【技术实现步骤摘要】
表面处理剂
[0001]本专利技术涉及表面处理剂。
技术介绍
[0002]已知将某种含氟代聚醚基的硅烷化合物用于基材的表面处理时,能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。从含有含氟代聚醚基的硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下又称为“表面处理层”)是作为所谓功能性薄膜被施加于例如玻璃、塑料、纤维、卫生用品、建材等多种多样的基材(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2014-218639号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]专利文献1中记载的含氟代聚醚基的硅烷化合物能够带来具有优异功能的表面处理层,但要求具有更高摩擦耐久性的表面处理层。
[0008]本专利技术的目的在于提供一种具有摩擦耐久性更高的表面处理层的物品。
[0009]用于解决课题的技术方案
[0010]本专利技术包括以下的实施方式。
[0011][1]一种表面处理剂,其中,含有:
[0012]成分(A):含氟代聚醚基的硅烷化合物,和
[0013]成分(B):含聚氧化烯基化合物。
[0014][2]如上述[1]所述的表面处理剂,其中,
[0015]上述含氟代聚醚基的硅烷化合物为下述式(A1)或(A2)所示的化合物:
[0016]R
f1α1
‑
X
A
‑
R
Siβ1
ꢀꢀ
(A
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种表面处理剂,其特征在于,含有:成分(A):含氟代聚醚基的硅烷化合物,和成分(B):含聚氧化烯基化合物。2.如权利要求1所述的表面处理剂,其特征在于:所述含氟代聚醚基的硅烷化合物为下述式(A1)或(A2)所示的化合物:R
F1α1
‑
X
A
‑
R
Siβ1
ꢀꢀ
(A1)R
Siγ1
‑
X
A
‑
R
F2
‑
X
A
‑
R
Siγ1
ꢀꢀ
(A2)式(A1)或(A2)中:R
F1
分别独立地为Rf1‑
R
F
‑
O
q
‑
,R
F2
为
‑
Rf
2p
‑
R
F
‑
O
q
‑
,R
F
分别独立地为2价的氟代聚醚基,Rf1分别独立地为可以取代有1个或1个以上氟原子的C1‑
16
烷基,Rf2为可以取代有1个或1个以上氟原子的C1‑6亚烷基,p为0或1,q分别独立地为0或1,R
Si
分别独立地为含有键结有羟基、水解性基团、氢原子或1价的有机基团的Si原子的1价基团,至少1个R
Si
为含有键结有羟基或水解性基团的Si原子的1价基团,X
A
分别独立地为单键或2~10价的有机基团,α1为1~9的整数,β1为1~9的整数,γ1分别独立地为1~9的整数。3.如权利要求2所述的表面处理剂,其特征在于:Rf1分别独立地为C1‑
16
全氟烷基,Rf2分别独立地为C
1-6
全氟亚烷基。4.如权利要求2或3所述的表面处理剂,其特征在于:R
F
分别独立地为下述式所示的基团:-(OC6F
12
)
a
-(OC5F
10
)
b
-(OC4F8)
c
-(OC3R
Fa6
)
d
-(OC2F4)
e
-(OCF2)
f
-式中:R
Fa
分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子,a、b、c、d、e和f分别独立地为0~200的整数,并且,a、b、c、d、e和f之和为1以上,标注a、b、c、d、e或f并以括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的,其中,在全部的R
Fa
为氢原子或氯原子的情况下,a、b、c、e和f中的至少1个为1以上。5.如权利要求4所述的表面处理剂,其特征在于:R
Fa
为氟原子。6.如权利要求2~5中任一项所述的表面处理剂,其特征在于:R
F
分别独立地为下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示的基团:-(OC3F6)
d
-(OC2F4)
e
-(f1)式(f1)中,d为1~200的整数,e为0或1;-(OC4F8)
c
-(OC3F6)
d
-(OC2F4)
e
-(OCF2)
f
-(f2)
式(f2)中,c和d分别独立地为0~30的整数,e和f分别独立地为1~200的整数,c、d、e和f之和为10~200的整数,标注脚标c、d、e或f并以括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的;-(R6-R7)
g
-(f3)式(f3)中,R6为OCF2或OC2F4,R7为选自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F
10
和OC6F
12
中的基团,或者,为选自这些基团之中的2个或3个基团的组合,g为2~100的整数;-(R6-R7)
g
-R
r
-(R7’
-R6’
)
g
’
-(f4)式(f4)中,R6为OCF2或OC2F4,R7为选自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F
10
和OC6F
12
中的基团,或者,为从这些基团中独立地选择的2个或3个基团的组合,R6’
为OCF2或OC2F4,R7’
为选自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F
10
和OC6F
12
中的基团,或者,为从这些基团中独立地选择的2个或3个基团的组合,g为2~100的整数,g
’
为2~100的整数,R
r
为:式中,*表示键结位置;-(OC6F
12
)
a
-(OC5F
10
)
b
-(OC4F8)
c
-(OC3F6)
d
-(OC2F4)
e
-(OCF2)
f
-(f5)
式(f5)中,e为1以上200以下的整数,a、b、c、d和f分别独立地为0以上200以下的整数,并且,标注a、b、c、d、e或f并以括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的;-(OC6F
12
)
a
-(OC5F
10
)
b
-(OC4F8)
c
-(OC3F6)
d
-(OC2F4)
e
-(OCF2)
f
-(f6)式(f6)中,f为1以上200以下的整数,a、b、c、d和e分别独立地为0以上200以下的整数,另外,标注a、b、c、d、e或f并以括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。7.如权利要求2~6中任一项所述的表面处理剂,其特征在于:R
Si
为下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示的基团:
‑
SiR
11n1
R
123
‑
n1
ꢀꢀ
(S2)
‑
SiR
a1k1
R
b111
R
c1m1
ꢀꢀ
(S3)
‑
CR
d1k2
R
e112
R
f1m2
ꢀꢀ
(S4)
‑
NR
g1
R
h1
ꢀꢀ
(S5)式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)中:R
11
分别独立地为羟基或水解性基团,R
12
分别独立地为氢原子或1价的有机基团,n1在每个(SiR
11n1
R
123
‑
n1
)单元中,分别独立地为0~3的整数,X
11
分别独立地为单键或2价的有机基团,R
13
分别独立地为氢原子或1价的有机基团,t分别独立地为2以上的整数,R
14
分别独立地为氢原子、卤素原子或
‑
X
11
‑
SiR
11n1
R
123
‑
n1
,R
15
在各出现处分别独立地为单键、氧原子、碳原子数1~6的亚烷基或碳原子数1~6的亚烷基氧基,R
a1
分别独立地为
‑
Z1‑
SiR
21p1
R
22q1
R
23r1
,Z1分别独立地为氧原子或2价的有机基团,R
21
分别独立地为
‑
Z1’
‑
SiR
21
’
p1
,R
22
’
q1
,R
23
’
r1
’
,R
22
分别独立地为羟基或水解性基团,R
23
分别独立地为氢原子或1价的有机基团,p1分别独立地为0~3的整数,q1分别独立地为0~3的整数,r1分别独立地为0~3的整数,p1、q1和r1的合计在(SiR
21p1
R
22q1
R
23r1
)单元中,为3,Z1’
分别独立地为氧原子或2价的有机基团,R
21
’
分别独立地为-Z
1”-SiR
22”q1”R
23”r1”,R
22
’
分别独立地为羟基或水解性基团,R
23
’
分别独立地为氢原子或1价的有机基团,
p1
’
分别独立地为0~3的整数,q1
’
分别独立地为0~3的整数,r1
’
分别独立地为0~3的整数,p1
’
、q1
’
和r1
’
的合计在(SiR
21
’
p1
’
R
22
’
q1
’
R
23
’
r1
’
)单元中,为3,Z
1”分别独立地为氧原子或2价的有机基团,R
22”分别独立地为羟基或水解性基团,R
23”分别独立地为氢原子或1价的有机基团,q1”分别独立地为0~3的整数,r1”分别独立地为0~3的整数,q1”和r1”的合计在(SiR
22”q1”R
23”r1”)单元中,为3,R
b1
分别独立地为羟基或水解性基团,R
c1
分别独立地为氢原子或1价的有机基团,k1分别独立地为0~3的整数,l1分别独立地为0~3的整数,m1分别独立地为0~3的整数,k1、l1和m1的合计在(SiR
a1k1
R
b1l1
R
c1m1
)单元中,为3,R
d1
分别独立地为-Z2-CR
31p2
R
32q2
R
33r2
,Z2分别独立地为单键、氧原子或2价的有机基团,R
31
分别独立地为-Z2’
-CR
32
’
q2
’
R
33
’
r2
’
,R
32
分别独立地为-Z3-SiR
34n2
R
353-n2
,R
33
分别独立地为氢原子、羟基或1价的有机基团,p2分别独立地为0~3的整数,q2分别独立地为0~3的整数,r2分别独立地为0~3的整数,p2、q2和r2的合计在(CR
31p2
R
32q2
R
33r2
)单元中,为3,Z2’
分别独立地为单键、氧原子或2价的有机基团,R
32
’
分别独立地为-Z3-SiR
34n2
R
353-n2
,R
33
’
分别独立地为氢原子、羟基或1价的有机基团,q2
’
分别独立地为0~3的整数,r2
’
分别独立地为0~3的整数,q2
’
和r2
’
的合计在(CR
32
’
q2
’
R<...
【专利技术属性】
技术研发人员:山口史彦,野村孝史,内藤真人,片冈真奈美,G,
申请(专利权)人:大金工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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