垂直腔面发射激光器及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器及电子设备，该垂直腔面发射激光器包括：外延结构及第一电极，所述第一电极形成于所述外延结构上，并在所述外延结构上构成至少一个位于中心区域的第一出光孔，以及环绕于所述第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，且多个所述第二出光孔呈间隔设置。本实用新型专利技术能够使得激光出射后出现密度分布更均匀，且中心区域能够均匀出光，提高了激光的出射功率和出射光斑的均匀度。的均匀度。的均匀度。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器及电子设备


[0001]本技术涉及激光器
，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及电子设备。

技术介绍

[0002]VCSEL(Vertical
‑
CavitySurface
‑
EmittingLaser，垂直腔面发射激光器)是一种半导体激光器，其在衬底的垂直方向上形成谐振腔，沿垂直方向上出射激光。VCSEL激光器，尤其是包括多个VCSEL单元的VCSEL阵列和包括多个VCSEL单元的VCSEL芯片，在包括消费电子、工业、医疗等行业得到广泛应用。目前的垂直腔面发射激光器如果要提高单管器件的输出功率，则需要增大其出射光孔的面积，由于掺杂P型半导体的载流子存在聚集效应与电流的趋肤效应，会观察到工作电流会集中于电极的周沿处，使得激光出射的光容易出现密度分布不均匀，呈现为中心弱、边沿强，导致激光的出射光斑为环状，并且出射光斑形成为环状时容易出现中心区域不发光，激光的出射功率和出射光斑的均匀度较差。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种垂直腔面发射激光器，包括：
[0004]外延结构；
[0005]第一电极，所述第一电极形成于所述外延结构上，并在所述外延结构上构成至少一个位于中心区域的第一出光孔，以及环绕于所述第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，且多个所述第二出光孔呈间隔设置。
[0006]优选地，所述第一电极包括：
[0007]环形电极，多个所述环形电极之间相互环绕设置；
[0008]径向电极，所述径向电极沿多个所述环形电极的径向方向将多个所述环形电极依次连接，并与多个所述环形电极之间构成所述第二出光孔。
[0009]优选地，所述第一电极与所述第二出光孔之间的宽度比例为0.8
‑
1.3:1.8
‑
2.3。
[0010]优选地，所述环形电极与所述径向电极的交叉点分别被构造成弧形倒角，且所述弧形倒角位于所述第二出光孔的角点。
[0011]优选地，至少一个所述环形电极上具有电极焊盘，且所述电极焊盘延伸至多个所述环形电极外。
[0012]优选地，所述外延结构与所述第一电极之间具有反相层，所述反相层被构造成与所述第一电极结构相同。
[0013]优选地，所述外延结构包括：
[0014]有源区；
[0015]第一反射器，所述第一反射器形成于所述有源区上，并与所述反相层底部贴合设置；
[0016]第二反射器，所述第二反射器形成于所述有源区底部；
[0017]氧化限制层，所述氧化限制层形成于所述有源区与所述第一反射器之间。
[0018]优选地，还包括：
[0019]第二电极，所述第二电极形成于所述第二反射器底部；
[0020]衬底，所述衬底形成于所述第二电极与所述第二反射器之间。
[0021]本技术的另一个目的在于提出一种电子设备，包括如上所述的垂直腔面发射激光器。
[0022]本技术的上述方案至少包括以下有益效果：
[0023]本技术提供的垂直腔面发射激光器，通过将外延结构上的第一电极设置成网格状，使第一电极的中心区域形成有第一出光孔，以及具有环绕于第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，使得激光出射后出现密度分布更均匀，且中心区域能够均匀出光，提高了激光的出射功率和出射光斑的均匀度。
[0024]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0026]图1是本技术实施例中提供的垂直腔面发射激光器的结构示意图；
[0027]图2是本技术实施例中提供的垂直腔面发射激光器的另一结构示意图。
[0028]附图标号说明：
[0029]10、外延结构；11、有源区；12、第一反射器；13、第三反射器；14、氧化限制层；20、第一电极；201、第一出光孔；202、第二出光孔；203、起伏面；21、环形电极；22、径向电极；23、电极焊盘；30、反相层；40、第二电极；50、衬底。
[0030]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限
制。
[0033]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0034]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：外延结构；第一电极，所述第一电极形成于所述外延结构上，并在所述外延结构上构成至少一个位于中心区域的第一出光孔，以及环绕于所述第一出光孔的外圆周上的多个第二出光孔，且多个所述第二出光孔呈间隔设置。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极包括：环形电极，多个所述环形电极之间相互环绕设置；径向电极，所述径向电极沿多个所述环形电极的径向方向将多个所述环形电极依次连接，并与多个所述环形电极之间构成所述第二出光孔。3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极与所述第二出光孔之间的宽度比例为0.8
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1.3:1.8
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2.3。4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述环形电极与所述径向电极的交叉点分别被构造成弧形倒角，且所述弧形倒角位于所述第二出光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永泽，熊金华，
申请(专利权)人：深圳市恒天伟焱科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：