗、干燥，得到羟基磷灰石改性液。
[0008]优选地，所述磷酸缓冲溶液的pH值为5.5；所述硝酸镧溶液的质量分数为2
‑
6%。
[0009]优选地，所述搅拌反应处理的搅拌温度为40
‑
45℃，搅拌转速为750
‑
850r/min，搅拌时间为30
‑
40min。
[0010]优选地，所述晶须改性剂的制备方法为：
5
‑
10份硼酸铝晶须加入到30
‑
40份质量分数2%的盐酸溶液中，先搅拌均匀，然后加入1
‑
3份羧甲基纤维素，搅拌充分，得到硼酸铝晶须液；将硼酸铝晶须液送入到3
‑
5倍的质量分数10%的海藻酸钠水溶液中搅拌均匀，然后水洗、干燥，得到晶须改性剂。
[0011]优选地，所述球磨改性的转速为1000
‑
1500r/min，球磨时间为1
‑
2h。
[0012]优选地，所述热均化处理的具体步骤为：先以100
‑
150℃温度反应20
‑
30min，然后以1
‑
3℃/min的速率升温至210
‑
230℃，随后再空冷至室温，即可。
[0013]本专利技术还提供了一种CTO靶材的制备方法制备的CTO靶材。
[0014]本专利技术还提供了一种CTO靶材在涂料、玻璃涂覆上的应用。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：本专利技术CTO靶材采用铯钨青铜粉体基体配合羟基磷灰石改性液中调节改性，再配合晶须改性剂球磨改性，最后热均化处理，通过羟基磷灰石改性液、晶须改性剂之间的相互调配改性，共同协效，制备的CTO靶材在红外线阻隔率的性能与可见光透射率性能达到协调改进。
具体实施方式
[0016]下面结合具体实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]本实施例的一种CTO靶材的制备方法，包括以下步骤：将铯钨青铜粉体基体加入到铯钨青铜粉体基体总量3
‑
5倍的羟基磷灰石改性液中调节改性，得到调节改性体，然后加入调节改性体总量5
‑
10%的晶须改性剂，球磨改性，最后热均化处理，得到CTO靶材。
[0018]本实施例的调节改性的条件为：调节转速为550
‑
750r/min，调节时间为30
‑
40min，调节结束，水洗、干燥，即可。
[0019]本实施例的羟基磷灰石改性液的制备方法为：S01：将3
‑
6份羟基磷灰石加入到10
‑
15份质量分数5%的壳聚糖水溶液中，然后加入1
‑
3份质量分数2%的硝酸钇溶液、2
‑
5份磷酸缓冲溶液，先搅拌均匀，得到羟基磷灰石剂；S02：将1
‑
4份十二烷基硫酸钠加入到5
‑
9份硝酸镧溶液中，随后再加入1
‑
3份纳米二氧化硅，搅拌充分，得到纳米二氧化硅改性剂；S03：将纳米二氧化硅改性剂加入到羟基磷灰石剂中搅拌反应处理，搅拌结束，水洗、干燥，得到羟基磷灰石改性液。
[0020]本实施例的磷酸缓冲溶液的pH值为5.5；所述硝酸镧溶液的质量分数为2
‑
6%。
[0021]本实施例的搅拌反应处理的搅拌温度为40
‑
45℃，搅拌转速为750
‑
850r/min，搅拌时间为30
‑
40min。
[0022]本实施例的晶须改性剂的制备方法为：5
‑
10份硼酸铝晶须加入到30
‑
40份质量分数2%的盐酸溶液中，先搅拌均匀，然后加入1
‑
3份羧甲基纤维素，搅拌充分，得到硼酸铝晶须液；
将硼酸铝晶须液送入到3
‑
5倍的质量分数1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CTO靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将铯钨青铜粉体基体加入到铯钨青铜粉体基体总量3
‑
5倍的羟基磷灰石改性液中调节改性，得到调节改性体，然后加入调节改性体总量5
‑
10%的晶须改性剂，球磨改性，最后热均化处理，得到CTO靶材。2.根据权利要求1所述的一种CTO靶材的制备方法，其特征在于，所述调节改性的条件为：调节转速为550
‑
750r/min，调节时间为30
‑
40min，调节结束，水洗、干燥，即可。3.根据权利要求1所述的一种CTO靶材的制备方法，其特征在于，所述羟基磷灰石改性液的制备方法为：S01：将3
‑
6份羟基磷灰石加入到10
‑
15份质量分数5%的壳聚糖水溶液中，然后加入1
‑
3份质量分数2%的硝酸钇溶液、2
‑
5份磷酸缓冲溶液，先搅拌均匀，得到羟基磷灰石剂；S02：将1
‑
4份十二烷基硫酸钠加入到5
‑
9份硝酸镧溶液中，随后再加入1
‑
3份纳米二氧化硅，搅拌充分，得到纳米二氧化硅改性剂；S03：将纳米二氧化硅改性剂加入到羟基磷灰石剂中搅拌反应处理，搅拌结束，水洗、干燥，得到羟基磷灰石改性液。4.根据权利要求3所述的一种CTO靶材的制备方法，其特征在于，所述磷酸缓冲溶液的pH值为5.5；所述硝酸镧溶液的质量分数为2
‑
6%...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永添，吴健，刘青雄，汪政军，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：