一种反应釜控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种反应釜控制装置，包括釜体，釜体内设置温度传感器和搅拌器，搅拌器外侧设有内盘管，釜体外侧设置电控箱，所述温度传感器选用红外温度传感器，所述电控箱内设置控制器和红外信号处理单元，所述红外信号处理单元包括依次连接的前置精密滤波电路、运放调节电路和后置降噪电路，本实用新型专利技术通过设置前置精密滤波电路与后置降噪电路可实现对红外温度检测信号中的高频、低频等外界噪声干扰很好地消除，极大地提升了四氢苯酐反应釜温控效果，保证四氢苯酐产品制备品质。保证四氢苯酐产品制备品质。保证四氢苯酐产品制备品质。

【技术实现步骤摘要】
一种反应釜控制装置


[0001]本技术涉及反应釜控制
，特别是涉及一种反应釜控制装置。

技术介绍

[0002]反应釜是一种提供有物理或化学反应的容器，通过对容器的结构设计与参数配置，实现工艺要求的加热、蒸发、冷却及低高速的混配功能，反应釜是化工厂常用的一种反应设备。四氢苯酐是通过顺酐和丁二烯合成的在合成的过程中丁二烯遇到高温汽化成气体，因此在四氢苯酐反应釜工作过程中需要对釜体内的温度进行严格控制。
[0003]例如，申请号为202020294318.6、专利名称为“一种反应釜温度精细化控制装置”的技术专利，其技术方案通过在釜体内设置温度传感器和搅拌器,搅拌器外侧设有内盘管,釜体外侧设置电控箱；通过红外温度传感器实时检测釜体内的反应温度，电控箱内设置控制器和红外信号处理单元对红外温度传感器的输出信号进行处理，由于该技术方案中的滤波环节仅有简单的RC、LC滤波，在激烈的化学反应过程中是无法完全消除外部杂波干扰的，导致温控效果存在一定的局限性。
[0004]所以本技术提供一种新的方案来解决此问题。

技术实现思路

[0005]针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本技术之目的在于提供一种反应釜控制装置。
[0006]其解决的技术方案是：一种反应釜控制装置，包括釜体，釜体内设置温度传感器和搅拌器，搅拌器外侧设有内盘管，釜体外侧设置电控箱，所述温度传感器选用红外温度传感器，所述电控箱内设置控制器和红外信号处理单元，所述红外信号处理单元包括依次连接的前置精密滤波电路、运放调节电路和后置降噪电路，所述后置降噪电路输出端通过A/D转换器连接所述控制器的温度检测端，所述控制器用于控制所述内盘管的工作状态。
[0007]进一步的，所述前置精密滤波电路包括电阻R1，电阻R1的一端连接所述红外温度传感器的信号输出端，电阻R1的另一端通过电容C1连接电容C2和电感L2的一端，并通过电感L1接地，电容C2的另一端接地，电感L2的另一端连接MOS管Q1的漏极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和稳压二极管D1的阴极，稳压二极管D1的阳极接地。
[0008]进一步的，所述运放调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的反相输入端连接MOS管Q1的源极，并通过并联的电阻R3、电容C3连接运放器AR1和AR2的输出端，运放器AR1的同相输入端接地，运放器AR1的输出端通过电阻R4连接运放器AR2的反相输入端，运放器AR2的反相输入端、输出端之间连接电阻R5，运放器AR2的同相输入端接地。
[0009]进一步的，所述后置降噪电路包括电阻R6和电容C4、C5，电阻R6、电容C4的一端连接运放器AR2的输出端，电阻R6的另一端连接电容C5的一端和所述A/D转换器的输入端，电容C4、C5的另一端接地。
[0010]通过以上技术方案，本技术的有益效果为：本技术通过设置前置精密滤
波电路与后置降噪电路可实现对红外温度检测信号中的高频、低频等外界噪声干扰很好地消除，极大地提升了四氢苯酐反应釜温控效果，保证四氢苯酐产品制备品质。
附图说明
[0011]图1为本技术的前置精密滤波电路原理图。
[0012]图2为本技术的运放调节电路原理图。
[0013]图3为本技术的后置降噪电路原理图。
具体实施方式
[0014]有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图1
‑
3对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。
[0015]下面将参照附图描述本技术的各示例性的实施例。
[0016]一种反应釜控制装置，包括釜体，釜体内设置温度传感器和搅拌器，搅拌器外侧设有内盘管，釜体外侧设置电控箱，所述温度传感器选用红外温度传感器，所述电控箱内设置控制器和红外信号处理单元，所述红外信号处理单元包括依次连接的前置精密滤波电路、运放调节电路和后置降噪电路，所述后置降噪电路输出端通过A/D转换器连接所述控制器的温度检测端，所述控制器用于控制所述内盘管的工作状态。
[0017]如图1所示，前置精密滤波电路包括电阻R1，电阻R1的一端连接所述红外温度传感器的信号输出端，电阻R1的另一端通过电容C1连接电容C2和电感L2的一端，并通过电感L1接地，电容C2的另一端接地，电感L2的另一端连接MOS管Q1的漏极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和稳压二极管D1的阴极，稳压二极管D1的阳极接地
[0018]如图2所示，运放调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的反相输入端连接MOS管Q1的源极，并通过并联的电阻R3、电容C3连接运放器AR1和AR2的输出端，运放器AR1的同相输入端接地，运放器AR1的输出端通过电阻R4连接运放器AR2的反相输入端，运放器AR2的反相输入端、输出端之间连接电阻R5，运放器AR2的同相输入端接地。
[0019]如图3所示，后置降噪电路包括电阻R6和电容C4、C5，电阻R6、电容C4的一端连接运放器AR2的输出端，电阻R6的另一端连接电容C5的一端和所述A/D转换器的输入端，电容C4、C5的另一端接地。
[0020]本技术在具体使用时，红外温度传感器实时检测釜体内的反应温度，并将检测信号送入前置精密滤波电路中进行滤波处理，具体原理为：电感L1、L2与电容C1、C2形成二阶LC谐振选频网络对红外温度传感器的检测信号进行选频降噪，利用谐振选频原理实现对红外温度检测信号一致的选频带，从而很好地滤除外部高频杂波干扰，极大地提升温度检测信号精度。然后送入MOS管Q1中进行初步放大，由于MOS管Q1的栅极设置有稳压二极管D1，利用稳压二极管D1的信号稳幅特性在MOS管Q1的栅极形成稳定的导通电压，从而保证MOS管Q1源极输出信号具有很好地稳定性。
[0021]运放调节电路采用串联的运放器AR1、AR2对三极管放大电路的输出信号进一步放大，利用闭环反馈放大快速提升红外温度传感器检测信号强度，并有效降低系统误差。后置降噪电路采用π型RC滤波原理对运放后的信号进行处理，消除LC选频滤波产生的不稳定因
素。最后，采用A/D转换器将红外信号处理单元的输出信号进行模数转换成数字量，最后由控制器计算出釜体内的实时反应温度，并通过调节内盘管的工作状态使釜体内各个阶段的反应温度始终满足标准要求。
[0022]本技术通过设置前置精密滤波电路与后置降噪电路可实现对红外温度检测信号中的高频、低频等外界噪声干扰很好地消除，极大地提升了四氢苯酐反应釜温控效果，保证四氢苯酐产品制备品质。
[0023]以上所述是结合具体实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术具体实施仅局限于此；对于本技术所属及相关
的技术人员来说，在基于本技术技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本技术保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应釜控制装置，包括釜体，釜体内设置温度传感器和搅拌器，搅拌器外侧设有内盘管，釜体外侧设置电控箱，所述温度传感器选用红外温度传感器，所述电控箱内设置控制器和红外信号处理单元，其特征在于：所述红外信号处理单元包括依次连接的前置精密滤波电路、运放调节电路和后置降噪电路，所述后置降噪电路输出端通过A/D转换器连接所述控制器的温度检测端，所述控制器用于控制所述内盘管的工作状态。2.根据权利要求1所述的反应釜控制装置，其特征在于：所述前置精密滤波电路包括电阻R1，电阻R1的一端连接所述红外温度传感器的信号输出端，电阻R1的另一端通过电容C1连接电容C2和电感L2的一端，并通过电感L1接地，电容C2的另一端接地，电感L2的另一端连接MOS管Q1的漏极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接M...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永旺，王博，王满仓，徐在礼，冯基通，唐鹏，高瑞杰，常文丽，葛瑞，张亚，
申请(专利权)人：河南源博新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：