本发明专利技术公开一种LED的光学结构、LED灯及装置，其中所述LED的光学结构包括：封装体，是位于LED芯片光源的一侧，包覆在LED芯片上，且设有光学的匀光部，以及所述匀光部是位于所述LED芯片的部分光路上；所述匀光部包括一凹形密度结构，且所述凹形密度结构是内嵌在所述封装体表面，以及所述凹形密度结构包括至少一组匀光面；所述匀光面上设置有匀光点。其中，当所述LED芯片的光线经过所述匀光面时，所述光线的角度偏移。本发明专利技术可有效改善现有的LED光源在扩大角度的过程中，其光效损失较大，且会额外增加LED及后端的制造工艺的复杂性的问题。外增加LED及后端的制造工艺的复杂性的问题。外增加LED及后端的制造工艺的复杂性的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种LED的光学结构、LED灯及装置
[0001]本专利技术涉及LED
，具体涉及一种LED的光学结构、LED灯及装置。
技术介绍
[0002]LED在发光过程中，其发光的角度通常为120度，且光型为近朗柏型。因此，为了获得更大的发光角度，通常是通过使用特殊LED芯片(衬底布拉格反射DBR芯片)或特殊构造的形状如LED顶部透镜、顶部反射器或二次透镜完成。
[0003]DBR芯片自身效率就比常规LED芯片效率低，而在LED的顶部设置透镜或反射器过程中，会造成LED的制造工艺复杂化，且LED的发光效率大幅降低。以及，在采用二次透镜扩大角度过程中，透镜需开模具。同时，透镜在使用时需与LED对位贴片，稳定性受位置精度影响极大，组装效率低，光效较LED直接使用减少15％以上。
[0004]可见就目前而言，现有的LED光源在扩大角度的过程中，其光效损失较大，且会额外增加LED及后端的制造工艺的复杂性。
技术实现思路
[0005]鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术的目的在于公开一种LED的光学结构、LED灯及装置，以改善现有的LED光源在扩大角度的过程中，其光效损失较大，且会额外增加LED及后端的制造工艺的复杂性的问题。
[0006]为实现上述目的及其它相关目的，本专利技术公开一种LED的光学结构，其包括：
[0007]封装体，是位于LED芯片光源的一侧，包覆在LED芯片上，且设有光学的匀光部，以及所述匀光部是位于所述LED芯片的部分光路上；
[0008]所述匀光部包括一凹形密度结构，且所述凹形密度结构是内嵌在所述封装体表面，以及所述凹形密度结构包括至少一组匀光面；
[0009]所述匀光面上设置有匀光点；
[0010]其中，当所述LED芯片的光线经过所述匀光面时，所述光线的角度偏移。
[0011]在本专利技术一方案中，所述匀光点是一个去除封装材料的碗状结构，所述碗状结构的开口大小的范围区间为[0.01mm,0.5mm]，深宽比的范围区间为[0.01，10]；
[0012]所述碗状结构的开口边缘有凸起或褶皱，所述碗状结构的碗壁为非光滑连续面，以及所述碗状结构至少包括一最低点。
[0013]在本专利技术一方案中，所述匀光面是由匀光点构成，且所述匀光面的形貌特征为单点碗状结构、多点独立碗状结构、多点叠加而成的沟槽结构以及多点叠加而成的环形结构中的一种；
[0014]其中，多点叠加而成的沟槽结构或者环形结构的底部可允许多点叠加排布，以及周围可见多点叠加产生的凸起或褶皱。
[0015]在本专利技术一方案中，所述凹形密度结构为单点碗状结构时，其宽度的尺寸范围区间为[0.2mm,2.0mm]，深宽比的范围区间为[0.01，10]。
[0016]在本专利技术一方案中，所述凹形密度结构由多组匀光面组成，其宽度的尺寸范围区间为[0.5mm,10.0mm]，总体深宽比的范围区间为[0.01，10]。
[0017]在本专利技术一方案中，所述凹形密度结构的中心轴线与所述LED芯片的中心轴线之间是重合设置。
[0018]在本专利技术一方案中，所述凹形密度结构的中心轴线与所述LED芯片的中心轴线之间是偏移设置。
[0019]本专利技术还提供一种LED灯，其包括：
[0020]LED支架；
[0021]LED芯片，其位于所述LED支架上，且用于产生光源；以及
[0022]如上述实施例中任一所述的LED的光学结构，且所述LED的光学结构是连接在所述LED支架上；
[0023]其中，所述LED的光学结构中的封装体与所述LED支架固定连接，以及所述封装体是用于将所述LED芯片封装在所述LED支架上。
[0024]本专利技术还提供一种显示装置，其包括如上述实施例中所述的LED。
[0025]综上所述，本专利技术公开一种LED的光学结构、LED及装置，LED的光学结构是通过在封装体的表面加工凹形密度结构，使得LED芯片正面的大部分光被凹形密度结构反射出去。可有效降低中心光强，以及提升大角度方向光强，从而使LED发光角度扩大。同时，由于在凹形密度结构的匀光面上设置有多组匀光点，可进一步提高对于LED芯片的匀光效果。可有效改善现有的LED光源在扩大角度的过程中，其光效损失较大，且会额外增加LED及后端的制造工艺的复杂性的问题。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本专利技术一种LED于一实施例中的结构示意图；
[0028]图2为本专利技术一种LED于一实施例中的另一种状态的结构示意图；
[0029]图3为本专利技术一种LED于一实施例中的再一种状态的结构示意图；
[0030]图4为本专利技术一种LED的光学结构于一实施例中单点碗状结构的结构示意图；
[0031]图5为图4的单点碗状结构的扫描的结构示意图；
[0032]图6为本专利技术一种LED的光学结构于一实施例中的凹形密度结构的开口为130
°
时的结构示意图；
[0033]图7为图6中的凹形密度结构的扫描的结构示意图；
[0034]图8为本专利技术一种LED的光学结构于一实施例中的凹形密度结构的开口为140
°
时的结构示意图；
[0035]图9为图8中的凹形密度结构的扫描的结构示意图；
[0036]图10为本专利技术一种LED的光学结构于一实施例中的凹形密度结构的开口为150
°
时的结构示意图；
[0037]图11为图10中的凹形密度结构的扫描的结构示意图。
[0038]元件标号说明
[0039]100、LED支架；
[0040]200、LED芯片；
[0041]300、凹形密度结构；310、匀光面；311、第一区域；312、第二区域；
[0042]400、封装体。
具体实施方式
[0043]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0044]请参阅图1至图11。须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。
[0045]请参阅图1，本专利技术公开一种LED的光学结构，可以改善本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED的光学结构，其特征在于，包括：封装体(400)，是位于LED芯片(200)光源的一侧，包覆在LED芯片(200)上，且设有光学的匀光部，以及所述匀光部是位于所述LED芯片(200)的部分光路上；所述匀光部包括一凹形密度结构(300)，且所述凹形密度结构(300)是内嵌在所述封装体(400)表面，以及所述凹形密度结构(300)包括至少一组匀光面(310)；所述匀光面(310)上设置有匀光点；其中，当所述LED芯片(200)的光线经过所述匀光面(310)时，所述光线的角度偏移。2.根据权利要求1所述的LED的光学结构，其特征在于，所述匀光点是一个去除封装材料的碗状结构，所述碗状结构的开口大小范围区间为[0.01mm,0.5mm]，深宽比的范围区间为[0.01，10]；所述碗状结构的开口边缘有凸起或褶皱，所述碗状结构的碗壁为非光滑连续面，以及所述碗状结构至少包括一最低点。3.根据权利要求1所述的LED的光学结构，其特征在于，所述匀光面(310)是由匀光点构成，且所述匀光面(310)的形貌特征为单点碗状结构、多点独立碗状结构、多点叠加而成的沟槽结构以及多点叠加而成的环形结构中的一种；其中，多点叠加而成的沟槽结构或者环形结构的底部可允许多点叠加排布，以及周围可见多点叠加产生的凸起或褶皱。4.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘瀚，许明吉，刘康仲，张晓军，张亚荣，
申请(专利权)人：合肥泰沃达智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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