一种片式电阻二次保护浆料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种片式电阻二次保护浆料及其制备方法和应用，属于高分子材料技术领域。片式电阻二次保护浆料按重量份数计，包括以下组分：树脂15～30份；增稠剂0.05～2份；有机溶剂10～20份；固化剂0.3～0.7份；固化促进剂0.2～0.5份；绝缘炭黑3～5份；填料45～60份；分散剂0.1～2份；填料为二氧化硅、氧化铝或氧化锌中的一种或几种；填料的D50粒径为250nm～3μm；填料的表面键合烷基或环氧基团。本发明专利技术的片式电阻二次保护浆料具有优良的印刷性能，用于片式电阻的保护膜时具有超高的绝缘阻抗、极低的渗水率、优异的耐酸碱性能，适用于高电压、高湿度和酸碱环境下使用，为片式电阻提供可靠的二次保护。可靠的二次保护。可靠的二次保护。

【技术实现步骤摘要】
一种片式电阻二次保护浆料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及电子浆料
，更具体地，涉及一种片式电阻二次保护浆料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]片式电阻是电子元器件21世纪以来发展最为迅猛的行业之一，由于其轻、小、薄的特点，引领着电子产品向小型化、精密化、智能化趋势发展。
[0003]片式电阻元器件的生产工艺通常为：(1)背面导体印刷干燥；(2)正面导体印刷干燥；(3)导体烧结；(4)电阻层印刷干燥；(5)电阻层烧结；(6)一次保护层印刷干燥；(7)一次包封烧结；(8)镭射修整；(9)二次保护浆料印刷干燥；(10)二次包封固化；以及后部工序中阻值码印刷干燥烧结，折条，真空溅镀干燥；折粒，Ni、Sn电镀干燥，磁性筛选，阻值筛选，到最终产品。
[0004]其中，二次保护浆料印刷在一次保护浆料烧结后的片式电阻上，二次保护浆料印刷完得到片式电阻。一次保护浆料烧结的作用是为了保护电阻在后续的加工中受到损坏，而二次保护浆料更加精细，为了提高电阻保护膜的防潮抗腐蚀性以及实现优良的绝缘性能。
[0005]传统的片式电阻二次保护浆料印刷性能较差，印刷窗口窄，对不同的印刷工艺参数适配不佳，由于印刷问题的存在，导致所制备的保护膜性能较差。
[0006]现有技术公开了一种片式电阻器低温固化绝缘介质浆料，然而，其片式电阻二次保护浆料所制备的保护膜的阻值只能达到GΩ该数量级，由于其绝缘性能一般，无法满足在高电压条件下使用，而且其也没有针对浆料的渗水性能以及耐碱性做出相应改善，无法满足在高湿、高腐蚀性的条件下使用。

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的技术问题是克服现有片式电阻二次保护浆料的绝缘性能较差的技术问题。提供一种片式电阻二次保护浆料，其具有优异的印刷性能，所制备的保护膜具有超高的绝缘阻抗、优良的耐酸碱性和低渗水率。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供一种片式电阻二次保护浆料的制备方法。
[0009]本专利技术的另一目的在于提供一种片式电阻用的保护膜。
[0010]本专利技术上述目的通过以下技术方案实现：
[0011]一种片式电阻二次保护浆料，按重量份数计，包括以下组分：
[0012]树脂15～30份；
[0013]增稠剂0.05～2份；
[0014]有机溶剂10～20份；
[0015]固化剂0.3～0.7份；
[0016]固化促进剂0.2～0.5份；
[0017]绝缘炭黑3～5份；
[0018]填料45～60份；
[0019]分散剂0.1～2份；
[0020]所述填料为二氧化硅、氧化铝或氧化锌中的一种或几种；
[0021]所述填料的D50粒径为250nm～3μm；
[0022]所述填料的表面键合烷基基团和/或环氧基团中的一种或几种。
[0023]其中需要说明的是：
[0024]本专利技术的片式电阻二次保护浆料具有优良的印刷性能，用于片式电阻的保护膜时具有超高的绝缘阻抗、极低的渗水率、优异的耐酸碱性能，能够适用于高电压、高湿度和酸碱环境下使用，为片式电阻提供可靠的二次保护。
[0025]本专利技术的片式电阻二次保护浆料各组分的作用机理具体如下：
[0026]本专利技术的片式电阻二次保护浆料中，填料比较高，而且填料表面键合烷基或环氧基团，由于有机基团的引入，从而使其更容易被有机基底吸附和分散，填料不容易发生团聚，有利于提高浆料的绝缘性能，能够有效提高绝缘阻抗，适用于高电压环境，防止膜层被击穿。
[0027]另外一方面由于烷基或环氧基团改性后的填料表面被有机基团包覆，而这些有机基团可以通过范德华力或者氢键相互作用增强颗粒之间的相互作用力，从而增加浆料的粘度和触变系数，进一步改善了浆料的印刷性能。
[0028]本专利技术的片式电阻二次保护浆料，在高填料比下，使用表面键合烷基或环氧基团的特定填料，具备了优良的印刷性能，并且固化后不易脱落，耐酸碱性优良，渗水率低，所制得的保护膜有超高的绝缘阻抗，绝缘性能优异，填补了市场上对片式电阻二次保护浆料印刷性能差、绝缘效果一般、渗水率高、耐酸碱性差和固化后易脱落的空白。
[0029]优选地，所述填料的表面键合烷基基团。
[0030]优选地，所述填料包括第一填料和/或第二填料，所述第一填料的D50粒径为1～2μm；所述第二填料的D50粒径为300～500nm。
[0031]更优选地，所述填料包括第一填料和/或第二填料，所述第一填料的D50粒径为1～1.5μm；所述第二填料的D50粒径为300～500nm。
[0032]更优选地，所述填料包括第一填料和第二填料。
[0033]通过使用不同粒径的填料，可以有效地填充浆料中的微小空隙和孔隙，同时由于球硅亲油性的增加，从而减少了浆料固化后空气中水分子的渗透，进一步的提高了浆料的绝缘性能，降低了渗水率。
[0034]可选地，所述第一填料和第二填料的质量比为(0.1～4)：1。
[0035]优选地，所述第一填料和第二填料的质量比为(0.1～0.7)：1。
[0036]更所述第一填料和第二填料的质量比为1:4。
[0037]优选地，所述填料为二氧化硅。
[0038]优选地，所述烷基基团可以是C3～C
18
中的一种或几种。
[0039]C3～C
18
是碳原子数为3～18的烷基基团。
[0040]其中，所述表面键合烷基基团的填料可以为烷基改性的二氧化硅。
[0041]烷基改性的二氧化硅可以自制获得，也可以由购买获得。
[0042]烷基改性的二氧化硅的制备方法可以为如下步骤：
[0043]S1.预处理二氧化硅：将二氧化硅分散在乙醇中，并在室温下搅拌，以获得均匀分散的二氧化硅溶液。
[0044]S2.添加改性剂：向二氧化硅溶液中缓慢滴加改性剂(如十八烷基三甲氧基硅烷)，并在室温下搅拌，以确保有机硅试剂充分覆盖二氧化硅表面。
[0045]S3.反应条件：将反应混合物在100
‑
150摄氏度的加热板上加热，反应时间约为4
‑
6小时。反应过程中可以采用氮气保护，避免反应混合物受到空气中的水分和氧气的影响。同时，反应物的pH值应该控制在7左右以避免酸碱过强引起的反应副作用。
[0046]S4.洗涤和干燥：反应结束后，将混合物用甲醇或丙酮洗涤至无色，然后将产物在120℃
‑
150℃下干燥。最后，用筛子将干燥后的产物分级，得到烷基基团改性的二氧化硅，并保存在干燥的容器中。
[0047]优选地，环氧基团可以是3
‑
氨丙氧基、3
‑
甲氧基丙氧基、4
‑
氨基苯环氧基、3
‑
缩水甘油醚丙基三乙氧基、环氧丙基三甲氧基、二环氧丙基三甲氧基或环氧丙基三乙氧基中的一种或几种。
[0048]其中，所述表面键合环氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片式电阻二次保护浆料，其特征在于，按重量份数计，包括以下组分：树脂15～30份；增稠剂0.05～2份；有机溶剂10～20份；固化剂0.3～0.7份；固化促进剂0.2～0.5份；绝缘炭黑3～5份；填料45～60份；分散剂0.1～2份；所述填料为二氧化硅、氧化铝或氧化锌中的一种或几种；所述填料的D50粒径为250nm～3μm；所述填料的表面键合烷基基团和/或环氧基团。2.如权利要求1所述片式电阻二次保护浆料，其特征在于，所述填料包括第一填料和/或第二填料，所述第一填料的D50粒径为1～2μm；所述第二填料的D50粒径为300～500nm。3.如权利要求2所述片式电阻二次保护浆料，其特征在于，所述第一填料和第二填料的质量比为(0.1～0.7)：1。4.如权利要求1所述片式电阻二次保护浆料，其特征在于，所述烷基基团为C3～C
18
中的一种或几种。5.如权利要求1所述片式电阻二次保护浆料，其特征在于，所述环氧基团为3
‑
氨丙氧基、3
‑
甲氧基丙氧基、4
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氨基苯环氧基、3
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缩水甘油醚丙基三乙氧基、环氧丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗继业，周翰宇，陈史斌，张震，曹秀华，王鑫豪，谈启明，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：