A型漏电断路器制造技术

本发明专利技术涉及一种Ａ型漏电断路器，包括绝缘壳体、安装在壳体内部的触点、电控脱扣机构和脱扣控制电路，脱扣控制电路包括漏电检测及放大单元、触发单元和主控单元。通过在漏电检测及放大单元设置了漏电感应线圈和与漏电感应线圈相并联的电容组成的谐振电路，这样可以获得并放大直流分量信号，产生一个类似于“正弦波”的信号，从而人为地增大了磁通的能量，达到触发值时脱口机构动作，实现Ａ型漏电保护功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种A型漏电电断路器。
技术介绍
根据国标GB14048-2-2001\GB16916.1-2003\GB16917.1-2003等规定对无论是突然施加或缓慢上升的具有规定的剩余脉动直流或剩 余正弦交流电流能确保脱扣的漏电断路器称为A型漏电断路器。对 无论是突然施加或缓慢上升的具有无直流分量的剩余正弦交流电流， 能确保脱扣的漏电断路器称为AC型漏电断路器。由上述可知，A型 漏电断路器覆盖了 AC型漏电断路器的动能。所述"规定的剩余脉动 直流"分为以下四种情况电流滞后电压(T 、 180°的半波整流电 流，电流滞后电压90° 、 270°的半波整流电流，电流滞后电压135 ° 、 315°的半波整流电流，有6mA直流的电流滞后电压0。 、 180 °的半波电流。漏电断路器通常包括绝缘壳体、安装在壳体内部的触 点、电控脱扣机构和脱扣控制电路，脱扣控制电路包括漏电检测及放 大单元、触发单元和主控单元。但是现有的漏电断路器大都是AC型 的，功能单一、电磁兼容(EMC)达不到国家标准、抗干扰性能弱， 易发生误动作且耐用性较差。随着现代化的推进，近l-2年内，AC 型漏电断路器将被A型漏电断路器所取代。因此急需开发一种结构 简单、实用的A型漏电电断路器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于为克服现有技术的不足而提供一种结构简单、实用的A型漏电电断路器。为实现上述目的，本专利技术公开了一种A型漏电断路器，包括绝 缘壳体、安装在壳体内部的触点、电控脱扣机构和脱扣控制电路，脱 扣控制电路包括漏电检测及放大单元、触发单元和主控单元，其特征在于所述主控单元包括桥式整流电路和脱扣电磁线圈，脱扣电磁线 圈串联在桥式整流电路的交流端，桥式整流电路的交流端连接在漏电 断路器的电源输入端，触发单元包括串联在桥式整流电路的直流端形 成直流回路的可控硅，所述漏电检测及放大单元包括漏电感应线圈和与漏电感应线圈相并联的电容组成的谐振电路、保护电路及RC低通 滤波电路构成，所述漏电检测及放大单元输出端与可控硅触发极连 接，所述保护电路由与谐振电路并联的稳压管构成，且稳压管DW的 负极与可控硅的K极连接，稳压管DW的正极经过RC低通滤波电 路中的电阻与可控硅的G极连接，谐振电路输出与RC低通滤波电路 连接，RC低通滤波电路输出与可控硅触发极连接。由于漏电检测及放大单元设置了漏电感应线圈和与漏电感应线 圈相并联的电容组成的谐振电路及稳压二极管，这样当外界干扰信号 入侵时，稳压二极管首先导通，迅速排除了干扰，实现了国家标准 GB14048.2-2001中的B8.6,2规定的技术指标对漏电断路器CBR闪 流冲击，即在CBR—极施加前沿为8微秒，后沿为20微秒、 峰值电 流为250A的单脉冲冲击不脱扣；当A型漏电流极性相反时，稳压二 极管不仅保护了可控硅G极不会被电压击穿，而且因为它的非线性 产生丰富的2 3次谐波，而被谐振回路吸收，从而人为地增大了磁通 的能量，达到触发值时脱扣机构动作，实现了A型漏电保护功能。下面将结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详述。附图说明图1为本专利技术用于380伏线路中的A型漏电断路器的具体实施 例电原理图2为本g明用于380伏线路中的A型漏电断路器的另一具体 实施例电原理图3为本专利技术用于220伏线路中的A型漏电断路器的具体实施 例电原理图4为本专利技术用于220伏线路中的A型漏电断路器的另一具体 实施例电原理图。具体实施例方式A型漏电断路器包括绝缘壳体、安装在壳体内部的触点、电控脱 扣机构和脱扣控制电路，脱扣控制电路包括漏电检测及放大单元、触 发单元和主控单元，如图1所示，主控单元包括由二极管D1-D4组 成的桥式整流电路和脱扣电磁线圈DTL1，K1为由内部触点构成的脱 扣开关，在两条电源输入线上跨接有限流电阻R3和试验按钮AN1 串联而成的试验支路，脱扣电磁线圈DTL1串联在桥式整流电路的交 流端，桥式整流电路的交流端连接在漏电断路器的电源输入端2'、 l'， 触发单元包括串联在桥式整流电路的直流端形成直流回路的第一可 控硅BG1、第二可控硅BG2和触发抗干扰支路，第二可控硅BG2的 A极与桥式整流电路的正端连接，第一可控硅BG1的K极与桥式整 流电路的负端连接，第一可控硅BG1、第二可控硅BG2的A极和K 极之间分别与第一分压电阻R6和第二分压电阻R5并联，RC低通滤 波电路输出与第一可控硅BG1触发极连接；第二可控硅BG2的G极 与K极之间设有触发电阻R7，所述第二可控硅BG2的G极与桥式 整流电路的负端之间设有电阻R4和电容C3串联支路构成所述触发 抗干扰支路。此处采取第一可控硅BG1和第二可控硅BG2串联的方式可以提高电路的耐压，适用于380伏线路中，并降低对可控硅的耐 压要求，第一分压电阻R6和第二分压电阻R5将桥式整流电路输出 的电压均分给两个可控硅BG1、 BG2，第一分压电阻R6和第二分压 电阻R5的阻值要足够大，不能使脱扣电磁线圈DTL1有足够的电流 而导致动作。漏电检测及放大单元包括漏电感应线圈Hl和与漏电感 应线圈Hl相并联的谐振电容Cl组成的谐振电路、保护电路及由电 阻R2、 R3和滤波电容C2组成的RC低通滤波电路相连构成，RC低 通滤波器电路用于滤掉高频干扰信号，提高了漏电断路器的EMC。 漏电感应线圈H1做成磁环状穿设在线路中，漏电感应线圈H1置于 屏蔽罩内，防止强大的外磁使漏电断路器误动作，谐振电路的谐振频 率在基波和三次谐波之间，这样有利于提高检测精度，漏电感应线圈 的电感量不小于IOH。漏电检测及放大单元输出经RC低通滤波电路 后与第一可控硅BG1的触发极连接，保护电路由与谐振电路并联的 稳压管DW构成，且稳压管DW的负极与第一可控硅BG1的K极连 接，稳压管DW的正极通过RC低通滤波电路中的电阻R2与第一可 控硅BG1的G极连接，稳压管DW的稳压值选在2-5V之间，正向 导通电压要小于第一可控硅BG1的触发电压， 一般稳压管DW的正 向导通电压不高于0.55V (温度在+20° C)，第一可控硅BG1的触发 电压不低于0.56V (温度在+20° C)。此外还可以再谐振电路上并联 有调节电阻R1，可以调整漏电流大小。如图2所示，RC低通滤波电 路也可以仅由电阻R2和滤波电容C2组成。对于工作在较低电压如220V线路中的A型漏电断路器，如图3、4 所示，其脱扣控制电路与前述实施例大部分相同，只是其中触发单元 中桥式整流电路的直流端只需串联第一可控硅BG1形成直流回路即 可。显然，本专利技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举 例，而并非是对本专利技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术 人员来说，在上述说明的基础上还可以做其它不同形式的变化，这里 无需也无法对所以实施方式予以穷举，而这些属于本专利技术的精神引伸 的显而易见的变化仍处于本专利技术的保护范围之中。权利要求1、一种A型漏电断路器，包括绝缘壳体、安装在壳体内部的触点、电控脱扣机构和脱扣控制电路，脱扣控制电路包括漏电检测及放大单元、触发单元和主控单元，其特征在于所述主控单元包括桥式整流电路和脱扣电磁线圈，脱扣电磁线圈串联在桥式整流电路的交流端，桥式整流电路的交流端连接在漏电断路器的电源输入端，触发单元包括串联在桥式整流电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ａ型漏电断路器，包括绝缘壳体、安装在壳体内部的触点、电控脱扣机构和脱扣控制电路，脱扣控制电路包括漏电检测及放大单元、触发单元和主控单元，其特征在于：所述主控单元包括桥式整流电路和脱扣电磁线圈，脱扣电磁线圈串联在桥式整流电路的交流端，桥式整流电路的交流端连接在漏电断路器的电源输入端，触发单元包括串联在桥式整流电路的直流端形成直流回路的可控硅，所述漏电检测及放大单元包括漏电感应线圈和与漏电感应线圈相并联的电容组成的谐振电路、保护电路及ＲＣ低通滤波电路构成，所述漏电检测及放大单元输出端与可控硅触发极连接，所述保护电路由与谐振电路并联的稳压管构成，且稳压管ＤＷ的负极与可控硅的Ｋ极连接，稳压管ＤＷ的正极经过ＲＣ低通滤波电路中的电阻与可控硅的Ｇ极连接，谐振电路输出与ＲＣ低通滤波电路连接，ＲＣ低通滤波电路输出与可控硅触发极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄东海，石锦宽，
申请(专利权)人：黄东海，石锦宽，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]