本发明专利技术公开基板热处理装置，其包括：包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于平板基板的下部的光束透射板和位于平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过光束透射板向平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束；以及辐射率测定模块，通过测定从平板基板的下部面或上部面反射的激光束来测定平板基板的辐射率。率。率。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用激光发光器件的基板热处理装置
[0001]本专利技术涉及利用激光发光器件的基板热处理装置。
技术介绍
[0002]半导体晶圆或平板显示装置用玻璃基板等平板基板可通过进行外延工艺、薄膜结晶化工艺、离子注入工艺或激活工艺等制作工艺而被制成半导体或平板显示模块。
[0003]上述平板基板需要在制作工艺中恒定维持温度。为了恒定维持上述平板基板的温度而需要准确地测定平板基板的温度。上述平板基板的温度通常利用在平板基板中测定的辐射率来测定。但是，上述平板基板的辐射率受到温度、表面粗糙度、表面图案的形状等平板基板的自身特性的影响，因此测定较为艰难。尤其，上述制作工序在相对高的温度条件下进行，因此，很难准确地测定平板基板的辐射率。
[0004]最近，随着半导体技术的微细化，上述制作工序需要较小的温度偏差和高的温度均匀度。因此，上述热处理装置需要准确测定平板基板的温度。
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]本专利技术的目的在于，提供在不使用单独光源的情况下可以测定平板基板的辐射率的利用激光发光器件的基板热处理装置。
[0007]技术方案
[0008]本专利技术的利用激光发光器件的基板热处理装置的特征在于，包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束透射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过上述光束透射板向上述平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束；以及辐射率测定模块，通过测定从上述平板基板的下部面或上部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。
[0009]并且，上述辐射率测定模块可位于上述光束照射模块的下部，通过测定从上述平板基板的下部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。
[0010]并且，上述工艺腔室可包括：侧壁，在内部放置上述平板基板；外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束透射板，上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束透射板的下部。
[0011]并且，上述光束照射模块可包括从上部面向下部面贯通的辐射率测定孔，上述辐射率测定模块可位于上述辐射率测定孔的下部。
[0012]并且，上述辐射率测定模块可包括功率计，上述功率计位于上述辐射率测定孔的下部，通过接收上述激光束来测定上述辐射率。
[0013]并且，上述辐射率测定模块可包括：光缆，位于辐射率测定孔的下部，接收上述激光束；以及功率计，与上述光缆相连接，用于测定上述辐射率。
[0014]并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件包括面发光激光器件或边缘发光激光器件。
[0015]并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件包括垂直腔面发射激光器器件。
[0016]并且，上述工艺腔室还可包括支撑上述平板基板的外侧的基板支架，上述基板热处理装置还包括支撑上述基板支架并使其旋转的基板旋转模块。
[0017]并且，上述基板旋转模块可包括：内侧旋转部，呈N极和S极沿着圆周方向交替形成的环形状，在腔室下部空间的内部结合在基板支架的下部；以及外侧转动部，在上述外部壳体的外侧与上述内侧旋转部相向设置，通过产生磁力来使上述内侧旋转部旋转。
[0018]专利技术的效果
[0019]本专利技术的利用激光发光器件的基板热处理装置在不使用单独的测定用光源的情况下，可利用被用作热光源的垂直腔面发射激光器的单一波长来测定平板基板的辐射率。
[0020]并且，本专利技术的利用激光发光器件的基板热处理装置在平板基板的下部与平板基板平行设置，因此，可以更加有效地测定平板基板的辐射率。
[0021]并且，本专利技术的利用激光发光器件的基板热处理装置可以不使用单独的辐射率测定用光源，因此，装置的结构变得简单。
附图说明
[0022]图1为本专利技术一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构图。
[0023]图2为图1的照射模块的部分立体图。
[0024]图3为图2中的“A
‑
A”的垂直剖视图。
[0025]图4为图1中的“B”的部分放大图。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图，更加具体地说明本专利技术的利用激光发光器件的基板热处理装置。
[0027]首先，说明本专利技术一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构。
[0028]图1为本专利技术一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置的结构图。图2为图1的照射模块的部分立体图。图3为图2中的“A
‑
A”的垂直剖视图。图4为图1中的“B”的部分放大图。
[0029]参照图1至图4，本专利技术一实施例的利用激光发光器件的基板热处理装置10可包括工艺腔室100、光束照射模块200、气体喷射模块300、辐射率测定模块400及基板旋转模块500。
[0030]上述基板热处理装置10可对平板基板a进行外延工艺、结晶化工艺、离子注入工艺或激活工艺等热处理工艺或制作工艺。
[0031]上述基板热处理装置10可使用激光发光器件作为用于加热平板基板a的热光源。上述激光发光器件可以为面发光激光器件或边缘发光激光器件。并且，上述激光发光器件可以为垂直腔面发射激光器器件。上述激光发光器件可以由照射单一波长的激光束的器件形成。例如，优选地，上述激光发光器件可以为照射大致940nm的单一波长的激光束的垂直腔面发射激光器器件。
[0032]在上述基板热处理装置10中，在包括照射激光束的激光发光器件的光束照射模块200中可向平板基板a的下部面照射激光束来加热平板基板a。其中，上述平板基板a可以为半导体晶圆或玻璃基板。并且，上述平板基板a可以为树脂膜等柔性基板。并且，上述平板基板a可包括形成在表面或内部的多种器件或导电图案。
[0033]上述基板热处理装置10将激光发光器件用作用于加热平板基板a的热光源，激光发光器件可以照射单一波长的激光束。例如，上述激光发光器件可以由照射大致940nm的单一波长的激光束的垂直腔面发射激光器器件形成。上述基板热处理装置10并不使用单独的测定用光源，而是可以利用被用作热光源的激光发光器件的激光束来测定平板基板a的辐射率。例如，上述基板热处理装置10可测定从垂直腔面发射激光器器件向平板基板a的下部面照射并反射的单一波长的激光束的反射率来计算辐射率。
[0034]并且，上述基板热处理装置10可在平板基板a的下部与平板基板a平行设置，因此可以更加有效地测定平板基板a的辐射率。并且，上述基板热处理装置10并不使用单独的辐射率测定用光源，因此，装置的结构变得简单。
[0035]并且，上述基板热处理装置10可通过在平板基板a的上部测定从平板基板a的上部面反射的激光束来测定辐射率。在此情况下，上述基板热处理装置10可包括向平板基板a的上部面照射激光束的单独的测定用光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板热处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束透射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过上述光束透射板向上述平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器光束；以及辐射率测定模块，通过测定从上述平板基板的下部面或上部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。2.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述辐射率测定模块位于上述光束照射模块的下部，通过测定从上述平板基板的下部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。3.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述工艺腔室包括：侧壁，在内部放置上述平板基板；外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束透射板，上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束透射板的下部。4.根据权利要求3所述的基板热处理装置，其特征在于，上述光束照射模块包括从上部面向下部面贯通的辐射率测定孔，上述辐射率测定模块位于上述辐射率测定孔的下部。5.根据权利要求2所述的基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：金亨骏，金炳局，朴旺濬，权五成，金泰衡，郑炳圭，
申请(专利权)人：微传科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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