带门极电阻布局的功率MOSFET模块制造技术

本发明专利技术公开了一种带门极电阻布局的功率ＭＯＳＦＥＴ模块，它主要包括基板、直接敷铜基板（ＤＢＣ）、功率ＭＯＳＦＥＴ晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板（ＤＢＣ）通过钎焊结合，门极电阻，功率ＭＯＳＦＥＴ晶体管芯片和直接敷铜基板（ＤＢＣ）之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板（ＤＢＣ）通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板（ＤＢＣ），每块直接敷铜基板（ＤＢＣ）都由门极、源极和漏极组成。本发明专利技术具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装及功率模块领域，具体地说是一种新型 带I、 j极电阻布局的功率MOSFET模块。
技术介绍
功率MOSFET (即功率金属-氧化物-硅场效应晶体管)模块主要 包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET芯片和功率端子。 在对该模块中的直接敷铜基板(DBC)进行设计时，要考虑热设计、 结构应力设计、EMC设计和电路结构设计，此还同时要考虑设计产 品的生产成本。现有的功率MOSFET模块(功率金属-氧化物-硅场效 应晶休管模块)设计中存在的主要问题是产品的兼容性不够、热设计 不合理和生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是设计出一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块。本专利技术要解决的现有功功率MOSFET模块(功率金属-氧化物-硅 场效应晶体管模块)存在的兼容性不够、热设计不合理和生产成本高 的问题。本专利技术的技术方案是它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊 结合，MOSFET芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合， 基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块 直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本专利技术的优点是本专利技术的兼容性好，最大化了漏极区域，应 用的电流范围大，生产成本低。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。 图2是本专利技术直接敷铜基板(DBC)的布局图。 图3是本专利技术的电路原理图。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明。 如图l所示，本专利技术包括基板l、门极电阻2、 MOSFET芯片3、 S极引线4、连接桥5、直接敷铜基板(DBC) 6、门极连接桥7、 门极引线8、功率端子3号9、 S极引线10、功率端子2号11、连 接桥12、功率端子l号13、门极连接桥14、门极引线15。基板l 和直接敷铜基板(DBC) 6通过钎焊结合，MOSFET芯片3、门极电阻2和直接敷铜基板(DBC) 6之间通过钎焊结合。基板1上钎 焊有两组四块呈方形排布直接敷铜基板(DBC) 6，四块直接敷铜 基板(DBC)之间用lmm宽的沟道隔开。如图2，每块直接敷铜基 板(DBC) 6都由门极16、漏极18和源极17组成。所述的四块直接敷铜基板(DBC)中，左上直接敷铜基板(DBC)和右上直接敷铜基板(DBC)、左下直接敷铜基板(DBC) 和右下直接敷铜基板(DBC )的结构相同。左上直接敷铜基板(DBC ) 和右上直接敷铜基板(DBC)是镜像对称，左下直接敷铜基板(DBC) 和右下直接敷铜基板(DBC)是镜像对称。直接敷铜基板(DBC) 6的边侧区域为门极。左上直接敷铜基 板(DBC)的门极16和左下直接敷铜基板(DBC)的门极通过桥 14连接，并通过引线15引出。右上直接敷铜基板(DBC)的门极 和右下直接敷铜基板(DBC)的门极通过桥7连接，并通过引线8 引出。直接敷铜基板(DBC) 6的中间区域是漏极，直接敷铜基板(DBC) 6通过钎焊和MOSFET芯片3漏极连接在一起。左边两块 直接敷铜基板(DBC)的源极，通过功率端子11引出，构成模块的 负极输入。右边两块直接敷铜基板(DBC)的漏极，通过功率端子 9引出，构成模块的正极输入。MOSFET芯片3通过直接敷铜基板(DBC) 6上的门极电阻2，再通过门极引线15引出去。直接敷铜基板(DBC) 6的左边区域是源极，直接敷铜基板(DBC) 6和MOSFET芯片上表面源极连接在一起。左边两块直接敷铜基板(DBC)的源极是通过桥12、桥5和右边两块直接敷铜基 板(DBC)的漏极连接在一起，再由功率端子1引出去。源极区域还 通过引出信号与门极组成信号控制端。直接敷铜基板(DBC) 6上还 设有信号引线S极引线4和S极引线10。如图2所示的4块直接敷铜基板(DBC)布局结构，实现了图3 所示的电路。在图3电路原理图中17、 18、 6分别为输出、负极输入 和正极输出；电路原理图中8、 10分别为上管门极和S极信号输入； 电路原理图中15、 4分别为下管门极和S极信号输入。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带门极电阻布局的功率ＭＯＳＦＥＴ模块，包括基板、直接敷铜基板、功率ＭＯＳＦＥＴ芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，门极电阻、功率ＭＯＳＦＥＴ芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板，每块直接敷铜基板都由门极、源极和漏极组成。

【技术特征摘要】
1、一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，包括基板、直接敷铜基板、功率MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，门极电阻、功率MOSFET芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板，每块直接敷铜基板都由门极、源极和漏极组成。2、 根据权利要求1所述的带门极电阻布局的功率MOSFET模块， 其特征在于基板上的四块直接敷铜基板呈方形排布，其中左上直接敷 铜基板和右上直接敷铜基板、左下直接敷铜基板和右下直接敷铜基板(DBC)的结构相同。3、 根据权利要求1所述的带门极电阻布局的功率MOSFET模块， 其特征在于直接敷铜基板的边侧区域为门极，左上直接敷铜基板的门 极和左下直接敷铜基板的门极、右上直接敷铜基板的门极和右下直接 敷铜基板的门极分别通过桥连接，且分别通过弓战引出。4、 根据权利要求1所述的带门极电阻布局的功率MOSFET模块， 其特征在于直接敷铜基板的边侧区域为门极，功率MOSFET芯片的 门极通过一个门极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晓行，刘志宏，胡少华，朱翔，李冯，沈华，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]