一种驱动电路及驱动芯片制造技术

本发明专利技术提供一种驱动电路及驱动芯片，用于提高功率器件的开启与关断效率，至少包括：第一调节模块、第二调节模块及控制模块，其中：所述控制模块用于对输入信号进行推挽放大；所述第一调节模块连接于功率器件与所述控制模块的输出端之间，通过设置阈值调节功率器件的开启速度，并基于功率器件的关断过程对功率器件的关断电流进行调节；所述第二调节模块连接于功率器件与所述第一调节模块之间，通过提供泄放路径进一步对功率器件的关断电流进行调节。在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，通过第一调节模块的初步调节与第二调节模块的进一步调节，极大提高了功率器件的开启与关断效率。结构简单，可移植性强，具有较大的实用价值。值。值。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动电路及驱动芯片


[0001]本专利技术涉及集成电路设计与应用
，特别是涉及一种驱动电路及驱动芯片。

技术介绍

[0002]功率器件(包括MOS管、绝缘栅双极型晶体管、碳化硅等)的开启与关断效率受驱动电路的绝对影响。功率器件的开启与关断效率越高，则功率器件的开关损耗越小，温度升高越缓慢，但会使功率器件产生极高的dv/dt(即电压突变)以及di/dt(即电流突变)，从而导致功率器件发生波形振荡，使功率器件的Vds(即漏极与源极之间的压降)和Vgs(即栅极与源极之间的压降)剧烈波动，因而使功率器件更容易失效。因此，如何在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，提高功率器件的开启与关断效率是亟待解决的技术问题。
[0003]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种驱动电路及驱动芯片，用于解决现有技术中在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，提高提高功率器件的开启与关断效率实现起来较为困难的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种驱动电路，用于提高功率器件的开启与关断效率，所述驱动电路至少包括：第一调节模块、第二调节模块及控制模块，其中：
[0006]所述控制模块用于对输入信号进行推挽放大；
[0007]所述第一调节模块连接于功率器件与所述控制模块的输出端之间，通过设置阈值调节功率器件的开启速度，并基于功率器件的关断过程对功率器件的关断电流进行调节；
[0008]所述第二调节模块连接于功率器件与所述第一调节模块之间，通过提供泄放路径进一步对功率器件的关断电流进行调节。
[0009]可选地，所述控制模块包括：第一NMOS管、第一PMOS管及第一电阻，其中：所述第一电阻的第一端与输入信号连接；所述第一NMOS管的漏极与第一信号连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一PMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的漏极与第二信号连接。
[0010]可选地，所述第一信号的电压的极性与所述第二信号的电压的极性相反。
[0011]可选地，所述第一调节模块包括：第二电阻、第三电阻及第一二极管，其中：所述第一二极管的负极与所述控制模块的输出端连接；所述第二电阻与所述第一二极管并联；所述第三电阻与所述第一二极管的正极连接。
[0012]可选地，所述第二调节模块包括：第一单元、第二单元及第三单元，其中：所述第一单元的第一端与工作电压连接；所述第二单元的第一端与所述第一调节模块连接；所述第三单元的第一端与所述第一单元的第二端及所述第二单元的第二端连接，所述第三单元的第二端与功率地连接。
[0013]可选地，所述第二调节模块还包括第四单元，其中，所述第四单元连接于所述第二单元的第一端于所述第三单元的第二端之间。
[0014]可选地，所述第一单元包括第一电容及第四电阻，其中：所述第一电容的第一端与工作电压连接；所述第四电阻的第一端与所述第一电容的第二端连接。
[0015]可选地，所述第二单元包括第二电容及第五电阻，其中：所述第二电容的第一端与所述第一调节模块连接；所述第五电阻与所述第二电容并联。
[0016]可选地，所述第三单元包括：第三NMOS管、第二二极管及第六电阻，其中：所述第三NMOS管的漏极与所述第二单元的第二端连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第一单元的第二端连接，所述第三NMOS管的源极与功率地连接；所述第二二极管的负极与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第二二极管的正极与功率地连接；所述第六电阻与所述第二二极管并联。
[0017]可选地，所述第四单元包括第七电阻。
[0018]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种驱动芯片，所述驱动芯片包括所述驱动电路，所述驱动芯片用于提高功率器件的开启与关断效率。
[0019]如上所述，本专利技术的一种驱动电路及驱动芯片，具有以下有益效果：
[0020]1)本专利技术的驱动电路及驱动芯片，在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，通过第一调节模块的初步调节与第二调节模块的进一步调节，极大提高了功率器件的开启与关断效率。
[0021]2)本专利技术的驱动电路及驱动芯片，结构简单，可移植性强，具有较大的实用价值。
附图说明
[0022]图1显示为本专利技术的驱动电路的示意图。
[0023]附图标记说明
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驱动电路
[0025]11
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第一调节模块
[0026]12
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第二调节模块
[0027]121
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第一单元
[0028]122
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第二单元
[0029]123
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第三单元
[0030]124
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第四单元
[0031]13
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控制模块
具体实施方式
[0032]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实
施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0033]请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0034]如图1所示，本实施例提供了一种驱动电路1，用于提高功率器件N4的开启与关断效率，所述驱动电路1包括：第一调节模块11、第二调节模块12即控制模块13，需要说明的是，功率器件N4包括：绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)、碳化硅(SiC)等，其中，IGBT是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型
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电压驱动式
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功率半导体器件，具有自关断的特性，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看作导线，断开时作为开路。IGBT融合了BJT和MOS两种器件的优点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，用于提高功率器件的开启与关断效率，其特征在于，所述驱动电路至少包括：第一调节模块、第二调节模块及控制模块，其中：所述控制模块用于对输入信号进行推挽放大；所述第一调节模块连接于功率器件与所述控制模块的输出端之间，通过设置阈值调节功率器件的开启速度，并基于功率器件的关断过程对功率器件的关断电流进行调节；所述第二调节模块连接于功率器件与所述第一调节模块之间，通过提供泄放路径进一步对功率器件的关断电流进行调节。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述控制模块包括：第一NMOS管、第一PMOS管及第一电阻，其中：所述第一电阻的第一端与输入信号连接；所述第一NMOS管的漏极与第一信号连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一PMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的漏极与第二信号连接。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于：所述第一信号的电压的极性与所述第二信号的电压的极性相反。4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述第一调节模块包括：第二电阻、第三电阻及第一二极管，其中：所述第一二极管的负极与所述控制模块的输出端连接；所述第二电阻与所述第一二极管并联；所述第三电阻与所述第一二极管的正极连接。5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述第二调节模块包括：第一单元、第二单元及第三单元，其中：所述第一单元的第一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅荣颢，
申请(专利权)人：瑶芯微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：