【技术实现步骤摘要】
一种甲硅烷生产方法和连续生产装置本专利技术涉及一种甲硅烷生产方法和连续生产装置。甲硅烷是制备超纯硅(多晶硅)的最重要的原料之一，热分解制备的超纯硅含硼 量低，实收率最高，而且在生产过程中，不产生腐蚀性气体。甲硅烷还应用于电子工业中的 特种外延、隔离、钝化等技术及新型高质量器件上。甲硅烷还是一种极为重要的各种硅有机 化合物的基本原材料。目前甲硅烷普遍的工业生产方法为硅化镁与氯化铵在液氨的溶液中反应，生成甲 硅烷，该方法需要用转炉制备硅化镁，然后在液氨的低温条件下反应，耗费大量的能源。而 且生成的甲硅烷还有附带的氨气、硼烷及其他气体，对后面的气体提纯工序带来很多的不 方便，该方法生产的甲硅烷含量只能达到99. 999%。而且生产在液氨环境中，产生大量的副 产氯化镁，对设备材质要求比较高。用四氢铝锂还原四氯化硅业可以得到甲硅烷，然而在实际工业化生产上难以实现 操作。一方面四氢铝锂还原性太强，长时间搁置容易氧化变质，工人不容易操作，同时四氢 铝锂的价格太高，致使生产成本较高。二氧化硅在铝和卤化铝做催化剂的情况下，在175°C和400个大气压下，通入氢 气，可以制备甲硅烷。改设备需要大量的能源，而且生成的甲硅烷气体含有三氯氢硅、二氯 氢硅和硼烷，对下一步提纯工序带来不便，该方法生产的甲硅烷含量能达到99 %。采用四氯化硅直接氢化也可以得到甲硅烷，要求温度在300-2000°C，所得硅烷纯 度较差，其中夹杂着氯硅烷，而且产率低。虽然在铝存在下有所改善，然而，仍需要175摄氏 度和900个大气压，对设备要求高。本专利技术目的是用一种廉价容易制取提纯的原材料三乙氧基硅烷代替...
【技术保护点】
一种甲硅烷的生产方法和连续生产装置，该生产方法的原材料为烷氧基硅烷（三乙氧基硅烷），生产方式为连续化生产。
【技术特征摘要】
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