发光装置的制造方法以及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术所涉及的发光装置的制造方法具备:发光元件形成工序，在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件；以及第一发光层形成工序，形成从基板侧依次层叠下层反转抗蚀剂层、包含第一发光层的发光材料的发光材料层以及上层正抗蚀剂而成的层叠体(步骤S41～S43)，对该层叠体进行图案化(步骤S44～S45)，从而形成第一发光层。发光层。发光层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置的制造方法以及发光装置


[0001]本专利技术涉及具备多个发光元件的发光装置及该发光装置的制造方法。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开了通过在光致抗蚀剂中混合量子点，利用光刻法对包含量子点的层进行图案化的方法。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1:US2017/0176854A1

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0004]在专利文献1中，重复着整面形成包含各色的量子点的层并通过光刻进行图案化。因此，在去除了含有量子点的层的位置，量子点会作为残渣留下。因此，存在发生混色的问题。用于解决技术问题的技术方案
[0005]为了解决上述问题，本公开的发光装置的制造方法是如下的方法:包括在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件的发光元件形成工序，所述发光元件形成工序包括第一发光层形成工序，所述第一发光层形成工序通过对第一层叠体进行图案化来形成所述第一发光层，所述第一层叠体从所述基板侧依次层叠有第一反转抗蚀剂、包含所述第一发光层的发光材料的第一发光材料层以及第一正抗蚀剂。
[0006]为了解决上述问题，本公开的发光装置包括:基板；以及所述基板上的第一发光元件，其从所述基板侧起依次层叠地包含第一下层电极、第一发光层和第一上层电极；所述第一发光元件在所述第一下层电极与所述第一发光层之间还具备感光性树脂层，所述感光性树脂层包含选自由下述结构式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种，以及选自由具有羟基的芳香族烃、1
‑
羟乙基r/>‑2‑
烷基咪唑啉和紫胶组成的组中的至少一种。
[0007][化1]在此，R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烃基。
有益效果
[0008]根据本公开的一方式，也能够减少第一发光层的发光材料作为残渣混入不形成第一发光层的区域。
附图说明
[0009]图1是表示本专利技术涉及的显示装置的制造方法的一例的流程图。图2是表示本专利技术涉及的显示装置的构成的一例的概略俯视图。图3是表示本专利技术涉及的显示装置的显示区域的构成的一例的概略剖视图。图4是表示本专利技术的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的一例的概略剖视图。图5是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略流程图。图6是表示在进行包含图5所示的红色发光层的形成的处理的工序以及进行包含绿色发光层35g的形成的处理的工序中进行的处理的概略流程图。图7是表示在进行包含图5所示的蓝色发光层的形成的处理的工序中执行的处理的概略流程图。图8是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图9是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图10是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图11是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图12是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图13是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图14是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图15是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图16是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图17是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图18是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图19是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面
图。图20是表示本专利技术的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。图21是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。图22是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。图23是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。图24是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。图25是表示在基板上形成图4所示的发光元件层的一例的工序的另一例的概略剖面图。图26是表示本专利技术的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。图27是表示在基板上形成图26所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略流程图。图28是表示本专利技术的一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的另一例的概略剖视图。图29是示出图4所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图30是示出图20所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图31是示出图20所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图32是示出图26所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图33是示出图28所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图34是示出图28所示的发光元件层的空穴传输层、下层树脂层、发光层以及电子传输层的带隙的一例的概略能级图。图35是表示本专利技术的另一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。图36是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图37是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图38是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
图39是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图40是表示在基板上形成图35所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图41是表示本专利技术的又一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。图42是示出为了形成图41所示的发光元件层而执行的处理的概略流程图。图43是示出图42中所示的处理的概略剖视图。图44是示出图42所示的处理和后述的图45所示的处理的概略剖视图。图45是示出为了形成图41所示的发光元件层而执行的其他处理的概略流程图。图46是示出图45所示的处理的概略剖视图。图47是表示本专利技术的又一实施方式涉及的显示装置中的发光元件层的构成的概略剖视图。图48是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图49是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图50是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图51是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图52是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。图53是表示在基板上形成图47所示的发光元件层的一例的工序的一例的概略剖面图。
具体实施方式
[0010][实施方式1](显示装置的制造方法及构成)在下文中，“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置的制造方法，包括在基板上形成包含第一发光层的第一发光元件的发光元件形成工序，其特征在于，所述发光元件形成工序包括第一发光层形成工序，所述第一发光层形成工序通过对第一层叠体进行图案化来形成所述第一发光层，所述第一层叠体从所述基板侧依次层叠有第一反转抗蚀剂、包含所述第一发光层的发光材料的第一发光材料层以及第一正抗蚀剂。2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一发光层形成工序包括:层叠体形成工序，成膜所述第一层叠体的各层；层叠体曝光工序，该工序在所述层叠体形成工序之后，对所述第一层叠体的一部分进行曝光；以及显影工序，该工序在所述层叠体曝光工序之后，通过除去被曝光的所述第一反转抗蚀剂以除去所述第一层叠体的被曝光的部分。3.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序在所述第一发光层形成工序之后，还包括第一再不溶化工序，使与所述第一发光层重叠的所述第一反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述第一再不溶化工序包括:反转抗蚀剂曝光工序，对所述第一反转抗蚀剂进行曝光；以及加热工序，在所述反转抗蚀剂曝光工序后，对被曝光的所述第一反转抗蚀剂进行加热。5.根据权利要求3或4所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第二发光元件，所述第二发光元件包含第二发光层，所述第二发光层具有与所述第一发光层不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第二发光层形成工序，所述第二发光层形成工序是在所述第一再不溶化工序之后，通过对第二层叠体进行图案化，以形成所述第二发光层，所述第二层叠体是将第二反转抗蚀剂、包含所述第二发光层的发光材料的第二发光材料层以及第二正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括第二再不溶化工序，所述第二再不溶化工序在所述第二发光层形成工序之后，使与所述第二发光层重叠的所述第二反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第二再不溶化工序之后，从所述第一发光层和所述第二发光层的各自的上层分别除去所述第一正抗蚀剂以及所述第二正抗蚀剂。8.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三
层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。9.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述发光元件形成工序中，还形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三层叠体在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体将第三反转抗蚀剂、包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层以及第三正抗蚀剂从所述基板侧起依次层叠而成。10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括第三再不溶化工序，所述第三再不溶化工序在所述第三发光层形成工序之后，使与所述第三发光层重叠的所述第三反转抗蚀剂可溶化后成为不溶化。11.根据权利要求10所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述发光元件形成工序还包括正抗蚀剂除去工序，所述正抗蚀剂除去工序在所述第三再不溶化工序之后，从所述第一发光层、所述第二发光层以及各发光层的上层分别除去所述第一正抗蚀剂、所述第二正抗蚀剂以及所述第三正抗蚀剂。12.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层，所述第三发光层具有与所述第一发光层以及所述第二发光层两者均不同的材料，所述发光元件形成工序还具有第三发光层形成工序，所述第三发光层形成工序在所述第二再不溶化工序之后，通过对第三层叠体进行图案化，以形成所述第三发光层，所述第三层叠体是将包含所述第三发光层的发光材料的第三发光材料层层叠在两层的第三正抗蚀剂之间而成。13.根据权利要求6或7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在所述发光元件形成工序中，还在所述基板上形成第三发光元件，所述第三发光元件包含第三发光层...

【专利技术属性】
技术研发人员：安达考洋，浅冈康，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：