一种放电防烧坏、保护电路电路、控制方法及其介质技术

本发明专利技术提供了一种放电防烧坏、保护电路，包括：直流电源；设置在直流电源两电极之间的多个具有通电开关功能的器件，其中第一具有通电开关功能的器件采用线性导通；串联设置在直流电源两电极之间的R1与R2,R1与R2连接处通过连接线与第一具有通电开关功能的器件相连，连接线与两电阻之间设有一电压点，根据直流电源以及电压点电压判定第一具有通电开关功能的器件的温度；温度传感器TS1：进一步检测第一具有通电开关功能的器件的温度，当温度高于温度传感器的极点时，温度传感器的电阻接近0。根据直流电源以及电压点电压判定第一具有通电开关功能的器件的温度，同时结合温度传感器TS1进一步检测第一具有通电开关功能的器件的温度，提高检测效果。提高检测效果。提高检测效果。

【技术实现步骤摘要】
一种放电防烧坏、保护电路电路、控制方法及其介质


[0001]本专利技术涉及控制电路领域，具体涉及一种放电防烧坏、保护电路电路、控制方法及其介质。

技术介绍

[0002]当前的电路控制，采用的是MOS放电方式，没有对MOS进行保护，一旦MOS损坏，直接导致电池过放，由于用MOS当开关，但未对MOS进行保护，MOS易过温烧坏，无欠压保护自断功能，MOS损坏了，电池还在继续放电，导致电池过放而损坏。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种放电防烧坏、保护电路，包括：
[0004]直流电源；
[0005]设置在直流电源两电极之间的多个具有通电开关功能的器件，其中第一具有通电开关功能的器件具有线性导通功能；
[0006]串联设置在直流电源两电极之间的R1与R2,R1与R2连接处通过连接线与第一具有通电开关功能的器件相连，连接线与两电阻之间设有一电压点，根据直流电源以及电压点电压判定第一具有通电开关功能的器件温度；
[0007]温度传感器TS1：进一步检测第一具有通电开关功能的器件的温度，当温度高于温度传感器的极点时，温度传感器的电阻接近0。
[0008]优选的，多个具有通电开关功能的器件采用三个MOS管，且都是开关作用，其中第一MOS管Q1还具有线性导通功能。
[0009]优选的，第二MOS管以及第三MOS管外接有I/O2控制接口。
[0010]优选的，电路还设有:光耦U1以及I/O1控制接口，光耦U1起隔离作用，在直流电源过高时，不能连接外部控制接口I/O1以及I/O2。
[0011]优选的，I/O1连接有一上拉电阻R4，当光耦U1的引脚PIN4与PIN3导通时，I/O1为低电平，反之，当PIN4与PIN3不导通时，I/O1为高电平。
[0012]优选的，电路还设有:电阻R3，电阻R3为发电用的负载，放电的功率会被R3消耗。
[0013]优选的，一种用于电路的控制方法，包括：S1：根据第一MOS管Q1的门坎电压计算出R1以及R2的电阻；
[0014]S2：根据直流电源的电压的情况，判定第一MOS管Q1的工作状态；
[0015]S3：并结合温度传感器TS1，进一步判定第一MOS管Q1的工作状态；
[0016]S4：通过控制接口与光耦U1配合，减小第一MOS管Q1的功率消耗并降低热量；
[0017]S5：当电压持续偏低时，第一MOS管Q1不静态放电，保护直流电源的最低电压。
[0018]优选的，当直流电源电压高于12V，此时A点的电压值大于2V，第一MOS管Q1正常导通，第一MOS管Q1上的功率消耗中，只有第一MOS管Q1中的内阻在消耗功率，温度相比于线性区的消耗要小很多；
[0019]当直流电源的电压低于12V时，第一MOS管Q1开始工作于线性放大区，第一MOS管Q1的功率消耗就比只有内阻消耗大很多；
[0020]此时第一MOS管Q1的温度开始上升，热量加大；
[0021]温度传感器TS1测量第一MOS管Q1的温度，当温度高于温度传感器TS1的极点时，温度传感器TS1的电阻接近0R，此时第一MOS管Q1工作于线性放大区；
[0022]第一MOS管Q1两端电压VDS电压远大于0，该电压连接到光耦U1的引脚PIN1，使光耦U1发光端导通，从而光耦U1的引脚PIN4与PIN3导通，从而使I/O1为低电平；
[0023]当I/O1为低电平时，外端控制I/O2为低电平或PWM波形，以此来减小流过第一MOS管Q1的电流IDS,从而减小该第一MOS管Q1的功率消耗。
[0024]优选的，当直流电源的电压持续放电，使直流电源持续偏低，当第一MOS管Q1的电压值小于第一MOS管Q1的截止电压时，第一MOS管Q1自动关闭保护。
[0025]优选的，一种存储介质，存储介质存储有电池组之间通信的控制程序，电池组之间通信的控制程序被处理器执行时实现上述电路控制方法的步骤。
[0026]本专利技术具有如下优点：
[0027]1.根据直流电源以及电压点电压判定第一具有通电开关功能的器件的温度，同时结合温度传感器TS1进一步检测第一具有通电开关功能的器件的温度，提高检测效果。
[0028]2.在第一MOS管Q1两端电压VDS电压远大于0，该电压连接到光耦U1的引脚PIN1，使光耦U1发光端导通，从而光耦U1的引脚PIN4与PIN3导通，从而使I/O1为低电平，当I/O1为低电平时，外端控制I/O2为低电平或PWM波形，以此来减小流过第一MOS管Q1的电流IDS,从而减小该第一MOS管Q1的功率消耗，降低热量，提高电路的可靠性。
[0029]3.采用温度传感器TS1时，不受瞬间电流的影响，比如，当放电时有瞬态过冲时电流时，不会因为这个突波电流而导致系统停止。因为瞬间的电流不会马上发热，或瞬间的电流热量不大，所以温度传传感器感应的电阻就变化不大，也就没有对瞬间的电流有响应，所以具有不会因为瞬间的电流过大而保护。
[0030]4.当电压持续偏低时，第一MOS管Q1自动关断，第一MOS管Q1不静态放电，保护直流电源的最低电压。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0032]图1为本专利技术实施例中放电防烧坏、保护电路的整体连接图；
[0033]图2为本专利技术实施例中放电防烧坏、保护电路的整体控制方法示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0035]下面结合实施例和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0036]如图1所示，一种放电防烧坏、保护电路，用于解决MOS过热，电池过放问题，直流电源，直流电源设有V+以及V
‑
，V+为电池的正电压，V
‑
为电池的负电压，直流电源可以采用电
池。
[0037]设置在直流电源两电极之间的多个具有通电开关功能的器件，其中第一具有通电开关功能的器件具有线性导通功能。
[0038]其中，多个具有通电开关功能的器件采用MOS管也可以采用具开关属性的晶体管。
[0039]其中，具有通电开关功能的器件且都是开关作用，其中第一MOS管Q1还具有线性导通功能。
[0040]多个通电开关功能的器件采用三个MOS管；
[0041]其中，第二MOS管以及第三MOS管外接有I/O2控制接口，I/O2控制接口外部连接有电平，当高电平时，第二MOS管Q2以及第三MOS管Q3导通，电池开始放电，当低电平时，第二MOS管Q2以及第二MOS管Q3断开。
[0042]串联设置在直流电源两电极之间的R1与R2,R1与R2连接处通过连接线与第一具有通电开关功能的器件相连。
[0043]连接线与两电阻之间设有一电压点，根据直流电源以及电压点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放电防烧坏、保护电路，其特征在于，包括：直流电源；设置在直流电源两电极之间的多个具有通电开关功能的器件，其中第一具有通电开关功能的器件具有线性导通功能；串联设置在直流电源两电极之间的R1与R2,R1与R2连接处通过连接线与第一具有通电开关功能的器件相连，连接线与两电阻之间设有一电压点，根据直流电源以及电压点电压判定第一具有通电开关功能的器件温度；温度传感器TS1：进一步检测第一具有通电开关功能的器件的温度，当温度高于温度传感器的极点时，温度传感器的电阻接近0。2.根据权利要求1所述的放电防烧坏、保护电路，其特征在于，多个具有通电开关功能的器件采用三个MOS管，且都是开关作用，其中第一MOS管Q1还具有线性导通功能。3.根据权利要求2所述的放电防烧坏、保护电路，其特征在于，第二MOS管以及第三MOS管外接有I/O2控制接口。4.根据权利要求3所述的放电防烧坏、保护电路，其特征在于，所述电路还设有:光耦U1以及I/O1控制接口，光耦U1起隔离作用，在直流电源过高时，不能连接外部控制接口I/O1以及I/O2。5.根据权利要求4所述的放电防烧坏、保护电路，其特征在于，所述I/O1连接有一上拉电阻R4，当光耦U1的引脚PIN4与PIN3导通时，I/O1为低电平，反之，当PIN4与PIN3不导通时，I/O1为高电平。6.根据权利要求1所述的放电防烧坏、保护电路，其特征在于，所述电路还设有:电阻R3，电阻R3为发电用的负载，放电的功率会被R3消耗。7.一种用于权利要求1至6任意一项权利要求所述电路的控制方法，其特征在于，包括：S1：根据第一MOS管Q1的门坎电压计算出R1以及R2的电阻；S2：根据直流电源的电压的情况，判定第一MOS管Q1的工作状态；...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海，王怀华，徐鹏，
申请(专利权)人：苏州山倍储能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：