一种陶瓷器修补工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种陶瓷器修补工艺，属于陶瓷加工领域，在所述陶瓷碎片的外侧壁和所述陶瓷本体外侧壁上绘画暗孔导线；在所述陶瓷碎片和所述陶瓷本体的断面处沿着所述暗孔导线分别绘画出第一暗孔线和第二暗孔线；在所述第一暗孔线处钻出第一暗孔，在所述第二暗孔线处钻出第二暗孔；向所述第一暗孔和所述第二暗孔内融锡注入，将所述陶瓷碎片再次放置在所述陶瓷本体的缺口上使所述陶瓷碎片的断面与所述陶瓷本体的断面相贴合；在所述陶瓷碎片的外侧壁上开设第一凹槽，在所述陶瓷本体外侧壁开设有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第一暗孔相连通，所述第二凹槽与所述第二暗孔相连通，向所述第一凹槽和所述第二凹槽内融锡注入。一凹槽和所述第二凹槽内融锡注入。一凹槽和所述第二凹槽内融锡注入。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷器修补工艺


[0001]本专利技术涉及陶瓷加工
，更具体地说，涉及一种陶瓷器修补工艺。

技术介绍

[0002]陶瓷器坚硬耐磨，更可持久使用，可陶瓷器的致命弱点是易碎，每当一件陶瓷器破碎后其使用价值大幅下降，随着现代化学技术的发展，出现了各种陶瓷修补的方法，其中，通过锔钉修补陶瓷器的传统手艺由于修补后陶瓷器较美观而备受人民的欢迎如专利申请号为202110357828.2的专利，但是通过锔钉修补陶瓷器的工艺流程较复杂，且在将锔钉敲入陶瓷器时，容易造成瓷器开裂或者将锤子直接敲击在陶瓷器上，从而造成陶瓷器的损坏。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题在于防止修补陶瓷器时造成二次损伤，针对现有技术的上述缺陷，提供一种陶瓷器修补工艺。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0005]构造一种陶瓷器修补工艺，所述陶瓷器修补工艺包括以下步骤：
[0006]S1、将陶瓷碎片放置在陶瓷本体的缺口处使所述陶瓷碎片的断面与所述陶瓷本体的断面相贴合；
[0007]S2、在所述陶瓷碎片的外侧壁和所述陶瓷本体外侧壁上分别绘画第一暗孔导线和第二暗孔导线，第一暗孔导线与所述陶瓷碎片的断面相接触，第二暗孔导线与所述陶瓷本体的断面相接触，所述第一暗孔导线和所述第二暗孔导线设置有一条或多条。
[0008]S3、将所述陶瓷碎片与所述陶瓷本体分离；
[0009]S4、在所述陶瓷碎片和所述陶瓷本体的断面处沿着所述暗孔导线分别绘画出第一暗孔线和第二暗孔线；
[0010]S5、在所述第一暗孔线处钻出第一暗孔，在所述第二暗孔线处钻出第二暗孔；
[0011]S6、向所述第一暗孔和所述第二暗孔内融锡注入；
[0012]S7、在所述陶瓷碎片的外侧壁上开设第一凹槽，在所述陶瓷本体外侧壁开设有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第一暗孔相连通，所述第二凹槽与所述第二暗孔相连通，向所述第一凹槽和所述第二凹槽内融锡注入，待锡冷却后打磨所述第一凹槽和所述第二凹槽开口处的锡。
[0013]优选的，所述第一暗孔导线和所述第二暗孔导线根据陶瓷碎片和陶瓷本体的长度设置有多条，所述第一暗孔和所述第二暗孔根据所述陶瓷碎片和所述陶瓷本体的断面的宽度设置有一行或多行。
[0014]优选的，在步骤S1前，可在所述陶瓷碎片和所述陶瓷本体的断面处抹涂清水。
[0015]优选的，待锡冷却后用打磨棒直接对所述第一凹槽和所述第二凹槽开口处的锡打磨或者用砂纸沾上清水和/或酒精后对所述第一凹槽和所述第二凹槽开口处的锡进行打磨。
[0016]优选的，所述暗孔与所述陶瓷碎片和所述陶瓷本体的断面的角度为80
‑
100
°
。
[0017]优选的，所述第一凹槽与所述陶瓷碎片的断面相连通，所述第二凹槽与所述陶瓷本体的断面相连通。
[0018]本专利技术的有益效果在于：本专利技术通过在陶瓷碎片和陶瓷本体的外壁上分别绘画第一暗孔导线和第二暗孔导线，随后通过第一暗孔导线和第二暗孔导线在陶瓷碎片和陶瓷本体的断面处绘制第一暗孔线和第二暗孔线，根据陶瓷碎片和陶瓷本体的厚度确定在第一暗孔线上的第一暗孔数量以及第二暗孔线上的第二暗孔数量，向第一暗孔和第二暗孔内注锡，待锡冷却后，在陶瓷碎片的外侧壁开设第一凹槽，第一凹槽与第一暗孔和陶瓷碎片的断面相连通，在陶瓷本体的外侧壁开设有第二凹槽，第二凹槽与第二暗孔和陶瓷本体的断面相连通，将陶瓷碎片放置在陶瓷本体的缺口处，此时，第一暗孔正对第二暗孔，向第一凹槽内注锡，使得第一凹槽内的锡和第一暗孔内的锡相熔合，向第二凹槽内注锡，第二凹槽内的锡与第二内孔内的锡相熔合，以此将陶瓷碎片与陶瓷本体连接，最后对第一凹槽和第二凹槽开口处的锡进行打磨；本专利技术无需在陶瓷的断面处嵌入锔钉，简化了修补陶瓷器的工艺流程，也防止了嵌入锔钉时对陶瓷器造成伤害，增加了陶瓷器修复的成功率。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图：
[0020]图1是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的轴测示意图。
[0021]图2是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的陶瓷本体的仰视示意图。
[0022]图3是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的陶瓷碎片的俯视示意图。
[0023]图4是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的整体侧面示意图。
[0024]图5是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的另一侧面示意图。
[0025]图6是本专利技术较佳实施例的一种陶瓷器修补工艺的又一侧面示意图。
[0026]附图标记为：1、陶瓷本体；2、陶瓷碎片；3、第一暗孔导线；4、第二暗孔导线；5、第一暗孔线；6、第二暗孔线；7、第一暗孔；8、第二暗孔；9、第一凹槽；10、第二凹槽。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
[0029]在本申请实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第
一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0031]实施例1：如图1
‑
图6所示，所述陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷器修补工艺，其特征在于，所述陶瓷器修补工艺包括以下步骤：S1、将陶瓷碎片(2)放置在陶瓷本体(1)的缺口处使所述陶瓷碎片(2)的断面与所述陶瓷本体(1)的断面相贴合；S2、在所述陶瓷碎片(2)的外侧壁和所述陶瓷本体(1)外侧壁上分别绘画第一暗孔导线(3)和第二暗孔导线(4)，第一暗孔导线(3)与所述陶瓷碎片(2)的断面相接触，第二暗孔导线(3)与所述陶瓷本体(1)的断面相接触，所述第一暗孔导线(3)和所述第二暗孔导线(4)设置有一条或多条。S3、将所述陶瓷碎片(2)与所述陶瓷本体(1)分离；S4、在所述陶瓷碎片(2)和所述陶瓷本体(1)的断面处沿着所述暗孔导线分别绘画出第一暗孔线(5)和第二暗孔线(6)；S5、在所述第一暗孔线(5)处钻出第一暗孔(7)，在所述第二暗孔线(6)处钻出第二暗孔(8)；S6、向所述第一暗孔(7)和所述第二暗孔(8)内融锡注入；S7、在所述陶瓷碎片(2)的外侧壁上开设第一凹槽(9)，在所述陶瓷本体(1)外侧壁开设有第二凹槽(10)，所述第一凹槽(9)与所述第一暗孔(7)相连通，所述第二凹槽(10)与所述第二暗孔(8)相连通，向所述第一凹槽(9)和所述第二凹槽(10)内融锡注入，待锡冷却后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，
申请(专利权)人：李伟，
类型：发明
国别省市：