光刻胶去除装置和光刻胶去除方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，其中，光刻胶去除装置包括：清洗腔、卡盘和喷头；所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；所述卡盘用于支撑晶圆；所述喷头用于喷洒去胶液；所述卡盘内固定设置有加热件；所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。本发明专利技术能够提高去除光刻胶的效率，减少去胶液的用量，减少工艺时间，降低去除光刻胶的工艺成本。工艺成本。工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶去除装置和光刻胶去除方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法。

技术介绍

[0002]在半导体加工的过程中，在完成刻蚀工艺或者注入工艺后，需要去除晶圆表面的光刻胶，通常采用去胶液去除。常用的去胶液为SPM(Sulfuric Perioxide Mixture)，即浓硫酸和双氧水的混合物。同时为了提高光刻胶去除效率，在使用去胶液去除晶圆表面的光刻胶之前，需要对去胶液进行加热，使其温度在120摄氏度及以上，以提高去除光刻胶的效率，然后将加热后的去胶液输入至清洗腔内，对清洗腔内的晶圆表面的光刻胶进行去除。
[0003]在常见的去胶清洗工艺中，不同的去胶清洗工艺，工艺条件可能不同。例如经过常规光刻刻蚀工艺后的光刻胶去除，工艺温度约在120摄氏度；经过等离子体注入后的光刻胶的去除，需要更高的工艺温度，比如150摄氏度，而且需要比常规去胶时间更长的工艺时间。而且由于工艺温度不同等原因，往往需要在不同的设备上进行不同工艺温度的光刻胶去除工艺。但是采用上述方法不但需要光刻胶去除装置外接两台以上的加热装置配合使用，增加了占地面积，提高了去除光刻胶的成本，同时还会因去胶液在由加热装置输送至清洗腔内时，温度发生变化，致使去胶液无法在设定温度下对光刻胶进行去除，从而会降低光刻胶去除的效率，增加去胶液的使用量，从而进一步提高了去除光刻胶的成本。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提供的光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，通过在卡盘内设置加热件，用于对晶圆进行加热，从而能够减少去胶液的用量，减少工艺时间，提高去除光刻胶的效率，降低去除光刻胶的工艺成本。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种光刻胶去除装置，包括：清洗腔、卡盘和喷头；
[0006]所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；
[0007]所述卡盘用于支撑晶圆；
[0008]所述喷头用于喷洒去胶液；
[0009]所述卡盘内固定设置有加热件；
[0010]所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。
[0011]可选地，所述加热件包括：红外加热头和/或加热管线；
[0012]所述红外加热头和/或所述加热管线阵列在卡盘内。
[0013]可选地，所述光刻胶去除装置还包括：输气管；
[0014]所述输气管与所述清洗腔固定连接，所述输气管用于向所述清洗腔内输送气体；
[0015]所述气体的温度不低于100摄氏度；
[0016]所述清洗腔用于在晶圆进行去除光刻胶的过程中提供密闭的空间。
[0017]可选地，所述光刻胶去除装置还包括：驱动件；
[0018]所述驱动件与所述卡盘固定连接，所述驱动件用于带动所述卡盘转动。
[0019]可选地，所述光刻胶去除装置还包括：夹持件；
[0020]所述夹持件位于所述清洗腔内，所述夹持件固定设置在所述卡盘的外围周侧，所述夹持件用于限定晶圆在所述卡盘上的位置。
[0021]可选地，所述光刻胶去除装置还包括：防护罩；
[0022]所述防护罩位于所述清洗腔内，所述防护罩位于所述卡盘的外围周侧。
[0023]可选地，所述光刻胶去除装置还包括：排气管；
[0024]所述排气管与所述清洗腔固定连接，所述排气管用于将所述清洗腔内的气体排出所述清洗腔。
[0025]可选地，所述卡盘的表面固定设置吸嘴，所述吸嘴用于吸附晶圆。
[0026]第二方面，本专利技术提供一种光刻胶去除方法，包括：
[0027]将晶圆安置在卡盘上，所述卡盘内固定设置有加热件；
[0028]开启所述加热件对晶圆进行加热；
[0029]当将晶圆加热至指定温度时，开启喷头，喷洒加热后的去胶液去除晶圆表面的光刻胶。
[0030]可选地，在所述开启所述加热件对晶圆进行加热之前，所述方法还包括：
[0031]提供清洗腔，所述清洗腔用于在晶圆进行去除光刻胶的过程中提供密闭的空间；
[0032]向所述清洗腔内输送气体，以对所述清洗腔内的空间进行加热加压；
[0033]所述气体的温度不低于100摄氏度。
[0034]本专利技术实施例提供的光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，通过在卡盘内设置加热件，用于对晶圆进行加热，如此无需在光刻胶去除装置之外设置用于对去胶液进行加热的装置，进而使得该光刻胶去除装置和光刻胶去除方法不但能够减少去胶液的用量，减少工艺时间，提高去除光刻胶的效率，同时还能够降低去除光刻胶的工艺成本。
附图说明
[0035]图1为本申请一实施例的枚叶式晶圆清洗装置的内部结构图；
[0036]图2为本申请一实施例的卡盘的透视图；
[0037]图3为本申请一实施例的卡盘的透视图。
[0038]附图标记
[0039]1、清洗腔；2、卡盘；21、吸嘴；3、喷头；41、输气管；42、驱动件；43、夹持件；44、防护罩；45、排气管；451、开关控制阀；46、输液管；47、支撑架；5、加热件；51、红外加热头；52、加热管线；6、晶圆。
具体实施方式
[0040]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]第一方面，本实施例提供一种枚叶式晶圆清洗装置，结合图1，该枚叶式晶圆清洗
装置包括：清洗腔1、卡盘2、喷头3、输气管41、驱动件42、夹持件43、防护罩44、排气管45、输液管46和支撑架47。其中，卡盘2、驱动件42、夹持件43、防护罩44和喷头3均位于清洗腔1内。
[0042]进一步的，卡盘2的上表面的中心位置处固定设置四个吸嘴21，卡盘2通过四个吸嘴21用于将晶圆6吸附在其上方；输液管46的一端与喷头3固定连接，输液管46的另一端与用于提供去胶液的供液装置固定连接，输液管46用于向喷头3输送去胶液；喷头3用于喷洒去胶液，喷头3位于卡盘2的上方，且喷头3的喷洒方向朝向下方的卡盘2；卡盘2内固定设置有加热件5；加热件5用于对卡盘2所支撑的晶圆6进行加热。
[0043]在本实施例中，去胶液为硫酸和过氧化氢的混合溶液，且硫酸和过氧化氢的混合比例为2:1；加热件5能够提供两种不同温度范围对晶圆6进行加热。具体的，在晶圆6上的光刻胶为无等离子掺杂的普通光刻胶时，加热件5在112摄氏度至139摄氏度之间对晶圆6进行加热，优选为120摄氏度；在晶圆6上的光刻胶为等离子掺杂的光刻胶时，加热件5在128摄氏度至164摄氏度之间对晶圆6进行加热，优选为145摄氏度。如此能够使得该枚叶式晶圆清洗装置同时去除两种不同成分的光刻胶，丰富了该枚叶式晶圆清洗装置功能，减少其他外接加热设备的投入成本。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶去除装置，其特征在于，包括：清洗腔、卡盘和喷头；所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；所述卡盘用于支撑晶圆；所述喷头用于喷洒去胶液；所述卡盘内固定设置有加热件；所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。2.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述加热件包括：红外加热头和/或加热管线；所述红外加热头和/或所述加热管线阵列在卡盘内。3.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：输气管；所述输气管与所述清洗腔固定连接，所述输气管用于向所述清洗腔内输送气体；所述气体的温度不低于100摄氏度；所述清洗腔用于在晶圆进行去除光刻胶的过程中提供密闭的空间。4.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：驱动件；所述驱动件与所述卡盘固定连接，所述驱动件用于带动所述卡盘转动。5.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：夹持件；所述夹持件位于所述清洗腔内，所述夹持件固定设置在所述卡盘的外围周侧，所述夹持...

【专利技术属性】
技术研发人员：申弘植，卢一泓，李琳，杨涛，胡艳鹏，张月，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：