气体阻隔性层叠体及包装体制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种气体阻隔性层叠体，其能够以简便的工序来制造，且即使在高湿度下也可获得稳定的气体阻隔性。本发明专利技术人等利用层叠有通过气相薄膜形成法而形成的金属层(A)、及利用在结构中具有羧基的化合物而形成的(B)层的气体阻隔性层叠体可获得能够以简便的工序来制造、且即使在高湿度下也可获得稳定的气体阻隔性的气体阻隔性层叠体，从而解决了上述课题。上述课题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体阻隔性层叠体及包装体


[0001]本专利技术关于一种气体阻隔性层叠体，其层叠有：通过物理蒸镀法而形成的金属层(A)、及利用在结构中具有羧基的化合物而形成的(B)层。

技术介绍

[0002]关于在食品、医药品等的包装中使用的包装材料，为了防止因氧化而造成的内容物或风味的变质、功效的降低，而要求具有对氧、水蒸气的阻隔性(以下，也称为气体阻隔性)。
[0003]作为用作这些包装材料的基材，从便宜且可赋予高阻隔性能的方面出发，使用了在表面实施有蒸镀处理的透明树脂薄膜。
[0004]作为上述蒸镀处理，广泛使用蒸镀AlO
x
、SiO
x
等的处理，然而由于这些蒸镀膜不耐挠曲、折叠等而涂膜容易崩坏，因此在蒸镀膜上涂布具有高亲水性的氢键性基团的树脂来使用。
[0005]虽然用于涂布的具有高亲水性的氢键性基团的树脂在干燥条件下发挥优异的气体阻隔性，但在高湿度条件下，存在由于氢键基团的存在而气体阻隔性降低的问题。
[0006]为了解决这些问题，也进行了通过将多羧酸系聚合物与2价金属盐的醇分散体涂布在经蒸镀处理的基材上，而在基材表面生成多羧酸多价金属盐的方法，但存在涂布工序增加的问题。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2007
‑
112114号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]鉴于这样的情形，本专利技术者们针对能够以简便的工序来制造，且即使在高湿度下也可获得稳定的气体阻隔性的气体阻隔性层叠体反复进行了研究。
[0012]用于解决问题的方案
[0013]本专利技术者们反复进行努力研究，结果发现：通过层叠有通过气相薄膜形成法而形成的金属层(A)、及利用在结构中具有羧基的化合物而形成的(B)层的气体阻隔性层叠体，可解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术，可获得能够以简便的工序来制造，且即使在高湿度下也可获得稳定的气体阻隔性的气体阻隔性层叠体。
具体实施方式
[0016]本专利技术关于一种气体阻隔性层叠体，其层叠有：通过气相薄膜形成法而形成的金
属层(A)、及利用在结构中具有羧基的化合物而形成的(B)层。
[0017]此外，在上述气体阻隔性层叠体中，金属层(A)也可设为利用选自由金属氧化物、金属氢氧化物、及金属盐所组成的组中的一种以上而形成的层。
[0018]进而，在上述气体阻隔性层叠体中，金属层(A)也可设为利用选自氧化锌、氧化镁、氧化钙中的一种以上金属氧化物而形成的金属层。
[0019]此外，上述气体阻隔性层叠体的特征也可设为：上述气相薄膜形成法为物理沉积法。
[0020]另外，其特征也可设为：作为在上述气体阻隔性层叠体中所使用的多元羧酸化合物，使用在分子中含有2个以上羧基的多元羧酸化合物。
[0021]进而，上述气体阻隔性层叠体的特征也可设为：具有树脂制薄膜基材层。
[0022]另外，本专利技术关于一种包装体，其包含上述气体阻隔性层叠体。
[0023]本专利技术的气体阻隔性层叠体具有通过气相薄膜形成法而形成的金属层(A)。在本专利技术中，作为用于形成金属层的气相薄膜形成法，存在有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理沉积法(以下，也称为PVD法)、及化学沉积法(以下，也称为CVD法)，在可获得本专利技术的效果的范围内使用任一方法皆可。如上所述，本专利技术中使用的气相薄膜形成法并无特别限定，但从可简便地形成稳定的薄膜的方面而言，优选通过真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等PVD法来制造，进而，最优选通过真空蒸镀法来进行薄膜形成。
[0024]在本专利技术中，作为用于形成金属层的金属，在可获得本专利技术的效果的范围内并无特别限定，可使用选自可赋予气体阻隔性的各种金属、金属氧化物、金属氢氧化物、金属盐中的一种以上。作为这些金属，从可获得良好的气体阻隔性的方面而言，优选为选自氧化锌、氧化镁、氧化钙、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化铜中的一种以上，进而优选为选自氧化锌、氧化镁、氧化钙中的至少一种，特别优选为氧化锌。这些金属化合物可单独使用也可组合使用2种以上。
[0025]在本专利技术中，关于金属层(A)的厚度，在可获得本专利技术的效果的范围内并无特别限定，只要为可获得本专利技术的效果的范围即可。作为金属层(A)的厚度，如上所述并无特别限定，但从可获得充分的气体阻隔性的方面而言，优选1～100nm，从可确保气体阻隔性层叠体整体的增塑性的方面而言，进而优选3～70nm，特别优选5～60nm。
[0026]关于用作上述PVD法的蒸镀加工，可使用以下方法：通过利用各种热源将作为靶的金属、金属氧化物、金属氢氧化物、树脂(以下，有时也将这些蒸镀原料统称为靶)等进行加热而使其蒸散，在保持为更低温的基材表面以液滴或结晶的形式析出。此方法不论是将加工面整体进行一次性处理的分批法、还是通过使基材或反应槽移动而对基材进行连续性处理、对不同加工面进行连续性处理的方法中的任一者皆可使用。
[0027]本专利技术中的蒸镀加工可在加压、常压、减压、真空状态及其变压(swing)、大气中及非活性气体的任一气氛下来实施。通过在减压或真空状态下进行处理，能够提升蒸散速度及降低蒸散温度，可通过加压而促进蒸散物的析出。另外，通过设为真空或非活性气氛，可控制上述金属、金属氧化物、金属氢氧化物等的氧化、载体的氧化。进而，可控制/容许蒸镀工序中的氧化时，考虑到成本方面，也能够在大气气氛下来实施。
[0028]在本专利技术中，通过调整蒸镀条件，可获得依据目的而优选的薄膜。作为上述条件，为用于控制靶蒸镀物的化学结构的腔室内的压力和存在于靶蒸气及气氛中的分子及基材
表面接触的时间，通过控制该时间，可控制成膜的蒸镀薄膜的组成。另外，在薄膜成膜后使上述薄膜与氧或者水蒸气接触，从而也可控制薄膜表面的结构。
[0029]所谓控制上述靶蒸镀物的化学结构，是指例如在蒸镀时进行水蒸气、氧的添加等，由此以蒸镀层的形式获得在靶金属加成有羟基或氧的化合物，可依据所期望的蒸镀膜来探究合适的蒸镀条件。
[0030]作为本专利技术中的溅射法，在可获得本专利技术的效果的范围并无特别限定，可选自DC溅射、RF溅射、磁控溅射、离子束溅射、RF磁控溅射等，但从能够以高效率来进行溅射的方面而言，优选为使用磁控溅射、RF磁控溅射的方法。关于磁控溅射，例如期望在减压至1
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‑4Pa以下且导入有非活性气体(例如氩等)的腔室内等的处理空间内来进行。在上述处理空间内，使成为薄膜原料的靶与基材对向地配置。在靶的背侧，配置有永久磁铁、及视需要而用以保持靶的保持件等装置。
[0031]通过上述永久磁铁的磁场，可束缚存在于处理空间内的电子的螺旋轨道，且产生高密度的等离子体区域。通过上述高密度等离子体区域的存在，非活性气体的离子化受到促进，并且，通过离子碰撞靶，产生靶微小颗粒，所产生的微小颗粒附着至基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气体阻隔性层叠体，其层叠有：通过气相薄膜形成法而形成的金属层(A)、及利用在结构中具有羧基的化合物而形成的(B)层。2.根据权利要求1所述的气体阻隔性层叠体，其中，所述金属层(A)是利用选自由金属氧化物、金属氢氧化物、及金属盐所组成的组中的一种以上而形成的层。3.根据权利要求1或2所述的气体阻隔性层叠体，其中，所述金属层(A)是利用选自氧化锌、氧化镁、氧化钙中的一种以上金属氧化物而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：权利要求书一页说明书八页，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：