阻变存储器及其制造方法技术

本公开涉及一种阻变存储器及其制造方法。阻变存储器包括三明治结构的第一电极层、第二电极层和位于第一电极层和第二电极层之间的阻变介电层。第二电极层中包括多个贯通孔并且在多个贯通孔中填充电极材料，可以形成环状电极或锯齿电极。由于在目标位置设置目标尺寸的电极，因此第二电极规则、均匀、平整并且具有相对较小的导电丝形成面积，从而可以有效控制电流提供位置，最大限度地控制金属阳离子或氧缺陷空位的产生位点。进而降低导电丝的产生随机性以及提升导电丝的形状均一性，从而提升阻变存储器的性能一致性，例如D2D和C2C的一致性。例如D2D和C2C的一致性。例如D2D和C2C的一致性。例如D2D和C2C的一致性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘希夏，周雪，王校杰，秦青，焦慧芳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：