一种表面活性剂污水处理系统技术方案

本发明专利技术属于污水处理技术领域，公开了一种表面活性剂污水处理系统，包括MCU芯片和多个控制模块，每个控制模块对应1个曝气支路的曝气口；1个控制模块包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14、电阻R15、三极管Q5、电阻R18、电阻R17、发光二极管U4、三极管U5、NMOS管Q2、三极管Q6、电阻R16、NMOS管Q3、三极管Q4、电阻R9、三极管Q1。本发明专利技术根据实际液位量对管路内外压力平衡以及根据液位量自动调节各个支路曝气流量，避免管路压力损失导致节点前后曝气流量分布不均的问题和某个支路高占用的问题，改善氧气的溶解度和传递效率，避免某个支路高占用和气泵长期高负荷工作。个支路高占用和气泵长期高负荷工作。个支路高占用和气泵长期高负荷工作。

【技术实现步骤摘要】
一种表面活性剂污水处理系统


[0001]本专利技术属于污水处理
，尤其涉及一种表面活性剂污水处理系统。

技术介绍

[0002]表面活性剂污水处理系统的功能是将含有表面活性剂的废水进行处理，去除其中的污染物质，达到国家排放标准，保护环境。表面活性剂污水处理系统通常包括以下几个模块：滤格池：用于预处理污水，去除较大的悬浮物和沉淀物；生化反应池：采用生物法处理污水，通过微生物降解有机物，使其转化为无机物，并去除氮、磷等营养物质；沉淀池：用于沉淀被微生物降解后的污泥，使其分离出来；曝气池：提供氧气，促进生化反应池中微生物的代谢活动；混合池：用于调节进入生化反应池的污水的水质和水量，保持生化反应池内的微生物群落平衡。
[0003]曝气支路是表面活性剂污水处理系统中的重要组成部分，其主要作用是提供氧气，促进微生物的代谢活动。现有技术中的问题是管路压力损失导致节点前后曝气流量分布不均的问题和某个支路高占用的问题，从而导致曝气支路出现以下问题：
[0004]曝气流量分布不均导致某个支路气泡过大或过小，气泡过大会导致氧气不能均匀地分布到生化反应池中，而气泡过小则会影响氧气的溶解度和传递效率。
[0005]如果某个支路高占用，气泵长期高负荷工作，容易出现故障，就无法提供足够的氧气，导致微生物代谢活动减缓或停止。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本专利技术提出了一种表面活性剂污水处理系统，包括MCU芯片和多个控制模块，每个控制模块对应1个曝气支路的曝气口；1个控制模块包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14、电阻R15、三极管Q5、电阻R18、电阻R17、发光二极管U4、三极管U5、NMOS管Q2、三极管Q6、电阻R16、NMOS管Q3、三极管Q4、电阻R9、三极管Q1；
[0007]所述电阻R14一端分别连接排水信号接口A2、电阻R15的一端、电阻R18的一端，另一端连接三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极连接进水信号接口A1，基极连接发光二极管U4的正极，发光二极管U4的负极连接NMOS管Q2的漏极，NMOS管Q2的栅极连接运算放大器U1的输出端；电阻R15的另一端分别连接电阻R17的一端、地，电阻R17的另一端分别连接电阻R16的一端、NMOS管Q3的漏极，电阻R16的另一端连接三极管Q6的基极，三极管Q6的基极连接电阻R18的另一端，发射极连接电源；运算放大器U1的同相端连接运算放大器U2的同相端，运算放大器U2的输出端连接三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极连接电源；运算放大器U3的同相端分别连接曝气压力信号接口A3、三极管Q4的集电极，三极管Q4的基极连接NMOS管的源极，发射极接地；运算放大器U3的输出连接阀门开度信号接口A4；发光二极管U4和三极管U5为耦合封装。
[0008]进一步地，控制模块还包括电阻R10、电阻R11；电阻R10的一端分别连接运算放大器U3的反相端、电阻R11的一端，电阻R10的另一端分别连接运算放大器U3的输出端、输出阀
门开度信号接口A4；电阻R11的另一端接地。
[0009]进一步地，控制模块还包括电阻R7、电阻R8；电阻R8的一端分别连接三极管Q1的反射极、压力平衡信号接口A5，电阻R8的另一端分别连接三极管Q4的集电极、电阻R7的一端、运算放大器U3的同相端，电阻R7的另一端接地。
[0010]进一步地，控制模块还包括电阻R3、电阻R6；电阻R3的一端分别连接运算放大器U3的输出端、三极管Q1的基极，电阻R3的另一端分别连接运算放大器U3的反相端、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接地。
[0011]进一步地，控制模块还包括电阻R1、电阻R2；电阻R1的一端连接电源，另一端分别连接运算放大器U1的反相端、电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地。
[0012]进一步地，控制模块还包括电阻R4、可调电阻R5；可调电阻R5的动片引脚分别连接运算放大器U2的同相端、运算放大器U1的同相端，可调电阻的第一定引脚连接电源，第二定引脚分别连接运算放大器U1的同相端、运算放大器U2的同相端、电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。
[0013]进一步地，控制模块还包括电阻R12、可调电阻R13；电阻R12的一端连接电源，另一端分别连接曝气压力信号接口A3、三极管Q4的集电极、运算放大器U3的同相端、可调电阻R13的第一定引脚，可调电阻R13的动片引脚分别连接电阻R11的另一端、地，可调电阻R13的第二定引脚接地。
[0014]进一步地，每个控制模块中，曝气压力信号接口A3单独和MCU芯片的另一个I/O口连接，阀门开度信号接口A4和阀门连接；只有第一个控制模块中具有压力平衡信号接口A5。
[0015]本专利技术的有益效果如下：
[0016]根据实际液位量对管路内外压力平衡以及根据液位量自动调节各个支路曝气流量，避免管路压力损失导致节点前后曝气流量分布不均的问题和某个支路高占用的问题，从而改善氧气的溶解度和传递效率，避免某个支路高占用和气泵长期高负荷工作。
附图说明
[0017]图1表面活性剂污水处理系统结构图；
[0018]图2本专利技术的表面活性剂污水处理系统电路原理图；
[0019]图3本专利技术的U4与U5耦合图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明，但不以任何方式对本专利技术加以限制，基于本专利技术教导所作的任何变换或替换，均属于本专利技术的保护范围。
[0021]本专利技术的表面活性剂污水处理系统包括MCU芯片和多个控制模块，每个控制模块对应1个曝气支路的曝气口。1个控制模块包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14、电阻R15、三极管Q5、电阻R18、电阻R17、发光二极管U4、三极管U5、NMOS管Q2、三极管Q6、电阻R16、NMOS管Q3、三极管Q4、电阻R9、三极管Q1；
[0022]所述电阻R14一端分别连接排水信号接口A2、电阻R15的一端、电阻R18的一端，另一端连接三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极连接进水信号接口A1，基极连接发光二极管U4的正极，发光二极管U4的负极连接NMOS管Q2的漏极，NMOS管Q2的栅极连接运算放大器U1
的输出端；电阻R15的另一端分别连接电阻R17的一端、地，电阻R17的另一端分别连接电阻R16的一端、NMOS管Q3的漏极，电阻R16的另一端连接三极管Q6的基极，三极管Q6的基极连接电阻R18的另一端，发射极连接电源；运算放大器U1的同相端连接运算放大器U2的同相端，运算放大器U2的输出端连接三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极连接电源；运算放大器U3的同相端分别连接曝气压力信号接口A3、三极管Q4的集电极，三极管Q4的基极连接NMOS管的源极，发射极接地；运算放大器U3的输出连接阀门开度信号接口A4。发光二极管U4和三极管U5为耦合封装。
[0023]控制模块还包括电阻R10、电阻R11；电阻R10的一端分别连接运算放大器U3的反相端、电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面活性剂污水处理系统，其特征在于，包括MCU芯片和多个控制模块，每个控制模块对应1个曝气支路的曝气口；每个控制模块包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14、电阻R15、三极管Q5、电阻R18、电阻R17、发光二极管U4、三极管U5、NMOS管Q2、三极管Q6、电阻R16、NMOS管Q3、三极管Q4、电阻R9、三极管Q1；所述电阻R14一端分别连接排水信号接口A2、电阻R15的一端、电阻R18的一端，另一端连接三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极连接进水信号接口A1，基极连接发光二极管U4的正极，发光二极管U4的负极连接NMOS管Q2的漏极，NMOS管Q2的栅极连接运算放大器U1的输出端；电阻R15的另一端分别连接电阻R17的一端、地，电阻R17的另一端分别连接电阻R16的一端、NMOS管Q3的漏极，电阻R16的另一端连接三极管Q6的基极，三极管Q6的基极连接电阻R18的另一端，发射极连接电源；运算放大器U1的同相端连接运算放大器U2的同相端，运算放大器U2的输出端连接三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极连接电源；运算放大器U3的同相端分别连接曝气压力信号接口A3、三极管Q4的集电极，三极管Q4的基极连接NMOS管的源极，发射极接地；运算放大器U3的输出连接阀门开度信号接口A4；发光二极管U4和三极管U5为耦合封装。2.根据权利要求1所述的表面活性剂污水处理系统，其特征在于，控制模块还包括电阻R10、电阻R11；电阻R10的一端分别连接运算放大器U3的反相端、电阻R11的一端，电阻R10的另一端分别连接运算放大器U3的输出端、输出阀门开度信号接口A4；电阻R11的另一端接地。3.根据权利要求2所述的表面活性剂污水处理系统，其特征在于，控制模...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖为，
申请(专利权)人：湖南锦佳环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：