衬部以及包括该衬部的外延反应器制造技术

根据本公开的一个方面，提供了一种外延反应器的衬部，该衬部包括：下主体，下主体包括入口台阶状部分，入口台阶状部分被布置在下主体的外侧表面的一侧的上端部上，并且源气体通过入口台阶状部分被引入；多个下分隔部，多个下分隔部被布置成在入口台阶状部分上彼此隔开；上主体，上主体被布置在下主体上以面对下主体，并且包括入口盖部部分，入口盖部部分形成流动路径，该流动路径位于入口台阶状部分和入口盖部部分之间，并且源气体通过该流动路径被引入；以及多个上分隔部，多个上分隔部被布置成在入口盖部部分上彼此隔开，其中，上分隔部在入口盖部部分的两侧部分中比在中心部分中更密集地布置。本公开的另一方面提供了一种外延反应器。延反应器。延反应器。

【技术实现步骤摘要】
衬部以及包括该衬部的外延反应器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年2月17日提交的申请号为2022
‑
0020611的韩国专利申请的优先权，该申请的公开内容在此通过引用被整体并入本文中。


[0003]本公开涉及一种衬部以及包括该衬部的外延反应器，该衬部通过改善流向晶片边缘的源气体的流动平直度而使得外延层能够以均匀的厚度生长。

技术介绍

[0004]用作用于制造半导体元件的材料的晶片是通过以下步骤制造的：将单晶硅锭切成薄的晶片形式的切片步骤、将晶片研磨成具有期望的厚度并且改善平整度的研磨步骤、用于从晶片上移除损伤的蚀刻步骤、用于改善表面的镜面精加工和平整度的抛光步骤、用于移除晶片表面上的污染物的清洗晶片步骤等。
[0005]外延晶片是在1000℃或1000℃以上的高温腔室中，通过化学气相沉积方法在抛光的晶片上形成外延膜的晶片。外延膜的厚度受到引入到加工腔室中的反应气体的流量、腔室的容积以及腔室的加热的影响。
[0006]在申请号为1487411的韩国专利(2013年9月2日申请)中公开的衬部和外延反应器包括主体，该主体包括：第一台阶状部分，第一台阶状部分被布置在主体的外侧表面的一侧的上端部处，并且源气体通过第一台阶状部分被引入；以及衬部分隔部，衬部分隔部被布置成在第一台阶状部分上彼此隔开，其中，第一台阶状部分相对于主体的外侧表面具有台阶，并且包括与主体的上表面接触的第一表面、以及被定位在主体的外侧表面和第一表面之间的第二表面，衬部分隔部中的至少一个衬部分隔部具有不同的倾斜角度并且联接到第一台阶状部分的第一表面和第二表面，倾斜角度是在衬部分隔部和参照线之间形成的角度，参照线是垂直于第一边界线的线，第一台阶状部分的第二表面与主体的外侧表面在第一边界线处接合。
[0007]因此，根据分隔部的装置结构可以控制源气体的流，从而可以控制生长在晶片上的外延层的厚度。
[0008]图1和图2是示出在根据常规技术的外延反应器的入口处和内部部分中的源气体的流动的视图，并且图3是示出在根据常规技术的外延反应器中制造的晶片的外延层的厚度的曲线图。
[0009]在常规的外延反应器中，源气体是通过注射部供应的，注射部形成中心流动路径和两侧流动路径，如图1所示，即使当源气体穿过挡板和插入件时，流动在外延反应器的入口的两侧处也有相对减弱的趋势。
[0010]如图2所示，即使当常规的外延反应器包括上述在下衬部上的分隔部时，流动在外延反应器的两侧处也有相对减弱的趋势。
[0011]因此，如图3所示，即使在常规的外延反应器中制造外延晶片时，也存在外延层的
厚度在晶片的两侧处的非常薄、并且难以在整个晶片上均匀地控制外延层的厚度的问题。

技术实现思路

[0012]技术问题
[0013]本公开旨在解决上述问题和其他问题。
[0014]本公开还旨在提供一种衬部以及包括该衬部的外延反应器，该衬部通过改善流向晶片边缘的源气体的流动平直度而使得外延层能够以均匀的厚度生长。
[0015]技术方案
[0016]根据本公开的一个方面，提供了一种外延反应器的衬部，该衬部包括：下主体，下主体包括入口台阶状部分，入口台阶状部分被布置在下主体的外侧表面的一侧的上端部上，并且源气体通过入口台阶状部分被引入；多个下分隔部，多个下分隔部被布置成在入口台阶状部分上彼此隔开；上主体，上主体被布置在下主体上以面对下主体，并且包括入口盖部部分，入口盖部部分形成流动路径，该流动路径位于入口台阶状部分和入口盖部部分之间，并且源气体通过该流动路径被引入；以及多个上分隔部，多个上分隔部被布置成在入口盖部部分上彼此隔开，其中，上分隔部在入口盖部部分的两侧部分中比在中心部分中更密集地布置。
[0017]下分隔部可以以预定间隔布置在入口台阶状部分的两侧。
[0018]在源气体被引入的方向上，在入口盖部部分的中心部分中，上分隔部中的一些上分隔部可以被布置成与下分隔部成直线。
[0019]在入口盖部部分的两侧部分中，上分隔部中的一些上分隔部可以比下分隔部更密集地布置。
[0020]在源气体被引入的方向上，在入口盖部部分的两侧部分中，上分隔部中的一些上分隔部可以被布置成与下分隔部成直线。
[0021]在入口盖部部分的两侧部分中，上分隔部中的一些上分隔部中的两个上分隔部或更多个上分隔部可以被布置在下分隔部之间。
[0022]上分隔部可以被形成为具有与下分隔部相同的厚度。
[0023]在入口盖部部分的两侧部分中，上分隔部中的一些上分隔部可以被形成为具有比下分隔部更大的厚度。
[0024]在入口盖部部分的两侧部分中，上分隔部中的一些上分隔部中的两个上分隔部或更多个上分隔部可以被布置在下分隔部之间。
[0025]上分隔部可以由石英材料形成，并且与入口盖部部分一体地形成。
[0026]根据本公开的另一方面，提供了一种外延反应器，该外延反应器包括：衬托部，晶片位于衬托部上；下衬部，下衬部具有围绕衬托部的内表面；以及上衬部，上衬部被布置在下衬部上，以面向下衬部；其中，下衬部包括入口台阶状部分，入口台阶状部分被布置在下主体的外侧表面的一侧的上端部上，并且源气体通过入口台阶状部分被引入；以及多个下分隔部，多个下分隔部被布置成在入口台阶状部分上彼此隔开，上衬部包括：上主体，上主体被布置在下主体上以面对下主体，并且包括入口盖部部分，入口盖部部分形成流动路径，该流动路径位于入口台阶状部分和入口盖部部分之间，并且源气体通过流动路径被引入；以及多个上分隔部，多个上分隔部被布置成在入口盖部部分上彼此隔开，并且上分隔部在
入口盖部部分的两侧部分中比在中心部分中更密集地布置。
[0027]有益效果
[0028]根据实施例，通过使上分隔部在源气体流动穿过的入口的两侧部分上比在中心部分上更密集地布置，能够改善在晶片的两个方向上流动的源气体的流动平直度，并且可以均匀地控制外延层在整个晶片上的厚度。
附图说明
[0029]图1是示出在根据常规技术的外延反应器的入口处的源气体的流动的视图。
[0030]图2是示出在根据常规技术的外延反应器中的源气体的流动的视图。
[0031]图3是示出在根据常规技术的外延反应器中制造的晶片的外延层的厚度的曲线图。
[0032]图4是示出了根据一个实施例的外延反应器的分解透视图。
[0033]图5是示出了第一实施例的衬部的、被部分地切除的透视图。
[0034]图6是示出了在第一实施例的衬部中的上分隔部和下分隔部的布局的示意图。
[0035]图7是示出了被包括在第一实施例的衬部中的上衬部的仰视透视图。
[0036]图8是示出了第二实施例的衬部的、被部分地切除的透视图。
[0037]图9是示出了在第二实施例的衬部中的上分隔部和下分隔部的布局的示意图。
[0038]图10是示出了被包括在第二实施例的衬部中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延反应器的衬部，所述衬部包括：下主体，所述下主体包括入口台阶状部分，所述入口台阶状部分被布置在所述下主体的外侧表面的一侧的上端部上，并且源气体通过所述入口台阶状部分被引入；多个下分隔部，所述多个下分隔部被布置在所述入口台阶状部分上，以彼此间隔开；上主体，所述上主体被布置在所述下主体上以面对所述下主体，并且包括入口盖部部分，所述入口盖部部分形成流动路径，所述流动路径位于所述入口台阶状部分和所述入口盖部部分之间，并且所述源气体通过所述流动路径被引入；以及多个上分隔部，所述多个上分隔部被布置成在所述入口盖部部分上彼此隔开，其中，所述上分隔部在所述入口盖部部分的两侧部分中比在中心部分中更密集地布置。2.根据权利要求1所述的衬部，其中，所述下分隔部以预定间隔布置在所述入口台阶状部分的两侧。3.根据权利要求1所述的衬部，其中，在所述源气体被引入的方向上，在所述入口盖部部分的中心部分中，所述上分隔部中的一些上分隔部被布置成与所述下分隔部成直线。4.根据权利要求1所述的衬部，其中，在所述入口盖部部分的两侧部分中，所述上分隔部中的一些上分隔部比所述下分隔部更密集地布置。5.根据权利要求4所述的衬部，其中，在所述源气体被引入的方向上，在所述入口盖部部分的两侧部分中，所述上分隔部中的一些上分隔部被布置成与所述下分隔部成直线。6.根据权利要求4所述的衬部，其中，在所述入口盖部部分的两侧部分中，所述上分隔部中的一些上分隔部中的两个上分隔部或更多个上分隔部被布置在所述下分...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世理，白承喆，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：