一种版图检测方法技术

本发明专利技术公开了一种版图检测方法，包括：导出待检测版图的GDS图形文件；待检测版图是包括若干MOS管的版图；根据GDS图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；根据连接关系，提取待检测版图中的可能遗漏的节点；按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；根据电压分类文件和GDS图形文件，赋予MOS管源漏所对应的阱电压信息；根据阱电压信息，对与MOS管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；检测不同电压的金属线之间的间距，输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。本发明专利技术检测准确度高、设计效率高。设计效率高。设计效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种版图检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体版图检测
，具体涉及一种版图检测方法。

技术介绍

[0002]目前的半导体工艺中一般选择电阻率较低的铜进行布线，但因铜具有较强的活性，其在长时间强电场的作用下会扩散至介电绝缘层中，这将导致介电绝缘层容易被击穿，进而严重退化。为了尽可能提高绝缘层的可靠性，延长芯片的使用寿命，在版图的设计中需要对不同电压金属线的间距进行不同的限制，比如电压越大，金属线间的最小间距需要设置得越大。
[0003]传统的高电势差的金属线的间距检测方法，主要是对金属线的电压进行判断来实现检测的。常见的检测方法有两种，一种方法是将接到高压器件的任意一端的金属线直接被判定为高压线，然后检测高压线和相邻金属线间的间距。然而，该方法常出现与现实相违的情况，即存在节点电压误识别的问题，会让本不该满足该规定值的低压线满足指定的值，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。
[0004]另一种方法是在版图的高压节点处手动加上高电压识别层，然后检测带识别层的金属线和相邻金属线间的间距。因为该方法需要版图设计人员手动加入识别层，在这之前必须和电路设计人员进行节点电压的确认，这一过程需要花费大量的工数，且严重影响了设计效率。在电路规模庞大的情况下，电压识别层放置的正确性也会受到影响，有可能出现漏加或者多加的情况。当漏加识别层时，则不能检测出本该满足规定值的金属线，从而增加产品缺陷的风险；当错加识别层时，会检测出本不该满足规定值的金属线，无形中增加了因为布线间距扩大而带来的版图面积增加的风险。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是现有版图检测方法存在准确度不高、设计效率低的问题。本专利技术目的在于提供一种版图检测方法，通过对MOS器件阱电压的识别，对版图中的金属线赋予所对应的电压，从而达到检测不同电压金属线间间距的目的。通过本专利技术方法能准确地赋予版图中的金属线所对应的电压值，然后对不同电压的金属线进行间距检测，在提高了验证结果准确性的同时，也达到了改善设计效率的目的。
[0006]本专利技术通过下述技术方案实现：
[0007]一种版图检测方法，该方法用于检测包括MOS管的版图；该方法包括：
[0008]根据待检测版图，导出待检测版图的GDS图形文件；待检测版图是包括若干MOS管的版图；
[0009]根据GDS图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；
[0010]根据连接关系，提取待检测版图中的可能遗漏的节点；
[0011]按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；
[0012]根据电压分类文件和GDS图形文件，赋予MOS管源漏(即扩散区)所对应的阱电压信息；
[0013]根据阱电压信息，对与MOS管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；
[0014]对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；
[0015]根据电压分类集合，检测不同电压的金属线之间的间距，并输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。
[0016]其中，待检测版图中的节点包括电源节点和信号节点，电源节点包括输入电源节点和输出电源节点。
[0017]进一步地，GDS图形文件包括待检测版图所使用的图形层次及所对应的坐标信息。
[0018]进一步地，待检测版图中各层次之间的连接关系，包括：
[0019]N阱与扩散区的N+进行连接；P阱与扩散区的P+进行连接；扩散区(N+/P+)与第一金属层通过接触孔(Contact)进行连接；多晶硅(POLY)和第一金属层通过接触孔(Contact)进行连接；第一金属层与第二金属层通过通孔12(VIA12)进行连接；第二金属层与第三金属层通过通孔23(VIA23)进行连接。
[0020]进一步地，可能遗漏的节点包括第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点；
[0021]第一类可能遗漏的节点为待检测版图中只连接到MOS管的栅端，并未和前级器件的源漏连接的节点；
[0022]第二类可能遗漏的节点为MOS管的阱为非输入电源的节点。
[0023]进一步地，第一类可能遗漏的节点的判别方法为：
[0024]通过连接关系判定待检测版图中的某信号节点上多晶硅的面积是否大于0，若不大于0，则对该信号节点不进行处理；若大于0，则将该信号节点的多晶硅输出到第一集合中；
[0025]通过连接关系判定第一集合中的信号节点上扩散区的面积是否大于0，若大于0，则说明该信号节点与前级器件的源漏有连接关系，对该信号节点不进行处理；若不大于0，则说明该信号节点只与MOS管的栅端相接，未与到MOS管的源漏进行连接，将此多晶硅输出到第一类可能遗漏的节点集合；
[0026]第二类可能遗漏的节点的判别方法为：
[0027]通过连接关系获得所有的输入电源最终都接到了阱，并输出所有输入电源节点上的阱到第二集合中；
[0028]对待检测版图中所有阱和第二集合中的阱做非运算，得到非运算结果；若非运算结果为0，则说明待检测版图中不存在第二类可能遗漏的节点；若非运算结果不为0，则说明待检测版图中存在第二类可能遗漏的节点，并将非运算结果输出到第二类可能遗漏的节点集合。
[0029]进一步地，按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件，包括：
[0030]根据第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合中的图形，对输入电源节点和可能遗漏的节点进行分类并变量置换，得到电压分类文件；电压分类文件表示为：
[0031]VARIABLE V1“VDD”“NET_F”；
[0032]VARIABLEV2“VSS”“NET_F”；
[0033]VARIABLE V3“VDE”“NET_W”；
[0034]VARIABLE V4“VSU”“NET_W”；
[0035]其中，VARIABLE表示变量，V1代表低电压，包括VDD节点、第一类可能遗漏的节点集合；V2代表0电压，包括VSS节点、第一类可能遗漏的节点集合；V3代表高电压，包括VDE节点、第二类可能遗漏的节点集合；V4代表负电压，包括VSU节点、第二类可能遗漏的节点集合；VDD、VSS、VDE、VSU分别表示四种不同的输入电源节点，NET_F表示第一类可能遗漏的节点集合，NET_W表示第二类可能遗漏的节点集合；
[0036]当第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合在当前待检测版图中没有端口，则在电压分类文件中追加假想端口信息，表示为：
[0037]TEXT“NET_F”X1 Y1 MX1；
[0038]TEXT“NET_W”X2 Y2 MX2；
[0039]其中，TEXT为函数常量，“NET_F”/“NET_W”为端口信息，X1/X2为对应端口的X坐标，Y1/Y2为对应端口的Y坐标，MX1/MX2为端口信息所对应的图形层次。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图检测方法，其特征在于，包括：根据待检测版图，导出待检测版图的GDS图形文件；所述待检测版图是包括若干MOS管的版图；根据所述GDS图形文件，定义待检测版图中各层次之间的连接关系；根据所述连接关系，提取待检测版图中可能遗漏的节点；按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和所述可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件；根据所述电压分类文件和所述GDS图形文件，赋予MOS管源漏所对应的阱电压信息；根据所述阱电压信息，对与MOS管源漏直接相连的第一金属层进行电压分类；对待检测版图中所有的金属层进行电压分类，得到电压分类集合；根据所述电压分类集合，检测不同电压的金属线之间的间距，并输出不同电压的同层金属线之间的间距小于预设值的图形。2.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述GDS图形文件包括待检测版图所使用的图形层次及所对应的坐标信息。3.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，待检测版图中各层次之间的连接关系，包括：N阱与扩散区的N+进行连接；P阱与扩散区的P+进行连接；扩散区与第一金属层通过接触孔进行连接；多晶硅和第一金属层通过接触孔进行连接；第一金属层与第二金属层通过通孔进行连接；第二金属层与第三金属层通过通孔进行连接。4.根据权利要求1所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述可能遗漏的节点包括第一类可能遗漏的节点和第二类可能遗漏的节点；所述第一类可能遗漏的节点为待检测版图中只连接到MOS管的栅端，并未和前级器件的源漏连接的节点；所述第二类可能遗漏的节点为MOS管的阱为非输入电源的节点。5.根据权利要求4所述的一种版图检测方法，其特征在于，所述第一类可能遗漏的节点的判别方法为：通过所述连接关系判定待检测版图中的某信号节点上多晶硅的面积是否大于0，若不大于0，则对该信号节点不进行处理；若大于0，则将该信号节点的多晶硅输出到第一集合中；通过所述连接关系判定所述第一集合中的信号节点上扩散区的面积是否大于0，若大于0，则说明该信号节点与前级器件的源漏有连接关系，对该信号节点不进行处理；若不大于0，则说明该信号节点只与MOS管的栅端相接，未与到MOS管的源漏进行连接，将此多晶硅输出到第一类可能遗漏的节点集合；所述第二类可能遗漏的节点的判别方法为：通过所述连接关系获得所有的输入电源都接到了阱，并输出所有输入电源节点上的阱到第二集合中；对待检测版图中所有阱和所述第二集合中的阱做非运算，得到非运算结果；若非运算结果为0，则说明待检测版图中不存在第二类可能遗漏的节点；若非运算结果不为0，则说明待检测版图中存在第二类可能遗漏的节点，并将非运算结果输出到第二类可能遗漏的节点
集合。6.根据权利要求5所述的一种版图检测方法，其特征在于，按照电压大小，对待检测版图中的输入电源和所述可能遗漏的节点进行分类，得到电压分类文件，包括：根据第一类可能遗漏的节点集合和第二类可能遗漏的节点集合中的图形，对输入电源节点和可能遗漏的节点进行分类并变量置换，得到电压分类文件；所述电压分类文件表示为：VARIABLE V1“VDD”“NET_F”；VARIABLEV2“VSS”“NET_F”；VARIABLE V3“VDE”“NET_W”；VARIABLE V4“VSU”“NET_W”；其中，VARIABLE表示变量，V1代表低电压，包括VDD节点、第一类可能遗漏的节点集合；V2代表0电压，包括VSS节点、第一类可能遗漏的节点集合；V3代表高电压，包括VDE节点、第二类可...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：创视微电子成都有限公司，
类型：发明
国别省市：